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2SK3398
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3398
开关稳压器和DC- DC转换器应用
电机驱动应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.4毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 9.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 500 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
500
±30
12
48
100
364
12
10
150
55
to150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-97
2-9F1B
重量0.74克(典型值)。
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.25
单位
° C / W
电路CON组fi guration
4
1
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
5.85 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
12 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
3
1
2006-11-06
2SK3398
电气特性(Ta
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
10 A
& LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DD
200 V
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
6 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
500 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
6 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
6 A
±30
500
2.0
4.0
典型值。
0.4
9.0
2040
200
630
22
58
36
180
45
25
20
最大
±10
100
4.0
0.52
ns
nC
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
R
L
=
33
Ω
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
12 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
12 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
1200
16
最大
12
48
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
产品型号(或缩写代码)
K3398
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-06
2SK3398
I
D
– V
DS
12
常见
来源
10锝
=
25°C
脉冲测试
24
10
15
6
5.2
5
20
10
15
6.0
I
D
– V
DS
常见的来源
5.5
5.75
16
5.2
12
5.0
4.75
4.5
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
4.75
6
4
4.5
漏电流I
D
(A)
8
2
4.25
VGS
=
4 V
4
VGS
=
4.0 V
10
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
2
4
6
8
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
24
常见的来源
脉冲测试
VDS
=
20 V
12
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
V
DS
(V)
漏源电压
20
10
16
8
12
6
ID
=
12 A
8
100
4
25
Tc
= 55°C
4
6
2
3
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
4
8
12
16
20
24
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
I
D
(S)
30
常见的来源
10脉冲测试
5
3
VDS
=
20 V
10
常见的来源
5 TC
=
25°C
脉冲测试
3
R
DS ( ON)
I
D
正向转移导纳
Y
fs
100
25
漏源导通电阻
Tc
= 55°C
R
DS ( ON)
(Ω)
1
0.5
0.3
VGS
=
10, 15 V
0.1
0.1
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
30
0.3 0.5
1
3
5
10
30
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-06
2SK3398
R
DS ( ON)
Tc
(Ω)
2.5
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
100
常见的来源
Tc
=
25°C
30脉冲测试
I
DR
V
DS
漏源电阻R
DS ( ON)
2.0
反向漏电流I
DR
(A)
ID
=
12 A
10
1.5
3
10
5
3
1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.0
3
0.5
6
1
0.3
VGS
=
1 V
0
80
40
0
40
80
160
0.1
0
0.2
0.4
外壳温度
TC ( ℃)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
5000
3000
5
西塞
V
th
Tc
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
V
th
(V)
栅极阈值电压
4
(PF )
1000
500
300
科斯
100
50
30
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
0.3 0.5
1
3
5
10
CRSS
电容C
3
2
1
10
0.1
30 50
100
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度( ° C)
P
D
Tc
50
600
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
=
12 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
VDD
=
80 V
300
400
200
8
200
12
24
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
40
500
20
400
16
20
10
漏源电压
100
VGS
6
0
0
40
80
120
160
200
0
0
10
20
30
40
50
0
60
外壳温度
TC ( ℃)
总栅极电荷Q
g
( NC )
4
2006-11-06
栅源电压
30
V
GS
(V)
2SK3398
r
th
t
w
3
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
1
=
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
单脉冲
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.25°C/W
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
0.1
0.01
0.003
10
μ
脉冲宽度
t
w
(S)
安全工作区
100
50
30
ID MAX(连续)
10
ID MAX(脉冲)
*
500
E
AS
– T
ch
雪崩能量E
AS
(兆焦耳)
100
μs
*
400
漏电流I
D
(A)
5
3
1毫秒
*
300
200
1
0.5
0.3
直流操作
Tc
=
25°C
100
0
25
0.1
0.05
*:
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
0.03曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.01
10
1
VDSS最大
100
1000
50
75
100
125
150
通道温度(初始)总胆固醇( ° C)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V,L
=
4.3 mH的
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2006-11-06
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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