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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第94页 > 2SK3391
2SK3391
硅N沟道MOS FET
UHF功率放大器
REJ03G0209-0200Z
(上ADE - 208-847 ( Z) )
Rev.2.00
Apr.14.2004
特点
高输出功率,高增益,高效率
PG = 18 dB时,噘= 1.6 W,
ηadd
= 58 %以上。 ( F = 836兆赫)
可表面贴装的小型封装
概要
UPAK
D
3
1
G
3
2
1
4
2,4
S
1.门
2.源
3.排水
4.源
注意:
标记为“剑侠情缘” 。
此设备是静电放电敏感。适当的处理程序要求。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
& LT ;
1秒,总胆固醇
& LT ;
150°C
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
17
±10
0.3
0.75
5
150
-45至+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00 , Apr.14.2004 ,第1页4
2SK3391
电气特性
( TA = 25°C )
零栅压漏
当前
门源漏电流
门源截止电压
输入电容
输出电容
输出功率
附加效率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
西塞
科斯
ηadd
2.3
1.6
58
典型值
10
3.5
最大
10
±5
3.1
单位
A
A
V
pF
pF
W
%
测试条件
V
DS
= 13.7 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±10 V, V
DS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 13.7 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0中,f = 1 MHz的
V
DS
= 13.7 V, V
GS
= 0中,f = 1 MHz的
V
DS
= 13.7 V,I
DO
= 0.15 A
F = 836 MHz时,引脚= 25.1毫瓦
V
DS
= 13.7 V,I
DO
= 0.15 A
F = 836 MHz时,引脚= 25.1毫瓦
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
1.5
10 V
8V
7V
P沟(W)的
8
6
信道功率耗散
(A)
I
D
1
6V
4
漏电流
0.5
5V
V
GS
= 4 V
脉冲测试
2
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
0
外壳温度
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
10
(V)
典型的传输特性
0.8
TC = 75℃
25°C
- 25°C
1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
0.3
0.1
TC = - 25℃
(A)
0.6
I
D
25°C
漏电流
0.4
0.03
75°C
0.01
0.2
V
DS
= 13.7 V
脉冲测试
0.0
2
3
4
5
栅极至源极电压
6
V
GS
7
(V)
0.003
0.001
0.001 0.003
V
DS
= 13.7 V
脉冲测试
0.01 0.03
0.1
0.3
1
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 , Apr.14.2004 , 4个2页
2SK3391
漏极至源极饱和电压与
漏电流
门源截止电压
V
GS ( OFF )
(V)
漏极至源极饱和电压
V
DS ( SAT )
(V)
门源截止电压主场迎战
环境温度
3.6
1
0.3
0.1
25°C
0.03
0.01
75°C
3.2
10毫安
2.8
1毫安
2.4
I
D
= 0.
1毫安
TC = - 25℃
V
GS
= 10 V
脉冲测试
10
0.003
2.0
V
DS
= 13.7 V
1.6
- 25
0
25
50
75
100
的Ta (℃)
125
0.001
0.01 0.03 0.1 0.3
1
3
漏电流I
D
(A)
输入电容与
栅极至源极电压
10.5
环境温度
输出电容与
漏源极电压
100
输出电容科斯(PF )
输入电容西塞(PF )
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
30
10
9.5
10
9
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
8.5
-10
-6
-2
2
6
10
(V)
3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
(V)
栅极至源极电压V
GS
漏极至源极电压V
DS
反向传输电容的Crss (PF )
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
10
额定功率Pout (W)的
2.5
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
输出功率附加效率与
输入功率
100
ηadd
(%)
附加效率
3
2
ηadd
80
1.5
60
1
0.3
1
V
DS
= 13.7 V
I
DO
= 0.15 A
F = 836 MHz的
0
50
100
150
200
40
0.5
20
0.1
0.1
0
0.3
1
3
10
30
250
漏极至栅极电压V
DG
(V)
输入功率Pin (MW )
0
Rev.2.00 , Apr.14.2004 , 4 3页
2SK3391
包装尺寸
截至, 2003年1月
单位:mm
4.5 ± 0.1
1.5 1.5
3.0
0.8分钟
0.44最大
封装代码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
(0.4)
0.53最大
0.48最大
(2.5)
φ
1
2.5 ± 0.1
4.25最大
0.4
1.8最大
1.5 ± 0.1
0.44最大
(1.5)
UPAK
符合
0.050 g
订购信息
部件名称
2SK3391JX
QUANTITY
1000
中海集装箱
TAPING
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 , Apr.14.2004 , 4 4页
(0.2)
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有可能的麻烦
他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的措施,如替代,辅助(一)配售
电路,(二)利用针对任何故障或事故不可燃材料,或(iii )预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于瑞萨科技公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利,或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责,始发,
图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息
公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失,这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的部分或全部信息,请您务必
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担
对于任何损害,责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活
是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的,诸如装置或系统的交通,车辆,医疗,航空航天,核,或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司。
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585 100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585 900
瑞萨科技欧洲公司
Dornacher海峡。 3 , D- 85622克恩,德国
联系电话: <49> ( 89 ) 380 70 0传真: <49> ( 89 ) 929 30 11
瑞萨科技
(香港)有限公司
7 / F。 ,北塔,世界金融中心,海港城,广东道,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2375-6836
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
FL 10 , # 99 ,福星北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 2713年至2999年
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
26 / F。 ,瑞金大厦,茂名205路( S) ,上海200020 ,中国
联系电话: <86> ( 21 ) 6472-1001 ,传真: <86> ( 21 ) 6415-2952
瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1 ,港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
http://www.renesas.com
2004年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记.1.0
2SK3391
硅N沟道MOS FET
UHF功率放大器
REJ03G0209-0200Z
(上ADE - 208-847 ( Z) )
Rev.2.00
Apr.14.2004
特点
高输出功率,高增益,高效率
PG = 18 dB时,噘= 1.6 W,
ηadd
= 58 %以上。 ( F = 836兆赫)
可表面贴装的小型封装
概要
UPAK
D
3
1
G
3
2
1
4
2,4
S
1.门
2.源
3.排水
4.源
注意:
标记为“剑侠情缘” 。
此设备是静电放电敏感。适当的处理程序要求。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
& LT ;
1秒,总胆固醇
& LT ;
150°C
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
17
±10
0.3
0.75
5
150
-45至+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00 , Apr.14.2004 ,第1页4
2SK3391
电气特性
( TA = 25°C )
零栅压漏
当前
门源漏电流
门源截止电压
输入电容
输出电容
输出功率
附加效率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
西塞
科斯
ηadd
2.3
1.6
58
典型值
10
3.5
最大
10
±5
3.1
单位
A
A
V
pF
pF
W
%
测试条件
V
DS
= 13.7 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±10 V, V
DS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 13.7 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0中,f = 1 MHz的
V
DS
= 13.7 V, V
GS
= 0中,f = 1 MHz的
V
DS
= 13.7 V,I
DO
= 0.15 A
F = 836 MHz时,引脚= 25.1毫瓦
V
DS
= 13.7 V,I
DO
= 0.15 A
F = 836 MHz时,引脚= 25.1毫瓦
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
1.5
10 V
8V
7V
P沟(W)的
8
6
信道功率耗散
(A)
I
D
1
6V
4
漏电流
0.5
5V
V
GS
= 4 V
脉冲测试
2
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
0
外壳温度
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
10
(V)
典型的传输特性
0.8
TC = 75℃
25°C
- 25°C
1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
0.3
0.1
TC = - 25℃
(A)
0.6
I
D
25°C
漏电流
0.4
0.03
75°C
0.01
0.2
V
DS
= 13.7 V
脉冲测试
0.0
2
3
4
5
栅极至源极电压
6
V
GS
7
(V)
0.003
0.001
0.001 0.003
V
DS
= 13.7 V
脉冲测试
0.01 0.03
0.1
0.3
1
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 , Apr.14.2004 , 4个2页
2SK3391
漏极至源极饱和电压与
漏电流
门源截止电压
V
GS ( OFF )
(V)
漏极至源极饱和电压
V
DS ( SAT )
(V)
门源截止电压主场迎战
环境温度
3.6
1
0.3
0.1
25°C
0.03
0.01
75°C
3.2
10毫安
2.8
1毫安
2.4
I
D
= 0.
1毫安
TC = - 25℃
V
GS
= 10 V
脉冲测试
10
0.003
2.0
V
DS
= 13.7 V
1.6
- 25
0
25
50
75
100
的Ta (℃)
125
0.001
0.01 0.03 0.1 0.3
1
3
漏电流I
D
(A)
输入电容与
栅极至源极电压
10.5
环境温度
输出电容与
漏源极电压
100
输出电容科斯(PF )
输入电容西塞(PF )
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
30
10
9.5
10
9
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
8.5
-10
-6
-2
2
6
10
(V)
3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
(V)
栅极至源极电压V
GS
漏极至源极电压V
DS
反向传输电容的Crss (PF )
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
10
额定功率Pout (W)的
2.5
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
输出功率附加效率与
输入功率
100
ηadd
(%)
附加效率
3
2
ηadd
80
1.5
60
1
0.3
1
V
DS
= 13.7 V
I
DO
= 0.15 A
F = 836 MHz的
0
50
100
150
200
40
0.5
20
0.1
0.1
0
0.3
1
3
10
30
250
漏极至栅极电压V
DG
(V)
输入功率Pin (MW )
0
Rev.2.00 , Apr.14.2004 , 4 3页
2SK3391
包装尺寸
截至, 2003年1月
单位:mm
4.5 ± 0.1
1.5 1.5
3.0
0.8分钟
0.44最大
封装代码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
(0.4)
0.53最大
0.48最大
(2.5)
φ
1
2.5 ± 0.1
4.25最大
0.4
1.8最大
1.5 ± 0.1
0.44最大
(1.5)
UPAK
符合
0.050 g
订购信息
部件名称
2SK3391JX
QUANTITY
1000
中海集装箱
TAPING
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 , Apr.14.2004 , 4 4页
(0.2)
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有可能的麻烦
他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的措施,如替代,辅助(一)配售
电路,(二)利用针对任何故障或事故不可燃材料,或(iii )预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于瑞萨科技公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利,或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责,始发,
图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息
公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失,这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的部分或全部信息,请您务必
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担
对于任何损害,责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活
是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的,诸如装置或系统的交通,车辆,医疗,航空航天,核,或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司。
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585 100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585 900
瑞萨科技欧洲公司
Dornacher海峡。 3 , D- 85622克恩,德国
联系电话: <49> ( 89 ) 380 70 0传真: <49> ( 89 ) 929 30 11
瑞萨科技
(香港)有限公司
7 / F。 ,北塔,世界金融中心,海港城,广东道,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2375-6836
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
FL 10 , # 99 ,福星北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 2713年至2999年
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
26 / F。 ,瑞金大厦,茂名205路( S) ,上海200020 ,中国
联系电话: <86> ( 21 ) 6472-1001 ,传真: <86> ( 21 ) 6415-2952
瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1 ,港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
http://www.renesas.com
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