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2SK3320
东芝场效应晶体管
硅N沟道结型
2SK3320
对于低噪声音频放大器应用
在超超级迷你的两个设备( 5引脚)封装
高| Y
fs
|: |Y
fs
| (典型值) = 15毫秒(V
DS
= 10 V, V
GS
= 0)
高击穿电压: V
GDS
=
50
V
超低噪音: NF = 1.0分贝(典型值)。
(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.5毫安, F = 1千赫,R
G
= 1 k)
高输入阻抗:我
GSS
=
1
nA的(最大) (Ⅴ
GS
=
30
V)
单位:mm
( Q1 , Q2常见)
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
栅 - 漏电压
栅电流
漏极功耗
结温
存储温度范围
符号
V
GDS
I
G
P
D
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
50
10
200
125
55~125
单位
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-2L1B
重量: 6.2毫克(典型值)。
注意:
重负载下连续使用(例如应用
高温度/电流/电压和温度等的显著变化)可能会导致此产品
减少在可靠性显著即使操作条件(即操作
温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :总的评价
记号
引脚分配
( TOP VIEW )
1
2007-11-01
2SK3320
电气特性
(大
=
25 ° C) ( Q1 , Q2公用)
特征
栅极截止电流
栅极 - 漏极击穿电压
漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
I
GSS
V
( BR ) GDS
I
DSS
(注)
V
GS (关闭)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
NF (1)
噪声系数
NF( 2)
测试条件
V
GS
= 30
V, V
DS
=
0
V
DS
=
0, I
G
= 100 μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.1
μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1千赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DG
=
10 V,I
D
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V ,R
G
=
1 kΩ的,我
D
=
0.5毫安,
f
=
10赫兹
V
DS
=
10 V ,R
G
=
1 kΩ的,我
D
=
0.5毫安,
f
=
1千赫
50
1.2
0.2
4.0
典型值。
15
13
3
5
1
最大
1.0
14.0
1.5
dB
单位
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
注2 :我
DSS
分类
(
Y( Y) : 1.2 3.0毫安, GR ( G) : 2.6 6.5毫安BL ( L) : 6.0 14.0毫安
)......I
DSS
军衔标志
2
2007-11-01
2SK3320
( Q1 , Q2常见)
3
2007-11-01
2SK3320
( Q1 , Q2常见)
4
2007-11-01
2SK3320
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规格,数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA
半导体可靠性手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户
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使用此类设计或应用该产品的适当性; ( b)评价和确定的任何适用性
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请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
5
2007-11-01
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