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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第322页 > 2SK3152
2SK3152
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1077-0200
（上一个： ADE- 208-732 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS
= 100毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AD -A
（包名称： TO- 220FM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SK3140
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
3.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
120
±20
10
40
10
10
8.5
25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
120
±20
—
—
1.0
—
—
5.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
100
130
9.5
580
240
130
11
55
140
80
0.9
100
最大
—
—
±10
10
2.5
130
170
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 5 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 5 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 6
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A /
s
Rev.2.00 2005年9月7日第2 7
2SK3140
主要特点
功率与温度降额
40
100
30
10
PW
DC
Op
ERA
最高安全工作区
10
0
s
通道耗散P沟（W）的
s
漏电流I
D
(A)
30
10
3
1
=1
0
n(
Tc
1m
ms
(1s
=2
5
°
C
s
TIO
ho
20
t)
10
0.3在操作
这个区域是
0.1限制由R
DS （ ON）
0.03
TA = 25°C
1
2
5
10
)
0
0.01
50
100
150
200
20
50 100 200
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
6V
10
4V
脉冲测试
3.5 V
12
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
8
6
8
3V
4
TC = 75℃
–25°C
25°C
4
V
GS
=2.5 V
GS
2
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
5
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
500
脉冲测试
200
100
10 V
50
V
GS
= 4 V
4
3
2
I
D
= 15 A
10 A
5A
1
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
20
10
0.1 0.2
0
4
8
12
16
20
0.5
1
2
5
10 20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页7
2SK3140
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
500
脉冲测试
400
2A
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳
与漏电流
TC = -25°C
25°C
300
10 A
200
V
GS
= 4 V
5A
75°C
100
10 V
0
–40
0
40
10 A
2, 5 A
80
120
160
0.3
1
3
10
30
100
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
5000
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
2000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
500
电容C （PF ）
1000
500
200
100
50
20
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
200
100
50
西塞
科斯
CRSS
20
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 20 A
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
GS
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
500
300
200
TD （关闭）
tf
160
16
开关时间t（ NS ）
100
30
TD （上）
tr
120
12
80
V
DS
8
10
40
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
4
0
40
3
1
0.1
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
0
8
16
24
32
0.3
1
3
10
30 100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
2SK3140
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
(A)
10
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
10
I
AP
= 10 A
V
DD
= 50 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
反向漏电流I
DR
8
8
6
10 V
6
4
5V
V
GS
= 0, –5 V
4
2
2
0
25
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
秒（ t）的
θ
CH - C
θ
CH - C = 5.0 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
D=
PW
T
0.03
0.02
1
0.0
PW
T
0.01
10
h
1s
o
u
tp
LSE
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
雪崩测试电路
L
V
DS
I
AP
MONITOR
PW （S ）
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
ID
V
DS
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.2.00 2005年9月7日第5 7
2SK3152
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-732 （ Z）
1日。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS
= 100毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
TO–220FM
D
G
1 2
S
1.门
2.漏
3.源
3
2SK3152
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
120
±20
10
40
10
10
8.5
25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
120
±20
—
—
1.0
—
—
5.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
100
130
9.5
580
240
130
11
55
140
80
0.9
100
最大
—
—
±10
10
2.5
130
170
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 5 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 5 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V
R
L
= 6
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK3152
主要特点
功率与温度降额
40
100
最高安全工作区
10
PW
DC
Op
ERA
P沟（W）的
I
D
(A)
30
10
3
1
10
=1
0
n(
1m
s
30
0
s
s
ms
(
散热通道
漏电流
TIO
1s
°C
20
Tc
=
ho
t)
25
10
0.3在操作
这个区域是
0.1限制由R
DS （ ON）
0.03
0.01
TA = 25℃
1
2
5
10
)
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
20
50 100 200
V
DS
(V)
外壳温度
漏源极电压
典型的输出特性
20
10 V
6V
10
4V
脉冲测试
3.5 V
12
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
漏电流
(A)
3V
16
8
6
漏电流
8
4
TC = 75℃
–25°C
25°C
4
V
GS
=2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
2
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
3
2SK3152
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
500
脉冲测试
200
100
10 V
50
V
GS
= 4 V
漏极至源极饱和电压
V
DS （上
) (V)
脉冲测试
4
3
2
I
D
= 15 A
10 A
5A
1
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
( m )
20
10
0.1 0.2
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
0.5 1 2
5 10 20
漏电流I
D
(A)
50
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
( m)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
500
脉冲测试
400
2A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
75 °C
25 °C
TC = -25°C
300
10 A
200
V
GS
= 4 V
5A
100
10 V
0
–40
10 A
2, 5 A
0
40
80
120
160
案例温度T
c
(°C)
4
2SK3152
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
5000
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
2000
1000
500
200
100
50
20
10
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
40
50
科斯
CRSS
西塞
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
200
100
50
20
10
0.1
电容C （PF ）
500
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
I
D
= 20 A
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
GS
V
GS
(V)
200
20
500
300
吨D（关闭）
tf
开关时间t（ NS ）
160
16
100
30
吨D（上）
10
tr
漏源极电压
120
12
80
V
DS
40
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
8
16
24
32
栅极电荷Qg （ NC ）
8
4
0
40
栅极至源极电压
3
1
0.1
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
0.3
3
1
漏电流
10
I
D
(A)
30 100
0
5
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推荐型号
2SA1852D
277LMX400M2DG
232266197
200AXW100M10X40
2N2167
2020-4015-20
235FN11-100
2SC3632-Z
2SC3632Z
2SC97A
2023-6121-06
2SD1757KR
2SA937ALNR
227CKR010M
2N3468L
2-1571999-9
2662N
264-1300-00-0602J
2150-06K
2SB962-Z
供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3152
    -
    -
    -
    -
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