【2SK3446硅N沟道功率MOS FET电源开关REJ03G1100-0800（上一个： ADE- 】,IC型号2SK3446TZ-E,2SK3446TZ-E PDF资料,2SK3446TZ-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK3446

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1100-0800

（上一个： ADE- 208-1566F ）

Rev.8.00

2005年9月7日

特点

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

低导通电阻

DS （ ON）

= 1.5

（典型值）。（在V

= 4 V)

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003DC -A

（包名称： TO- 92MOD ）

1.源

2.漏

3.门

Rev.8.00 2005年9月7日第1页6

2SK3446

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.值在TA = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

PCH

注2

总胆固醇

TSTG

价值

150

±10

0.9

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

150

±10

—

0.5

—

0.8

—

典型值

—

1.5

1.9

1.4

3.5

0.5

1.8

1.0

最大

—

±10

1.5

1.95

2.5

—

1.5

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±8

V, V

= 0

= 150 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 0.5 A ，V

= 4 V

注3

= 0.5 A ，V

= 2.5 V

注3

= 0.5 A ，V

= 10 V

注3

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 100 V

= 4 V

= 1 A

= 4 V

= 0.5 A

= 60

= 1 A，V

= 0

= 1 A，V

= 0

/ DT = 100 A / μs的

Rev.8.00 2005年9月7日第2 6

2SK3446

主要特点

功率与温度降额

P沟（W）的

1.6

最高安全工作区

(A)

100

1.2

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

1毫秒

散热通道

漏电流

0.8

TIO

0.4

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

°C

)

100

150

200

TA = 25°C

0.001

0.1 0.3

100

500

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

2.5

脉冲测试

2.5 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

2.0

TC = -25°C

25°C

75°C

1.5

漏电流

1.0

= 1.5 V

漏电流

0.5

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

脉冲测试

= 2.5 V

= 1 A

0.5

0.5 A

0.2 A

0.2

0.1

0.3

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.8.00 2005年9月7日第3页6

2SK3446

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

TC = -25°C

25°C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

75°C

脉冲测试

0.2 A

0.5 A

= 1 A

= 2.5 V

= 1 A

0.5 A

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.2 A

= 10 V

脉冲测试

0.1

0.3

–25

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

典型的电容比。

漏源极电压

1000

300

= 0

F = 1 MHz的

西塞

100

CRSS

反向恢复时间trr （ NS ）

100

0.1

电容C （PF ）

300

的di / dt = 100 A /

= 0 ， TA = 25℃

科斯

0.3

反向漏电流

(A)

漏源极电压

(V)

动态输入特性

(V)

= 1 A

120

开关特性

(V)

100

D（关闭）

D（上）

160

= 100 V

50 V

25 V

漏源极电压

= 100 V

50 V

25 V

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

= 4 V, V

= 30 V

PW = 5

税

≤

1 %

0.1

0.3

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.8.00 2005年9月7日第4 6

2SK3446

反向漏电流 -

源极到漏极电压

门源截止电压V

GS （ OFF ）

(V)

门源截止电压

与外壳温度

1.5

= 10 V

脉冲测试

= 10毫安

1.0

(A)

脉冲测试

反向漏电流

= 0, –5 V

0.5

1毫安

0.1毫安

–25

100 125 150

源极到漏极电压

SDF

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

θch

- 一（吨） =

S（ T）

θch

– a

θch

- A = 139 ° C / W ，TA = 25℃

10 m

100 m

100

1000

10000

0.02

0.01

ULSE

OT P

1sh

0.01

100

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

波形

输入电压监视器

D.U.T.

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

10%

90%

10%

VIN

= 30 V

TD （上）

90%

TD （关闭）

Rev.8.00 2005年9月7日第5 6

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