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2SK3374
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3374
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 4.0
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
= 0.8秒（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100 μA（最大值） （Ⅴ
DS
= 450 V)
增强型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
1
2
1.3
122
1
0.13
150
55
to150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-8M1B
重量0.54克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至环境
符号
R
第（章-a）的
最大
96.1
单位
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
203毫亨，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
1 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-06
2SK3374
电气特性（Ta
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
0.5 A
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
450 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
0.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
0.5 A
民
±30
450
2.0
0.3
V
OUT
10
Ω
R
L
=
400
Ω
V
DD
200 V
V
DD
360 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
1 A
70
5
3
2
nC
30
15
ns
典型值。
3.7
0.7
180
2
20
7
最大
±10
100
4.0
4.6
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
V
GS
开启时间
开关时间
下降时间
t
f
t
on
10 V
0V
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
1 ，V
GS
=
0 V
I
DR
=
1 ，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
350
1.3
最大
1
2
1.7
单位
A
A
V
ns
nC
记号
K3374
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-06
2SK3374
I
D
V
DS
1.0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.0
10
8.0
5.75
6.0
5.5
1.6
10
8.0
I
D
V
DS
6.25
6.0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.8
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
0.6
5.25
1.2
5.75
0.4
5.0
4.75
0.8
5.5
5.25
0.2
VGS
=
4.5 V
0.4
5.0
VGS
=
4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
V
GS
2.0
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
20
V
DS
V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
1.6
V
DS
(V)
漏源电压
100
16
漏电流I
D
(A)
1.2
12
0.8
8
ID
=
1 A
0.25
0
0.5
0.4
25
Ta
= 55°C
4
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
I
D
(S)
5
常见的来源
3 VDS
=
20 V
脉冲测试
1
0.5
0.3
Ta
= 55°C
100
50
常见的来源
R
DS （ ON）
I
D
30的Ta
=
25°C
脉冲测试
正向转移导纳
Y
fs
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
25
10
0.1
0.05
0.03
5
3
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
1
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-06
2SK3374
RDS （ ON）
Ta
(Ω)
16
常见的来源
脉冲测试
12
0.5
10
常见的来源
Ta
=
25°C
3脉冲测试
IDR
VDS
漏源电阻R
DS （ ON）
反向漏电流I
DR
(A)
VGS
=
10 V
1
ID
=
1A
8
0.25
0.3
0.1
10
3
4
0.03
1
VGS
=
0,
1
V
0.6
0.8
1.0
1.2
0
80
40
0
40
80
160
0.01
0
0.2
0.4
环境温度
的Ta （℃）
漏源电压
V
DS
(V)
电容
VDS
500
300
5
V
th
Ta
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
V
th
(V)
栅极阈值电压
西塞
4
（PF ）
电容C
100
50
30
科斯
10
5
3
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
0.3 0.5
1
3
5
10
3
2
1
CRSS
30 50
100
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0.1
漏源电压
V
DS
(V)
环境温度Ta （C ）
P
D
Ta
2.0
500
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
=
1 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
VDS
90
300
VDS
=
360 V
200
8
12
180
20
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
1.6
400
16
漏源电压
0.8
0.4
100
VGS
4
0
0
40
80
120
160
200
0
0
2
4
6
8
0
10
环境温度
的Ta （℃）
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2006-11-06
栅源电压
1.2
V
GS
(V)
2SK3374
r
th
t
w
3
归瞬态热阻抗
第r （t）的/ Rth的（声道-a）的
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.003
0.001
0.0005
10
μ
税
=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
PDM
t
T
税
=
t/T
RTH （ CH -A ）
=
96.1°C/W
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
脉冲宽度
t
w
(S)
安全工作区
10
150
E
AS
T
ch
雪崩能量E
AS
（兆焦耳）
ID MAX（脉冲）
*
1
ID MAX（连续）
100
μs
*
120
漏电流I
D
(A)
1毫秒
*
90
0.1
直流操作
Ta
=
25°C
0.01
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
10
60
30
0.001
0.1
VDSS最大
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
通道温度（初始）总胆固醇（ ° C）
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
203毫亨
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDSS
VDD
5
2006-11-06
查看更多2SK3374_06PDF信息
推荐型号
2-321519-2
259002
212S48
26-61-2170
2SC2872S
22-28-8222
243503
2N6071AG
24AA32AX-E/P
27C128-25E/K
27C64AA20N
273J04PP580R
29472C
22-28-1050
2623
2PB709ART
2SC5242RTU
2SC5862
284539-2
2SB0766AR
供货商
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批号
数量
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3374_06
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