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数据表

MOS场效应

2SK3430

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

5

描述

的2SK3430是N沟道MOS场效应晶体管

设计用于高电流的开关应用。

订购信息

产品型号

2SK3430

2SK3430-S

2SK3430-ZJ

2SK3430-Z

包

TO-220AB

TO-262

TO-263

TO--220SMD

记

特点

超低导通电阻：

R

DS(on)1

= 7.3 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 40 A)

R

DS(on)2

= 15 mΩ以下。（V

GS

= 4 V，I

D

= 40 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 2800 pF的典型。

内置栅极保护二极管

记

TO- 220SMD包仅产

在日本。

(TO-220AB)

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

P

T

T

ch

T

英镑

40

±20

±80

±200

84

1.5

150

-55到+150

37

137

V

V

A

A

W

W

°C

°C

A

mJ

（ TO- 263 ， TO- 220SMD ）

(TO-262)

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note2

Note2

I

AS

E

AS

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

= 20 V ，R

G

= 25

, V

GS

= 20

→

0 V

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文档编号

D14599EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2001年4月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

1999,2000

2SK3430

电气特性（T

A

= 25 °C)

特征

零门Vortage漏电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 32 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 80 A

I

F

= 80 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 80 A，V

GS

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 40 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 40 A

V

GS

= 4 V，I

D

= 40 A

V

DS

= 10 V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

= 20 V，I

D

= 40 A

V

GS （ ON）

= 10 V

R

G

= 10

1.5

20

2.0

40

5.9

10.5

2800

730

320

110

1800

170

350

50

10

14

1.0

50

77

7.3

15

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

2.5

单位

A

A

V

S

m

m

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

BV

DSS

V

DS

V

GS

0

50

L

V

DD

测试电路2开关时间

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

V

DD

I

D

90%

90%

V

GS

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

（上）

90%

I

AS

I

D

V

DD

I

D

I

D

电波表

0 10%

10%

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

50

R

L

V

DD

PG 。

2

D14599EJ2V0DS

2SK3430

典型特征（T

A

= 25 °C )

正向偏置的降额因子

安全工作区

140

总功耗对比

外壳温度

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

P

T

- 总功耗 - W

0

20

40

60

80

100

120 140

160

100

80

60

40

20

0

120

100

80

60

40

20

0

0

20

40

60

80

100

120 140

160

T

ch

- 通道温度 -

C

T

C

- 外壳温度 - C

正向偏置安全工作区

1000

d

ITE ）

林10 V

n)

o

=

S(

I

D（ DC）的

S

R

D

吨V

G

a

(

I

D（脉冲）

PW

10

0

s

I

D

- 漏电流 - 一个

100

=1

0

s

1m

s

10

Po

D

林WER

C

ITE派息

d

SIP

ATI

on

10

ms

1

T

C

= 25C

单脉冲

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

0.1

0.1

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

100

R

第（章-a）的

= 83.3C / W

10

1

R

TH（ CH-C ）

= 1.49C / W

0.1

0.01

10

单脉冲

100

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

D14599EJ2V0DS

3

2SK3430

漏电流与

漏源极电压

300

250

I

D

- 漏电流 - 一个

100

T

A

=

40C

25C

75C

150C

I

D

- 漏电流 - 一个

正向传递特性

1000脉冲

200

150

100

50

V

GS

=10 V

10

4.0 V

1

0.1

1

2

3

4

V

DS

= 10 V

5

6

脉冲

0

1

2

3

4

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

20

脉冲

正向转移导纳主场迎战

漏电流

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100 V

DS

= 10 V

脉冲

10

1

T

A

= 150C

75C

25C

40C

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

10

I

D

= 40 A

0.1

0.01

0.01

0

0.1

1

10

100

0

4

8

12

16

20

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

25

脉冲

20

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

门源阈值电压 -

通道温度

3.0

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

50

15

V

GS

= 4.0 V

10

10 V

5

0

1

10

100

1000

0

50

100

150

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

4

D14599EJ2V0DS

2SK3430

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

24

20

16

12

8

V

GS

= 10 V

4

0

50

0

50

100

I

D

= 40 A

150

V

GS

= 4.0 V

脉冲

1000

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

V

GS

= 10 V

100

I

SD

- 二极管正向电流 - 一个

10

V

GS

= 0 V

1

0.1

0

0.5

1.0

1.5

T

ch

- 通道温度 - C

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

100000

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

开关特性

10000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

t

r

1000

10000

C

国际空间站

t

D（关闭）

100

t

D（上）

10

0.1

t

f

1000

C

OSS

100

0.1

C

RSS

1

10

100

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

反向恢复时间对比

漏电流

1000

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 V

动态输入/输出特性

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

10

V

DS

20

30

40

50

60

I

D

= 80 A

70

80

V

DD

= 32 V

20 V

8V

V

GS

16

14

12

10

8

6

4

2

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

100

10

1

0.1

1.0

10

100

I

F

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

D14599EJ2V0DS

5

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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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