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2SK3270-01
沟槽栅MOSFET
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
额定雪崩
N沟道MOS - FET的
60V
6,5m
±80A
135W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
±80
±320
+30 / -20
613
135
150
-55 ~ +150
* L = 0,13mH ，V
CC
=24V
＆ GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
兆焦耳*
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=10mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=60V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
=40A
V
GS
=10V
I
D
=40A
V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=30V
VGS=10V
ID=80A
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
= 80A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
60
2,5
典型值。
3,0
1,0
10,0
10
5,0
50
9000
1250
700
50
200
150
135
1,0
85
0,25
马克斯。
3,5
100,0
500,0
100
6,5
单位
V
V
A
A
nA
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
25
80
1,5
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
渠道环境
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
75,0
0,926
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
60V
6,5m
±80A
135W
2SK3270-01
沟槽栅MOSFET
漏极 - 源极导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
); I
D
= 25A ; V
GS
=10V
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[m]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[m]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
V
GS
= F量（Qg ） ;我
D
= 80A ; TCH = 25°C
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
ch
=25°C
↑
C [ F]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
最大雪崩能量与起始物为
ch
E
AV
= F （起始物为
ch
): V
CC
= 24V ;我
AV
≤
80A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
E
AV
[兆焦耳]
10
↑
I
D
[A]
12
起始物为
ch
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
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206-127SNP
24AA32AT
26PCKNG5G
2SA1237G
2-1415074-1
262XR103B
24-6556-10
22-03-2151
2SC3952
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2SK3270-01
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    2SK3270-01
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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联系人：周
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2SK3270-01
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
深圳市恒佳微电子有限公司
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联系人：朱先生/王小姐
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MINI
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22+
32570
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电话：0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人：销售部
地址：广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
2SK3270-01
M/A-COM
23+
NA
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
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2SK3270-01
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
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【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京首天伟业科技有限公司
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