数据表
MOS场效应
2SK3322
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3322是N沟道DMOS FET器件那
具有低栅极电荷和出色的开关
特征,并设计用于高电压
应用,如开关电源,交流
适配器。
★
订购信息
产品型号
2SK3322
2SK3322-S
2SK3322-ZJ
2SK3322-ZK
包
TO- 220AB ( MP -25 )
TO-262
TO-263(MP-25ZJ)
TO-263(MP-25ZK)
特点
★
低栅极电荷:
Q
G
= 15 NC TYP 。 (V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 5.5 A)
栅极电压等级:
±30
V
低导通电阻:
R
DS ( ON)
= 2.2
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 2.8 A)
雪崩能力评级
表面贴装封装
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
600
±30
±5.5
±20
1.5
65
150
55
+150
4.0
10.7
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散(T
A
= 25°C)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 150 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
正在提前生产周期为发行本文件所载信息
产品。该参数的产品可能最终生产或NEC电子前更改
公司根据自己的判断,可能会撤回产品前,其生产。
并非所有的产品和/或型号都速效的每一个国家。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D14114EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2003年8月NS CP ( K)
日本印刷
商标
★
表示主要修改点。
1999, 2000