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数据表
MOS场效应
2SK3432
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3432是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3432
2SK3432-S
2SK3432-ZJ
2SK3432-Z
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
特点
超低导通电阻:
R
DS(on)1
= 4.0 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A)
R
DS(on)2
= 6.9 mΩ以下。 (V
GS
= 4 V,I
D
= 42 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 9500 pF的典型。
内置栅极保护二极管
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
40
±20
±83
±332
100
1.5
150
55
+150
69
476
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 20 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
( TO- 263 , TO- 220SMD )
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证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D14601EJ4V0DS00 (第4版)
发布日期2002年7月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999, 2001
2SK3432
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 32 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 83 A
I
F
= 83 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 83 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 4 V,I
D
= 42 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1.5
40
2.0
80
3.2
4.8
9500
2200
920
140
1800
470
410
150
29
45
1.0
69
130
4.0
6.9
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
BV
DSS
V
DS
V
GS
0
50
L
V
DD
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
90%
90%
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
I
D
V
DD
I
D
I
D
电波表
0 10%
10%
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D14601EJ4V0DS
2SK3432
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
总功耗对比
外壳温度
140
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
0
20
40
60
80
100
120 140 160
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
1000
d
ITE V)
林10
)
=
on
S( GS
I
D( DC)的
R
D
吨V
(a
I
D(脉冲)
10
PW
0
s
=1
0
s
I
D
- 漏电流 - 一个
100
10
Po
DC
林WER
ITE迪斯
d
IPA
ti
1m
s
ms
10
on
1
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
10
1
R
TH( CH-C )
= 1.25C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D14601EJ4V0DS
3
2SK3432
正向传递特性
1000脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
漏电流与
漏源极电压
350
300
I
D
- 漏电流 - 一个
100
250
200
150
100
50
V
GS
=10 V
10
T
A
= –40C
25C
75C
150C
4V
1
0.1
1
2
3
4
V
DS
= 10 V
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
脉冲
1.0
1.2
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
10
脉冲
100 V
DS
= 10 V
脉冲
10
T
A
= 150C
75C
25C
–40C
1
5
I
D
= 42 A
0.1
0.01
0.01
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
GATE截止电压主场迎战
通道温度
3.0
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
15
脉冲
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
V
GS
= 4 V
5
10 V
0
1
10
100
1000
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D14601EJ4V0DS
2SK3432
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
12
10
8
6
4
2
0
50
0
50
10 V
I
D
= 42 A
100
150
源极到漏极二极管
正向电压
1000
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
脉冲
脉冲
V
GS
= 10 V
100
10
V
GS
= 0 V
V
GS
= 4 V
1
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
100000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
开关特性
10000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
t
r
1000
t
D(关闭)
t
f
100
t
D(上)
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
50
10
8
V
DD
= 32 V
20 V
8V
V
GS
6
4
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
40
30
100
20
10
10
0
0
V
DS
2
I
D
= 83 A
100 120 140 160
1
0.1
1.0
10
100
20
40
60
80
I
F
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D14601EJ4V0DS
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3432-ZJ
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3432-ZJ
NEC
2413+
12000
TO-263
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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2SK3432-ZJ
NEC
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK3432-ZJ
NEC
21+
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全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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NEC
21+
15360
TO-263
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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