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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第105页 > 2SK3151
2SK3151
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-747A （ Z）
第2位。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 11.5毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
TO–3P
D
2
1
G
1
3
S
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
2SK3151
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
50
200
50
50
250
125
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
100
±20
—
—
1.0
—
—
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
11.5
16
50
4000
1650
590
30
280
830
450
0.95
100
最大
—
—
±10
10
2.5
15
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 25 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
R
L
= 1.2
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK3151
主要特点
功率与温度降额
160
P沟（W）的
最高安全工作区
300
100
1000
300
100
30
10
3
1
DC
I
D
(A)
120
散热通道
漏电流
PW
Op
er
at
80
=
10
10
s
10
0
s
1
m
s
m
s(
=
40
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TA = 25°C
1
离子
1
(T
c
sh
ot
)
25
°C
)
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
50 100 200
2
5 10 20
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
典型的传输特性
50
V
GS
= 10 V
4V
3V
30
3.5 V
(A)
100
脉冲测试
80
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
40
I
D
漏电流
60
漏电流
20
2.5 V
10
2V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
40
75°C
TC = -25°C
20
25°C
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
3
2SK3151
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
1.0
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
50
V
GS
= 4 V
0.8
I
D
= 50 A
0.6
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
20
10
0.4
20 A
0.2
10 A
10 V
5
2
1
0
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
1
2
5 10 20
50 100 200
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
50
脉冲测试
40
10,20 A
30
I
D
= 50 A
50 A
20
4V
10,20 A
10
0
–50
V
GS
= 10 V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
75
°C
TC = -25
°C
25
°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
50
100
150
200
壳温度（ ° C）
4
2SK3151
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
典型的电容比。
漏源极电压
30000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
电容C （PF ）
500
200
100
50
20
10
0.1
10000
西塞
3000
1000
科斯
CRSS
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
300
100
0
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GE
(V)
200
I
D
= 50 A
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
DS
V
GS
20
5000
开关特性
开关时间t（ NS ）
160
16
1000
500
200
100
50
20
10
0.1 0.2
吨D（关闭）
tf
tr
集电极到发射极电压
120
12
80
8
门到发射极电压
吨D（上）
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
0.5 1
2
5 10 20
I
D
(A)
50
漏电流
40
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
80
160
240
320
栅极电荷Qg （ NC ）
4
0
400
0
5
2SK3151
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1076-0400
（上一个： ADE- 208-747B ）
Rev.4.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 11.5毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
1
2
S
3
Rev.4.00 2005年9月7日第1页7
2SK3151
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
3.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
50
200
50
50
250
125
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
100
±20
—
—
1.0
—
—
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
11.5
16
50
4000
1650
590
30
280
830
450
0.95
100
最大
—
—
±10
10
2.5
15
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 25 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 1.2
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A /
s
Rev.4.00 2005年9月7日第2 7
2SK3151
主要特点
功率与温度降额
160
1000
300
100
30
10
3
1
50
100
150
200
1
DC
PW
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
120
漏电流I
D
(A)
80
Op
=
er
a
10
10
s
10
0
s
1
m
s
m
s(
1
sh
TIO
40
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TA = 25°C
2
5
10
n
(T
c=
ot
)
25
°
C
)
0
20
50 100 200
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
V
GS
= 10 V
典型的传输特性
100
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
3V
30
3.5 V
漏电流I
D
(A)
40
4V
80
V
DS
= 10 V
脉冲测试
60
20
2.5 V
10
2V
0
2
4
6
8
10
40
75°C
TC = -25°C
20
25°C
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
1.0
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
100
脉冲测试
50
V
GS
= 4 V
0.8
I
D
= 50 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
0.6
20
10
0.4
20 A
0.2
10 A
10 V
5
2
1
1
2
5
10
20
50 100 200
0
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页7
2SK3151
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
脉冲测试
40
10,20 A
30
I
D
= 50 A
50 A
20
4V
10, 20 A
10
0
–50
V
GS
= 10 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳
与漏电流
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
75°C
TC = -25°C
25°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
50
100
150
200
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
30000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间trr （ NS ）
500
电容C （PF ）
10000
西塞
3000
1000
200
100
50
20
10
0.1
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
科斯
CRSS
300
100
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 50 A
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
DS
V
GS
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
5000
TD （关闭）
tf
tr
200
160
16
开关时间t（ NS ）
1000
500
200
100
50
20
10
0.1 0.2
120
12
80
8
40
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
4
0
400
TD （上）
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
0
80
160
240
320
0.5 1
2
5 10 20
50
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第4 7
2SK3151
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
(A)
50
10 V
40
250
I
AP
= 50 A
V
DD
= 50 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
反向漏电流I
DR
200
30
V
GS
= 0, –5 V
150
20
5V
100
10
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SDF
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
秒（ t）的
θ
CH - C
θ
CH - C = 1.0 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
PW
T
0.03
0.02
1
LSE
0.0
吨PU
ho
1s
D=
PW
T
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
雪崩测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
PW （S ）
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.4.00 2005年9月7日第5 7
查看更多2SK3151PDF信息
推荐型号
2N5229
2SD1272P
2SD2175Q
20020110-G151A01LF
2SB1051KQ
21-30-240
253C124C45NA
22-55-2161
2SK583
238.4
210-997-75-38
22-28-9180
2141-3B
24LC16B-P
280373-3
295T320R253A31
2S303A
2SK3870-01
24LC32AX-I/MSG
2SA1770R
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