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数据表
MOS场效应
2SK3434
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3434
2SK3434-S
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
描述
的2SK3434是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
特点
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 20 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 24 A)
R
DS(on)2
= 31 mΩ以下。 (V
GS
= 4.0 V,I
D
= 24 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2100 pF的典型。
内置栅极保护二极管
2SK3434-ZJ
2SK3434-Z
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
Note2
60
±20
±48
±120
56
1.5
150
-55到+150
28
78
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
(TO-262)
I
AS
E
AS
Note2
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
(TO-263,TO-220SMD)
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D14603EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2001年3月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999, 2001
2SK3434
电气特性(T
A
= 25 °C)
特征
零栅漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 48 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 48 A
I
F
= 48 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 48 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 24 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 24 A
V
GS
= 4.0 V,I
D
= 24 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V,I
D
= 24 A
V
GS ( ON)
= 10 V
R
G
= 10
1.5
13
2.0
27
16
22
2100
340
170
40
400
120
160
40
7
11
1.0
43
61
20
31
分钟。
典型值。
马克斯。
10
2.5
单位
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20 V
0 V
BV
DSS
V
DS
V
GS
0
50
L
V
DD
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
90%
90%
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
(上)
90%
I
AS
I
D
V
DD
I
D
I
D
电波表
0 10%
10%
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D14603EJ2V0DS
2SK3434
典型特征(T
A
= 25°C )
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
外壳温度
70
胸苷 - 百分比额定功率 - %
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100
120 140 160
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
5
1000
正向偏置安全工作区
I
D(脉冲)
I
D
- 漏电流 - 一个
100
PW
10
d
1m
ITE )
s
林10 V
I
D( DC)的
10
n)
ms
S(O
S
=
D
G
D
Po
C
(在
林WER
ITE派息
d
SIP
ATI
on
10
0
s
=1
0
s
1
T
C
= 25C
单脉冲
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
0.1
0.1
r
日(T )
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
10
1
R
TH( CH-C )
= 2.23C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D14603EJ2V0DS
3
2SK3434
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
1000脉冲
50
I
D
- 漏电流 - 一个
100
T
A
=
40C
25C
75C
150C
I
D
- 漏电流 - 一个
40
30
V
GS
=10 V
20
V
GS
= 4.0 V
10
脉冲
0
0.2
0.4
0.6
0.8
10
1
0.1
1.0
2.0
3.0
4.0
V
DS
= 10 V
5.0
6.0
0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
100 V
DS
= 10 V
脉冲
10
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
50
40
脉冲
1
T
A
=
40C
25C
75C
150C
30
20
I
D
= 24 A
0.1
10
0
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
40
脉冲
30
V
GS
= 4.0 V
20
V
GS
= 10 V
10
V
GS ( OFF )
- 门源阈值电压 - V
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
门源阈值电压 -
通道温度
3.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
0
1
10
100
1000
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D14603EJ2V0DS
2SK3434
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
60
50
40
30
20
10
0
50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
电容与漏极TO
源极电压
源极到漏极二极管
正向电压
1000
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
脉冲
脉冲
100
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.0 V
10
V
GS
= 0 V
1.0
V
GS
= 10 V
0.1
0
0.5
1.0
1.5
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
开关特性
1000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
t
r
t
D(关闭)
100
t
f
t
D(上)
1000
C
OSS
100
C
RSS
10
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
10
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
动态输入/输出特性
80
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
V
DS
V
DD
= 48 V
30 V
12 V
V
GS
14
12
10
8
6
4
2
40
100
10
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D14603EJ2V0DS
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
16
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3434-ZJ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3434-ZJ
NEC
2413+
12000
TO-263
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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RENESAS/瑞萨
2443+
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TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
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2SK3434-ZJ
RENESAS/瑞萨
24+
21000
TO-263
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SK3434-ZJ
RENESAS/瑞萨
24+
32000
TO-263
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK3434-ZJ
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21+
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全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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