数据表
MOS场效应
2SK3432
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3432是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3432
2SK3432-S
2SK3432-ZJ
2SK3432-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
特点
超低导通电阻:
R
DS(on)1
= 4.0 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A)
R
DS(on)2
= 6.9 mΩ以下。 (V
GS
= 4 V,I
D
= 42 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 9500 pF的典型。
内置栅极保护二极管
记
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
40
±20
±83
±332
100
1.5
150
55
+150
69
476
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 20 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
( TO- 263 , TO- 220SMD )
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供应及其他信息。
文档编号
D14601EJ4V0DS00 (第4版)
发布日期2002年7月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999, 2001