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2SK3447
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1101-0700
（上一个： ADE- 208-1567E ）
Rev.7.00
2005年9月7日
特点
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.5
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003DC -A
（包名称： TO- 92MOD ）
D
G
1.源
2.漏
3.门
32
1
S
Rev.7.00 2005年9月7日第1页6
2SK3447
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.值在TA = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
PCH
注2
总胆固醇
TSTG
价值
150
±20
1
4
1
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
150
±20
—
—
1.0
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.5
1.9
0.9
85
36
18
4.5
0.8
1.6
7
6
21
10
1.0
60
最大
—
—
±10
1
2.5
1.95
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V
注3
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 4 V
注3
I
D
= 0.5 A ，V
DS
= 10 V
注3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 100 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.5 A
R
L
= 60
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
注3
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.7.00 2005年9月7日第2 6
2SK3447
主要特点
功率与温度降额
P沟（W）的
1.6
10
3
10
PW
DC
O
最高安全工作区
s
I
D
(A)
100
s
1毫秒
1.2
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
pe
=
10
散热通道
漏电流
0.8
ra
t
io
n
m
s(
1s
ho
t)
25
(T
c
=
0.4
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
°C
)
0
0
50
100
150
200
TA = 25°C
0.001
0.1 0.3
1
3
10
30
100
500
环境温度
的Ta （℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
2.5
8V
10 V
5V
4.5 V
1.5
3.5 V
6V
4V
5
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
2.0
4
TC = -25°C
25°C
75°C
3
漏电流
1.0
漏电流
3V
2
0.5
V
GS
= 2.5 V
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
1
0
0
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
3
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
10
脉冲测试
5
V
GS
=10 V
4V
1
2
I
D
= 1 A
2
1
0.5
0.5 A
0.2 A
0.2
0.1
0.1
0
0
5
10
15
20
0.3
1
3
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.7.00 2005年9月7日第3页6
2SK3447
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
5
10
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳主场迎战
漏电流
4
0.2 A
0.5 A
3
I
D
= 1 A
3
TC = -25°C
1
25°C
75°C
0.3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
2 V
GS
= 4 V
0.5 A
1
10 V
I
D
= 1 A
0.2 A
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
0.1
0.1
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流
I
D
(A)
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
典型的电容比。
漏源极电压
1000
300
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
反向恢复时间trr （ NS ）
100
30
10
3
1
0.1
电容C （PF ）
300
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
100
30
科斯
10
CRSS
3
1
0.3
1
3
10
0
10
20
30
40
50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏源极电压
V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
I
D
= 1 A
120
V
DS
开关特性
V
GS
(V)
16
100
160
开关时间t（ NS ）
V
GS
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
12
30
t
f
10
t
D（关闭）
漏源极电压
80
8
栅极至源极电压
t
D（上）
3
t
r
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V ， RG = 50
PW = 5
s,
税
≤
1 %
0.3
1
3
10
40
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
0
0
2
4
6
8
10
4
0
1
0.1
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.7.00 2005年9月7日第4 6
2SK3447
反向漏电流 -
源极到漏极电压
4
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
门源截止电压
与外壳温度
3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 10毫安
2
I
DR
(A)
脉冲测试
3
反向漏电流
2
5V
V
GS
= 0, –5 V
1
1
1毫安
0.1毫安
0
0
1
2
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压
V
SDF
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
ULSE
OT P
1sh
θch
- 一（吨） =
γ
S（ T）
θch
– a
θch
- A = 139 ° C / W ，TA = 25℃
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
D=
PW
T
0.01
10
100
脉冲宽度PW （S ）
Rev.7.00 2005年9月7日第5 6
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2067
2N174
24.576M
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22R473
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28C010TRTFS-15
22-28-3111
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