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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第140页 > 2SK3424
SMD型
MOS场效应
2SK3424
特点
4.5 -V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 1.5m
低栅电荷
Q
G
= 34 NC TYP 。 （我
D
= 48 A，V
DD
= 24V, V
GS
= 10 V)
+0.2
5.28
-0.2
+0.1
1.27
-0.1
MOSFET
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
单位：mm
+0.2
8.7
-0.2
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
30
20
48
192
50
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
D
= 48A ，V
DD
=24V, V
GS
= 10 V
I
D
=24A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=15V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=24A
V
GS
=10V,I
D
=24A
V
GS
=4.5V,I
D
=24A
1.5
13
7.7
10.5
1900
580
270
14
13
61
22
34
6.4
9.1
11.5
17.0
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
5.60
1门
2漏
3源
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A)
www.kexin.com.cn
1
数据表
MOS场效应
2SK3424
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3424是，具有一个N沟道MOS FET器件
低通态电阻和开关特性优良，
设计用于低电压高电流的应用，如
直流/直流转换器与同步整流器。
订购信息
产品型号
2SK3424
2SK3424-ZK
2SK3424-ZJ
包
TO-220AB
TO-263(MP-25ZK)
TO-263(MP-25ZJ)
特点
4.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 11.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A)
低栅电荷
Q
G
= 34 NC TYP 。 （我
D
= 48 A，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V)
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
绝对最大额定值（T
A
= 25
°C
)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
30
±20
±48
±192
1.5
50
150
55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D14640EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999, 2000
2SK3424
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
漏极漏电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 24 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 48 A
I
F
= 48 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 48 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 24 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 24 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V，I
D
= 24 A
V
GS （ ON）
= 10 V
R
G
= 10
1.5
13
7.7
10.5
1900
580
270
14
13
61
22
34
6.4
9.1
1.0
34
26
11.5
17.0
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
V
DS
90%
V
GS
V
GS
电波表
I
G
= 2毫安
90%
10%
R
L
V
DD
0
PG 。
50
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
电波表
0
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表D14640EJ2V0DS
2SK3424
典型特征（T
A
= 25°C)
漏电流与
漏源极电压
200
V
GS
=10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
正向传递特性
1000
脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
150
7.0 V
100
100
4.5 V
10
T
ch
=
40C
25C
25C
75C
125C
150C
1
2
3
4
5
6
50
脉冲
0
0
1
2
3
4
1
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10 V
脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
T
ch
= 150C
75C
25C
40C
1
0
50
100
150
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
20
脉冲
15
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
30
脉冲
I
D
= 48 A
24 A
10 A
20
7.0 V
V
GS
= 4.5 V
10
10 V
10
5
0
0
5
10
15
20
0
0.1
1
10
100
1000
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表D14640EJ2V0DS
3
2SK3424
源极到漏极二极管
正向电压
1000
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
20
I
D
= 24 A
16
V
GS
= 4.5 V
12
7.0 V
10 V
8
脉冲
V
GS
= 10 V
100
4.5 V
10
1
0V
4
0
50
0.1
0
50
100
150
0.01
0
0.5
1
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
开关特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
1000
100
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
10
C
OSS
C
RSS
100
0.1
1
10
100
t
r
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
100
1
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
30
I
D
= 48 A
25
20
15
V
GS
10
5
V
DS
0
0
10
20
30
40
0
4
V
DD
= 24 V
15 V
6V
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
100
8
10
1
0.1
1
10
100
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
4
数据表D14640EJ2V0DS
2SK3424
正向偏置的降额因子
安全工作区
70
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
20
0
0
20
40
60
80
100
120 140 160
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
5
1000
正向偏置安全工作区
I
D（脉冲）
I
D
- 漏电流 - 一个
PW
10
0
100
d
ITE V）
林10
)
on
=
S(
S
R
D
V
G
I
D（ DC）的
@
(
=
10
s
30
0
s
Po
we
r
10
Di
ss
IPA
TIO
n
m
s
3
m
s
10
m
s
1
s
LIM
ITE
d
DC
1
0.1
T
C
= 25C
单脉冲
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 2.5℃ / W
1
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - 秒
数据表D14640EJ2V0DS
5
SMD型
产品speci fi cation
2SK3424
特点
4.5 -V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 1.5m
低栅电荷
Q
G
= 34 NC TYP 。 （我
D
= 48 A，V
DD
= 24V, V
GS
= 10 V)
+0.2
5.28
-0.2
+0.1
1.27
-0.1
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
单位：mm
+0.2
8.7
-0.2
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
30
20
48
192
50
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
D
= 48A ，V
DD
=24V, V
GS
= 10 V
I
D
=24A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=15V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=24A
V
GS
=10V,I
D
=24A
V
GS
=4.5V,I
D
=24A
1.5
13
7.7
10.5
1900
580
270
14
13
61
22
34
6.4
9.1
11.5
17.0
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
5.60
1门
2漏
3源
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A)
4008-318-123
1 1
查看更多2SK3424PDF信息
推荐型号
204-10SUBC/C470/S400-A6
2SD2191
20017WS-07A00
222J25PP481R
20616L
2SK1659
2SC2620B
27C512A-10I/SO
2SA1359Y
2SC2518K
20020107-C071A01LF
2SC4863
2N5088_07
20017WR-07A00
24LCS52T-/MSG
2SC1622
2-321045-1
2SB1197KT146R
25556
22-28-1365
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3424
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
2SK3424
NEC
2019+
2000
TO-263
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市春涛电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ：570120875 复制
电话：0755-82563615 82563213
联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
2SK3424
NEC
2425+
12280
TO-3P
进口原装!优势现货!
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
2SK3424
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