添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第494页 > 2SK3387_06
2SK3387
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(L
2
-π - MOSV )
2SK3387
开关稳压器, DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 -V栅极驱动
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.08
Ω (典型值)。
高正向转移导纳:
Y
fs
= 17 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 150 V)
增强型: V
th
= 0.8~2.0 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
脉冲(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
150
150
±20
18
54
100
176
18
10
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-97
2-9F1B
重量0.74克(典型值)。
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.25
单位
° C / W
注意:
请使用S1引脚输入门
信号的回报。确保
主电流流入S2的销。
4
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
800
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
18 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2
3
1
2006-11-20
2SK3387
记号
产品型号(或缩写代码)
K3387
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
电气特性
(注4 ) (大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
120 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
18 A
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS1
0V
4.7
Ω
G
S
1
R
L
=
11
Ω
S
2
I
D
=
9 A
V
OUT
D
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
150 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
4 V,I
D
=
9 A
V
GS
=
10 V,I
D
=
9 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
9 A
150
0.8
10
典型值。
0.09
0.08
17
1380
200
610
12
20
12
68
57
43
14
最大
±10
100
2.0
0.18
0.12
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
V
DD
100 V
ns
nC
nC
nC
& LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
注4 :将S1和S2引脚连接在一起,并且接地他们除了切换时间的测量过程中。
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(注5 ) (大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1,5)
(注1,5)
(注1,5)
(注1,5)
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
18 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
18 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
185
1.3
最大
18
54
1
4
1.7
单位
A
A
A
A
V
ns
μC
注5 :我
DR
1, I
DRP
1 :电流在漏极和S2的销之间流动。确保S1引脚悬空。
I
DR
2, I
DRP
2:电流在漏极和S1的管脚之间流动。确保S2引脚悬空。
除非另有说明,连接S1和S2引脚连接在一起,并研磨他们
2
2006-11-20
2SK3387
I
D
– V
DS
20
8
16
10
6
4
3.8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3.5
12
3.2
8
VGS
=
3 V
4
50
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
I
D
– V
DS
10
6
5
4.5
40
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
30
4
20
3.5
10
3
VGS
=
2.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
30
常见的来源
4
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3
漏电流I
D
(A)
脉冲测试
20
漏源电压
V
DS
(V)
VDS
=
10 V
2
ID
=
18 A
Tc
= 55°C
10
25
100
1
9
3
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
(S)
50
30
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
100
10
1000
Tc
= 55°C
500
300
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
25
100
50
30
4
VGS
=
10 V
5
3
1
1
3
5
10
30
50
100
10
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
30
50
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-20
2SK3387
R
DS ( ON)
TC =
200
常见的来源
160
ID
=
18 A
120
9
4.5
脉冲测试
100
常见的来源
50
30
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
反向漏电流I
DR
(A)
10
10
5
3
3
5
1
VGS
=
0,
1
V
80
40
VGS
=
10 V
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
5000
3000
西塞
4
常见的来源
VDS
=
10 V
3
ID
=
1毫安
脉冲测试
V
th
TC =
(PF )
1000
500
300
科斯
栅极阈值电压
电容C
V
th
(V)
2
100
常见的来源
50 VGS
=
0 V
30 f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
CRSS
1
30 50
100
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度
(°C)
P
D
TC =
150
160
动态输入/输出特性
16
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
120
30
VDS
80
60
VDD
=
120 V
常见的来源
ID
=
18 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
12
100
漏源电压
8
50
40
VGS
4
0
0
40
80
120
160
0
0
20
40
60
0
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
( NC )
4
2006-11-20
栅源电压
V
GS
(V)
2SK3387
r
th
– t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
1
0.5
0.2
PDM
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
单脉冲
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.25°C/W
1
10
脉冲宽度
t
w
(S)
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
50
200
E
AS
– T
ch
雪崩能量EAS (兆焦耳)
100
μs
*
30号最高
(连续)
*
1毫秒
*
160
(A)
10
5
3
直流操作
Tc
=
25°C
120
漏极电流ID
80
40
1
0.5
0.3
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
1
3
10
30
VDSS最大
100
300
0
25
50
75
100
125
150
通道温度(初始)总胆固醇( ° C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
50 V,L
=
0.8 mH的
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2006-11-20
查看更多2SK3387_06PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3387_06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多2SK3387_06供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!