2SK3338-01
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
富士功率MOS场效应管
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR * 2
E
AV * 1
P
D
T
ch
T
英镑
等级
500
±20
±80
±30
20
775
340
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
＆ LT ;
* 2总胆固醇= 150℃
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 3.56mH ， VCC = 50V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
格特 - 漏极间电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 10A V
GS
=10V
I
D
= 10A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=20A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Vcc=250V
I
D
=20A
V
GS
=10V
L = 3.56 mH的牛逼
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
500
2.5
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
9
3.0
3.5
10
500
0.2
1.0
10
100
0.21
0.27
18
3350
5025
480
720
200
300
27
40
100
150
250
375
100
150
155
235
38
60
50
75
1.1
600
11.0
1.65
ns
nC
20
A
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.368
50.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3338-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
400
FUJI功率MOSFET
安全工作区
ID = F （ VDS ） ：单脉冲， TC = 25℃
10
300
2
t=
1s
10s
特区
PD [ W]
200
ID [ A]
10
1
100s
1ms
10ms
100
10
0
t
D=
T
t
T
100ms
0
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
锝[° C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
60
15V
50
20V
10V
6.5V
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
6.0V
40
10
ID [ A]
5.5V
30
20
5.0V
ID [ A]
1
0.1
24
10
VGS=4.5V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
0.6
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS=4.5V
0.5
5.0V
5.5V
6.0V
10
0.4
6.5V
10V
RDS （上）
]
GFS [S]
0.3
15V
20V
1
0.2
0.1
0.1
0.1
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3338-01
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 10A ， VGS = 10V
0.8
5.0
4.5
0.7
4.0
0.6
3.5
0.5
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
马克斯。
VGS （ TH） [V]
RDS （上）
]
3.0
2.5
2.0
典型值。
马克斯。
0.4
0.3
1.5
0.2
典型值。
0.1
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
分钟。
0.0
50
75
100
125
150
TCH [° C]
TCH [° C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 20A ，总胆固醇= 25°C
25
10
-7
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
20
10
-8
VCC = 100V
250V
15
400V
西塞
VGS电压[V]的
C [ F]
10
-9
10
科斯
CRSS
10
-10
5
0
0
50
100
150
200
250
300
350
10
-11
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [C]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
4
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
10
10
3
IF [ A]
TD （关闭）
T [ NS ]
tf
1
10
2
tr
TD （上）
1
0.1
0.00
10
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
10
-1
10
0
10
1
10
2
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3338-01
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 20A
1000
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F（ t）的参数：D = T / T
10
0
0.5
800
第i （ CH-C ） 〔 K / W〕
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
600
EAV [兆焦耳]
10
-2
0.01
0
t
D=
T
t
T
400
200
10
-5
10
-3
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T [ S]
0
0
25
50
75
100
125
150
开始总胆固醇[° C]
4
2SK3338-01
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
富士功率MOS场效应管
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR * 2
E
AV * 1
P
D
T
ch
T
英镑
等级
500
±20
±80
±30
20
775
340
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
＆ LT ;
* 2总胆固醇= 150℃
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 3.56mH ， VCC = 50V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
格特 - 漏极间电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 10A V
GS
=10V
I
D
= 10A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=20A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Vcc=250V
I
D
=20A
V
GS
=10V
L = 3.56 mH的牛逼
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
500
2.5
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
9
3.0
3.5
10
500
0.2
1.0
10
100
0.21
0.27
18
3350
5025
480
720
200
300
27
40
100
150
250
375
100
150
155
235
38
60
50
75
1.1
600
11.0
1.65
ns
nC
20
A
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.368
50.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3338-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
400
FUJI功率MOSFET
安全工作区
ID = F （ VDS ） ：单脉冲， TC = 25℃
10
300
2
t=
1s
10s
特区
PD [ W]
200
ID [ A]
10
1
100s
1ms
10ms
100
10
0
t
D=
T
t
T
100ms
0
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
锝[° C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
60
15V
50
20V
10V
6.5V
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
6.0V
40
10
ID [ A]
5.5V
30
20
5.0V
ID [ A]
1
0.1
24
10
VGS=4.5V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
0.6
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS=4.5V
0.5
5.0V
5.5V
6.0V
10
0.4
6.5V
10V
RDS （上）
]
GFS [S]
0.3
15V
20V
1
0.2
0.1
0.1
0.1
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3338-01
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 10A ， VGS = 10V
0.8
5.0
4.5
0.7
4.0
0.6
3.5
0.5
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
马克斯。
VGS （ TH） [V]
RDS （上）
]
3.0
2.5
2.0
典型值。
马克斯。
0.4
0.3
1.5
0.2
典型值。
0.1
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
分钟。
0.0
50
75
100
125
150
TCH [° C]
TCH [° C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 20A ，总胆固醇= 25°C
25
10
-7
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
20
10
-8
VCC = 100V
250V
15
400V
西塞
VGS电压[V]的
C [ F]
10
-9
10
科斯
CRSS
10
-10
5
0
0
50
100
150
200
250
300
350
10
-11
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [C]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
4
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
10
10
3
IF [ A]
TD （关闭）
T [ NS ]
tf
1
10
2
tr
TD （上）
1
0.1
0.00
10
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
10
-1
10
0
10
1
10
2
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3338-01
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 20A
1000
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F（ t）的参数：D = T / T
10
0
0.5
800
第i （ CH-C ） 〔 K / W〕
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
600
EAV [兆焦耳]
10
-2
0.01
0
t
D=
T
t
T
400
200
10
-5
10
-3
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T [ S]
0
0
25
50
75
100
125
150
开始总胆固醇[° C]
4
QQ：2880707522 复制
