2SK3341-01
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
富士功率MOS场效应管
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR * 2
E
AV * 1
P
D
T
ch
T
英镑
等级
900
±10
±40
±30
10
648
310
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
＆ LT ;
* 2总胆固醇= 150℃
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 11.9mH ， VCC = 90V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
格特 - 漏极间电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=900V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 5A V
GS
=10V
I
D
= 5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 600V我
D
=10A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Vcc=450V
I
D
=10A
V
GS
=10V
L = 11.9mH牛逼
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
900
2.5
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
3.0
3.5
10
500
0.2
1.0
10
100
0.92
1.2
3.5
7
2200
3300
240
360
115
173
28
42
70
105
220
330
90
135
120
180
36
54
40
60
10
1.00
1.50
1.8
21.0
ns
nC
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.403
50.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3341-01
特征
400
FUJI功率MOSFET
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
安全工作区
ID = F （ VDS ） ：单脉冲， TC = 25℃
10
2
350
t=
1
s
10
s
10
1
300
250
特区
100
s
PD [ W]
200
ID [ A]
1ms
150
10
100
t
D=
t
T
0
10ms
100ms
50
T
0
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
10
1
10
2
10
3
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
22
20
18
20V
16
14
10V
7V
6.5V
10
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
ID [ A]
12
10
8
6
4
VGS=4.5V
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
VDS [V]的
5.0V
ID [ A]
6.0V
1
5.5V
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
3.0
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS =
4.5V
2.5
5.0V
5.5V
6.0V
10
2.0
RDS （上）
]
6.5V
1.5
7V
10V
20V
1.0
GFS [S]
1
0.5
0.1
0.0
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3341-01
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 5A ， VGS = 10V
4.0
5.0
4.5
3.5
4.0
3.0
3.5
2.5
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
马克斯。
VGS （ TH） [V]
3.0
2.5
2.0
典型值。
RDS （上）
]
2.0
1.5
马克斯。
1.0
典型值。
分钟。
1.5
1.0
0.5
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
TCH [° C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 10A ，总胆固醇= 25°C
25
10
-7
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
20
10
-8
15
VCC = 180V
450V
720V
西塞
VGS电压[V]的
C [ F]
10
-9
10
科斯
10
5
-10
CRSS
0
0
50
100
150
200
250
10
-11
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [C]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 600V ， VGS = 10V ， RG = 10
TD （关闭）
10
IF [ A]
T [ NS ]
10
2
tf
1
tr
TD （上）
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
10
1
10
-1
10
0
10
1
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3341-01
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 90V ， I（ AV） < = 10A
800
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F（ t）的参数：D = T / T
10
0
700
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
600
10
第i （ CH-C ） 〔 K / W〕
-1
500
EAV [兆焦耳]
400
0.01
0
t
D=
T
t
T
300
200
10
-5
10
100
-3
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T [ S]
0
0
25
50
75
100
125
150
开始总胆固醇[
°
C]
4
2SK3341-01
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
富士功率MOS场效应管
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR * 2
E
AV * 1
P
D
T
ch
T
英镑
等级
900
±10
±40
±30
10
648
310
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
＆ LT ;
* 2总胆固醇= 150℃
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 11.9mH ， VCC = 90V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
格特 - 漏极间电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=900V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 5A V
GS
=10V
I
D
= 5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 600V我
D
=10A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Vcc=450V
I
D
=10A
V
GS
=10V
L = 11.9mH牛逼
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
900
2.5
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
3.0
3.5
10
500
0.2
1.0
10
100
0.92
1.2
3.5
7
2200
3300
240
360
115
173
28
42
70
105
220
330
90
135
120
180
36
54
40
60
10
1.00
1.50
1.8
21.0
ns
nC
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.403
50.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3341-01
特征
400
FUJI功率MOSFET
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
安全工作区
ID = F （ VDS ） ：单脉冲， TC = 25℃
10
2
350
t=
1
s
10
s
10
1
300
250
特区
100
s
PD [ W]
200
ID [ A]
1ms
150
10
100
t
D=
t
T
0
10ms
100ms
50
T
0
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
10
1
10
2
10
3
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
22
20
18
20V
16
14
10V
7V
6.5V
10
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
ID [ A]
12
10
8
6
4
VGS=4.5V
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
VDS [V]的
5.0V
ID [ A]
6.0V
1
5.5V
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
3.0
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS =
4.5V
2.5
5.0V
5.5V
6.0V
10
2.0
RDS （上）
]
6.5V
1.5
7V
10V
20V
1.0
GFS [S]
1
0.5
0.1
0.0
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3341-01
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 5A ， VGS = 10V
4.0
5.0
4.5
3.5
4.0
3.0
3.5
2.5
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
马克斯。
VGS （ TH） [V]
3.0
2.5
2.0
典型值。
RDS （上）
]
2.0
1.5
马克斯。
1.0
典型值。
分钟。
1.5
1.0
0.5
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
TCH [° C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 10A ，总胆固醇= 25°C
25
10
-7
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
20
10
-8
15
VCC = 180V
450V
720V
西塞
VGS电压[V]的
C [ F]
10
-9
10
科斯
10
5
-10
CRSS
0
0
50
100
150
200
250
10
-11
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [C]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 600V ， VGS = 10V ， RG = 10
TD （关闭）
10
IF [ A]
T [ NS ]
10
2
tf
1
tr
TD （上）
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
10
1
10
-1
10
0
10
1
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3341-01
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 90V ， I（ AV） < = 10A
800
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F（ t）的参数：D = T / T
10
0
700
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
600
10
第i （ CH-C ） 〔 K / W〕
-1
500
EAV [兆焦耳]
400
0.01
0
t
D=
T
t
T
300
200
10
-5
10
100
-3
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T [ S]
0
0
25
50
75
100
125
150
开始总胆固醇[
°
C]
4
QQ：2880707522 复制
