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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第496页 > 2SK3467
SMD型
MOS场效应
2SK3467
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
MOSFET
单位：mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
特点
4.5 V驱动器可用
低通态电阻
+0.2
8.7
-0.2
R
DS(on)1
= 6.0 m
低栅电荷
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
+0.2
5.28
-0.2
Q
G
= 55 NC TYP 。 （我
D
= 80 A，V
DD
= 16 V, V
GS
= 10 V)
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
20
20
80
320
76
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
D
= 80A ，V
DD
=16V, V
GS
= 10 V
I
D
=40A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=10V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=20V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=40A
V
GS
=10V,I
D
=40A
V
GS
=4.5V,I
D
=40A
1.5
20
4.8
6.7
2800
1200
600
16
23
74
31
55
9
17
6.0
9.5
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
5.60
1门
2漏
3源
www.kexin.com.cn
1
数据表
MOS场效应
2SK3467
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3467是，具有一个N沟道MOS FET器件
低通态电阻和开关特性优良，
设计用于低电压高电流的应用，如
直流/直流转换器与同步整流器。
订购信息
产品型号
2SK3467
2SK3467-ZK
包
TO-220AB
TO-263(MP-25ZK)
特点
4.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 6.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
低栅电荷
Q
G
= 55 NC TYP 。 （我
D
= 80 A，V
DD
= 16 V, V
GS
= 10 V)
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25
°C
)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
20
±20
±80
±320
1.5
76
150
55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
(TO-263)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D14991EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2001年3月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SK3467
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 16 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 80 A
I
F
= 80 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 80 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 40 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V，I
D
= 40 A
V
GS （ ON）
= 10 V
R
G
= 10
1.5
20
4.8
6.7
2800
1200
600
16
23
74
31
55
9
17
1.0
44
40
6.0
9.5
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
V
DS
90%
V
GS
V
GS
电波表
I
G
= 2毫安
90%
10%
R
L
V
DD
0
PG 。
50
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
电波表
0
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表D14991EJ1V0DS
2SK3467
典型特征（T
A
= 25°C)
漏电流与
漏源极电压
350
300
I
D
- 漏电流 - 一个
1000
正向传递特性
脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
=10 V
7.0 V
250
200
150
100
50
脉冲
0
0
1
2
3
4.5 V
100
10
T
ch
=
50C
25C
25C
75C
150C
1
2
3
4
5
1
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
DS
= 10 V
脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
T
ch
= 150C
75C
25C
25C
50C
1
10
30
70
110
150
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
脉冲
15
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
20
脉冲
16
I
D
= 80 A
40 A
16 A
12
7.0 V
10
8
V
GS
= 4.5 V
5
4
0
10 V
0
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表D14991EJ1V0DS
3
2SK3467
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
12
10
8
6
4
2
I
D
= 40 A
源极到漏极二极管
正向电压
1000
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
脉冲
V
GS
= 10 V
100
4.5 V
10
1
0V
V
GS
= 4.5 V
7.0 V
10 V
0.1
0
50
10
30
70
110
150
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
开关特性
1000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
t
f
t
r
10
t
D（关闭）
t
D（上）
100
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
V
DS
30
40
50
60
4
V
GS
V
DD
= 16 V
10 V
8
I
D
= 80 A
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
100
10
1
0.1
0
1
10
100
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
4
数据表D14991EJ1V0DS
2SK3467
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
总功耗对比
外壳温度
80
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
80
P
T
- 总功耗 - W
0
20
40
60
80
100 120 140
160
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
60
40
20
0
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
1000
I
D（脉冲）
PW
=1
0
s
I
D
- 漏电流 - 一个
100
d
ITE ）
IM 0 V
1
)
L
on
=
S(
S
R
D
V
G
I
D（ DC）的
(@
Po
we
r
10
Di
ss
IPA
TIO
n
10
0
s
30
0
s
1m
s
3m
10
s
m
s
LIM
ITE
d
DC
1
0.1
T
C
= 25C
单脉冲
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
th
(
t
)
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 1.65C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - 秒
数据表D14991EJ1V0DS
5
SMD型
产品speci fi cation
2SK3467
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
单位：mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
特点
4.5 V驱动器可用
低通态电阻
+0.2
8.7
-0.2
R
DS(on)1
= 6.0 m
低栅电荷
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
+0.2
5.28
-0.2
Q
G
= 55 NC TYP 。 （我
D
= 80 A，V
DD
= 16 V, V
GS
= 10 V)
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
20
20
80
320
76
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
D
= 80A ，V
DD
=16V, V
GS
= 10 V
I
D
=40A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=10V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=20V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=40A
V
GS
=10V,I
D
=40A
V
GS
=4.5V,I
D
=40A
1.5
20
4.8
6.7
2800
1200
600
16
23
74
31
55
9
17
6.0
9.5
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
5.60
1门
2漏
3源
4008-318-123
1 1
查看更多2SK3467PDF信息
推荐型号
2SC5117
20PT1021A1
27C256-25I/J
234
24LC21A1-I/SN
25LC010A-E/SN
2520DN103M2
2650D05
212U0112N320FB
2-1546213-3
21FD3707-F
239.600H
2SC4001
2SD1772
212U0112N220FA
251B12F253B2NB
21-0136F
212U01N320RD2
2-1437726-0
2STW1693
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3467
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3467
NEC
2410+
12590
263
十年企业，诚信经营，原装量大价优
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3467
NEC
2410+
12590
263
十年企业，诚信经营，原装量大价优
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