数据表
MOS场效应
2SK3434
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3434
2SK3434-S
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
描述
的2SK3434是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
特点
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 20 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 24 A)
R
DS(on)2
= 31 mΩ以下。 (V
GS
= 4.0 V,I
D
= 24 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2100 pF的典型。
内置栅极保护二极管
2SK3434-ZJ
2SK3434-Z
记
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
Note2
60
±20
±48
±120
56
1.5
150
-55到+150
28
78
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
(TO-262)
I
AS
E
AS
Note2
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
(TO-263,TO-220SMD)
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文档编号
D14603EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2001年3月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999, 2001