添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第312页 > 2SK3367
数据表
MOS场效应
2SK3367
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3367是N沟道MOS场效应晶体管设计用于笔记本电脑的DC / DC转换器应用
计算机。
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 9.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A)
R
DS(on)2
= 12.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 18 A)
R
DS(on)3
= 14.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 18 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2800 pF的典型。
内置栅极保护二极管
订购信息
产品型号
2SK3367
2SK3367-Z
包
TO-251
TO-252
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±36
±144
40
1.0
150
-55到+ 150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
总功率耗散（T
C
= 25 °C)
总功率耗散（T
A
= 25 °C)
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
3.13
125
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D14257EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年10月NS CP （ K）
日本印刷
1999
2SK3367
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
I
F
= 36 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 36 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
I
D
= 36 A，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A，V
GS （ ON）
= 10 V, V
DD
= 15 V,
R
G
= 10
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 18 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 18 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 18 A
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
2800
880
400
75
1130
165
210
49
10
14
0.95
45
50
1.5
13
分钟。
典型值。
7.3
9.0
9.7
2.0
26
10
±10
马克斯。
9.0
12.0
14.0
2.5
单位
m
m
m
V
S
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
90 %
90 %
I
D
PG 。
R
G
R
G
= 10
0
I
D
10 %
V
GS （上）
90 %
R
L
V
DD
V
DD
50
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比
≤
1 %
D
电波表
I
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
2
数据表D14257EJ1V0DS00
2SK3367
典型特征（T
A
= 25 °C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
70
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 -
C
T
C
- 外壳温度 -
C
正向偏置安全工作区
1000
200
160
漏电流与
漏源极电压
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
100
it
)
林0 V
n)
(o
=1
DS
GS
诉
t
(a
I
D（ DC）的
=36 A
ed
I
D（脉冲）
= 144 A
=
10
I
D
- 漏电流 - 一个
PW
V
GS
=10 V
4.5 V
0
1
s
m
120
s
10
10
Po
m
we
100
s
m
rD
国际空间站
s
ip
at
io
n
80
4.0 V
40
Li
m
ITE
d
1
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
2
V
DS -
漏源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
1000
脉冲
100
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
0.1
0.01
T
A
= 150C
125C
75C
25C
25C
40C
0.001
0.0001
0
V
DS
= 10 V
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
数据表D14257EJ1V0DS00
3
2SK3367
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 125
° C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
= 3.13
° C / W
1
0.1
0.01
0.001
10
T
C
= 25C
单脉冲
100
1m
10m
100m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
40
脉冲
30
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001 0.001 0.01
V
DS
= 10 V
脉冲
0.1
1
10
100
1000
T
ch
=
40C
25C
25C
75C
125C
150C
20
10
I
D
= 18 A
0
5
10
15
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
30
门源截止电压主场迎战
通道温度
4
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
脉冲
V
GS
= 4.0 V
20
4.5 V
3
2
10
10 V
1
0
0
1
10
100
1000
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 -
C
4
数据表D14257EJ1V0DS00
2SK3367
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
50
0
50
100
I
D
= 10 A
150
4.5 V
10 V
V
GS
= 4.0 V
源极到漏极二极管的正向电压
1000
V
GS
= 10 V
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
4.5 V
0V
100
10
1
0.1
0.01
0
脉冲
1.4 1.6
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
ch
- 通道温度 -
C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
10000
V
DD
= 15 V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
t
r
t
f
t
D（关闭）
1000
1000
C
OSS
C
RSS
100
0.1
100
t
D（上）
10
1
10
100
1
0.01
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1
0.1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
30
V
DD
= 24 V
15 V
6V
V
GS
10
V
DS
0
20
40
60
12
10
8
6
4
2
80
0
100
20
10
1
0.1
1
10
100
I
F
- 二极管电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
40
I
D
= 36 A
14
数据表D14257EJ1V0DS00
5
SMD型
MOS场效应
2SK3367
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
IC
MOSFET
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 9.0 m
R
DS(on)2
= 12.0 m
R
DS(on)3
= 14.0 m
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A)
+0.2
9.70
-0.2
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
MAX 。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 18 A)
2.3
4.60
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
MAX 。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 18 A)
0.127
最大
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2800 pF的典型。
内置栅极保护二极管
+0.1
0.60
-0.1
+0.15
-0.15
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
30
20
36
144
40
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS(on)1
漏极至源极导通电阻
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
D
= 36 A，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V
I
D
=18A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=15V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=18A
V
GS
=10V,I
D
=18A
V
GS
=4.5V,I
D
=18A
V
GS
=4.0V,I
D
=18A
1.5
13
2.0
26
7.3
9.0
9.7
2800
880
400
75
1130
165
210
49
10
14
9.0
12.0
14.0
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
SMD型
IC
晶体管
产品speci fi cation
2SK3367
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 9.0 m
R
DS(on)2
= 12.0 m
R
DS(on)3
= 14.0 m
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A)
+0.2
9.70
-0.2
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
MAX 。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 18 A)
2.3
4.60
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
MAX 。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 18 A)
0.127
最大
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2800 pF的典型。
内置栅极保护二极管
+0.1
0.60
-0.1
+0.15
-0.15
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
30
20
36
144
40
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS(on)1
漏极至源极导通电阻
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
D
= 36 A，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V
I
D
=18A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=15V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=18A
V
GS
=10V,I
D
=18A
V
GS
=4.5V,I
D
=18A
V
GS
=4.0V,I
D
=18A
1.5
13
2.0
26
7.3
9.0
9.7
2800
880
400
75
1130
165
210
49
10
14
9.0
12.0
14.0
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3
.8
0
4008-318-123
1 1
查看更多2SK3367PDF信息
推荐型号
22-11-2122
20W-1A12D0
2SK3547
2A43
253A104B50NA
2789
26PCKSG5G
253B503A50NA
208-4212LPTN
25LC640T-E/P
2SC2657
2W005THRU2W10
24FC64-I/SM
25045HP-10000
2SC4249
268.6
292B-09
20KP28A
25LC080AT-I/PG
22-28-3150
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3367
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市春涛电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ：570120875 复制
电话：0755-82563615 82563213
联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
2SK3367
NEC
2425+
7027
TO-220F
进口原装!优势现货!
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SK3367
NEC
2443+
23000
TO-251
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
2SK3367
VB
25+23+
35500
TO-251
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SK3367
VBSEMI/台湾微碧
2024
20918
TO-251
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3367
NEC
2418+
39482
MP-3TO-251
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SK3367
日本NEC
2024
30882
TO-251
原装现货上海库存！专营进口元件
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK3367
NEC
21+
15360
TO-251
全新原装正品/质量有保证
深圳市百域芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004264855 复制

电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
2SK3367
RENESAS/瑞萨
21+
100000
TO251
深圳市成源运利电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ：3003494136 复制

电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
2SK3367
R
23+
16300
TO-251
全新进口原装现货 特价热卖
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SK3367
VBSEMI/台湾微碧
21+
8000
TO-251
全新原装正品/质量有保证
查询更多2SK3367供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！