【2SK3211 （L） 2SK3211 （S）硅N沟道MOS FET高速电源开关ADE - 208-】,IC型号2SK3211,2SK3211 PDF资料,2SK3211经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK3211 （L） 2SK3211 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-761A （ Z）

第2位。版

1999年2月

特点

低导通电阻

R

DS

= 60毫欧（典型值）。

高速开关

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

2SK3211

概要

LDPAK

4

D

1

2

3

G

2

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

I

AP

*

3

E

AR

*

3

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

200

±20

25

100

25

41

100

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°C

1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

50

2

2SK3211

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

200

±20

—

1.0

—

18

—

典型值

—

60

65

30

2420

790

340

20

230

590

330

0.95

230

最大

—

±10

10

2.5

75

85

—

单位

V

A

V

m

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V*

4

I

D

= 15 A，V

GS

= 4 V*

4

I

D

= 15 A，V

DS

= 10 V *

4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V

R

L

= 2

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅源击穿电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3

2SK3211

主要特点

功率与温度降额

40

最高安全工作区

PW

DC

Op

100

P沟（W）的

I

D

(A)

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

30

=1

10

0m

10

0

er

ATI

散热通道

漏电流

s

s(

1s

ho

on

t)

(T

c=

25

°

C)

1m

s

20

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

10

0

0.01

50

100

150

TC （ ℃）

200

1

外壳温度

TA = 25℃

2

5

10 20

50 100 200

V

DS

(V)

500

漏源极电压

典型的输出特性

50

10 V

4V

脉冲测试

6V

3.5 V

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

30

3V

20

I

D

漏电流

(A)

40

16

12

漏电流

8

TC = 75℃

–25°C

10

V

GS

=2.5 V

4

25°C

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

5

V

GS

(V)

4

2SK3211

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （上

) (V)

脉冲测试

2.0

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

m

)

2.5

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

500

脉冲测试

200

100

50

V

GS

= 4 V

10 V

1.5

1.0

I

D

= 15 A

10 A

0.5

5A

20

10

1

2

10

5

漏电流

50

20

I

D

(A)

100

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

m

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

250

脉冲测试

200

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

TC = -25°C

20

75 °C

10

5

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

漏电流I

D

(A)

100

25 °C

150

V

GS

= 4 V

5,10,15 A

100

5,10,15 A

50

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

案例温度T

c

(°C)

5

2SK3211 （L） 2SK3211 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1091-0400

Rev.4.00

2006年5月15日

特点

低导通电阻

R

DS

= 60毫欧（典型值）。

高速开关

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

4

G

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

D

1.门

2.漏

3.源

4.漏

1

2

3

2

3

S

Rev.4.00 2006年5月15日第1页8

2SK3211 （L） 2SK3211 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25

°

C

3.价值在总胆固醇= 25

°

C， RG

≥

50

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注3 AP

E

AR注3

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

200

±20

25

100

25

41

100

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

200

±20

—

1.0

—

18

—

典型值

—

60

65

30

2420

790

340

20

230

590

330

0.95

230

最大

—

±10

10

2.5

75

85

—

单位

V

A

V

m

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 15 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 15 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 2

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A /

s

Rev.4.00 2006年5月15日第2页8

2SK3211 （L） 2SK3211 （S）

主要特点

功率与温度降额

160

1000

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

100

PW

10

120

10

DC

Op

=1

1m

10

s

0

er

80

1

0m

s(

1S

ATI

ho

on

t)

(T

c=

25

°C

)

s

40

0.1

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1

3

10

30

100

300

1000

0

50

100

150

200

0.01

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

10 V

4V

脉冲测试

3.5 V

6V

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

30

3V

20

漏电流I

D

(A)

40

16

12

8

TC = 75℃

25°C

4

–25°C

10

V

GS

= 2.5 V

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

500

脉冲测试

200

100

50

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

2.5

脉冲测试

2.0

1.5

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

V

GS

= 4 V

10 V

1.0

I

D

= 15 A

10 A

0.5

5A

20

10

0

4

8

12

16

20

1

2

5

10

20

50

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.4.00 2006年5月15日第3页8

2SK3211 （L） 2SK3211 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

y

fs

(S)

250

脉冲测试

200

50

TC = -25°C

20

75°C

10

5

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳

与漏电流

25°C

150

V

GS

= 4 V

5,10,15 A

100

5,10,15 A

50

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

0.3

1

3

10

30

100

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1000

10000

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

5000

漏电流I

D

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

500

西塞

电容C （PF ）

2000

1000

500

200

100

50

20

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

200

100

50

科斯

CRSS

20

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

I

D

= 20 A

V

DD

= 150 V

100 V

50 V

V

GS

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

20

1000

500

TD （关闭）

tf

200

160

16

开关时间t（ NS ）

200

100

50

TD （上）

tr

V

GS

= 10 V,

V

DD

= 30 V

PW = 5

s,

值班< 1 ％

120

12

80

8

40

V

DD

= 150 V

100 V

50 V

4

V

DS

20

10

0.1 0.2

0

40

80

120

160

0

200

0.5

1

2

5

10

20

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.4.00 2006年5月15日第4页8

2SK3211 （L） 2SK3211 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

(A)

20

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

50

I

AP

= 25 A

V

DD

= 50 V

值班< 0.1 ％

RG > 50

脉冲测试

反向漏电流I

DR

16

40

12

10 V

8

5V

V

GS

= 0, –5 V

30

20

4

10

0

25

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

50

75

100

125

150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

秒（ t）的

θ

CH - C

θ

CH - C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C

PDM

PW

T

0.03

0.02

1

LSE

0.0

吨PU

ho

1s

D=

PW

T

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

雪崩测试电路

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

PW （S ）

雪崩波形

E

AR

=

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

VV

（ BR ） DSS

I

AP

Rg

D. U.牛逼

V

DD

V

DS

I

D

VIN

15 V

50

0

V

DD

Rev.4.00 2006年5月15日第5页8

2SK3211 （L） 2SK3211 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-761A （ Z）

第2位。版

1999年2月

特点

低导通电阻

R

DS

= 60毫欧（典型值）。

高速开关

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

2SK3211

概要

LDPAK

4

D

1

2

3

G

2

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

I

AP

*

3

E

AR

*

3

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

200

±20

25

100

25

41

100

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°C

1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

50

2

2SK3211

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

200

±20

—

1.0

—

18

—

典型值

—

60

65

30

2420

790

340

20

230

590

330

0.95

230

最大

—

±10

10

2.5

75

85

—

单位

V

A

V

m

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

I

F

= 25 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V*

4

I

D

= 15 A，V

GS

= 4 V*

4

I

D

= 15 A，V

DS

= 10 V *

4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V

R

L

= 2

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅源击穿电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3

2SK3211

主要特点

功率与温度降额

40

最高安全工作区

PW

DC

Op

100

P沟（W）的

I

D

(A)

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

30

=1

10

0m

10

0

er

ATI

散热通道

漏电流

s

s(

1s

ho

on

t)

(T

c=

25

°

C)

1m

s

20

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

10

0

0.01

50

100

150

TC （ ℃）

200

1

外壳温度

TA = 25℃

2

5

10 20

50 100 200

V

DS

(V)

500

漏源极电压

典型的输出特性

50

10 V

4V

脉冲测试

6V

3.5 V

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

30

3V

20

I

D

漏电流

(A)

40

16

12

漏电流

8

TC = 75℃

–25°C

10

V

GS

=2.5 V

4

25°C

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

5

V

GS

(V)

4

2SK3211

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （上

) (V)

脉冲测试

2.0

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

m

)

2.5

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

500

脉冲测试

200

100

50

V

GS

= 4 V

10 V

1.5

1.0

I

D

= 15 A

10 A

0.5

5A

20

10

1

2

10

5

漏电流

50

20

I

D

(A)

100

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

m

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

250

脉冲测试

200

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

TC = -25°C

20

75 °C

10

5

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

漏电流I

D

(A)

100

25 °C

150

V

GS

= 4 V

5,10,15 A

100

5,10,15 A

50

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

案例温度T

c

(°C)

5