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首字符2的型号第450页
> 2SK3135L
2SK3135(L),2SK3135(S)
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-695B ( Z)
3 。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 6毫欧(典型值) 。
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
LDPAK
4
4
2
1
1
2
3
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
3
2SK3135(L),2SK3135(S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意:
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
I
AP
E
AR
注3
注3
注1
评级
60
±20
75
300
75
50
214
100
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
PCH
注2
总胆固醇
TSTG
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C , RG
≥
50
2
2SK3135(L),2SK3135(S)
电气特性
( TA = 25°C )
项
符号最小值
60
—
—
1.0
—
—
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
6.0
8.0
80
7100
1000
300
125
25
25
60
300
520
330
1.05
90
最大
—
±0.1
10
2.5
7.5
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 75 A,V
GS
= 0
I
F
= 75 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
注1
I
D
= 30 A,V
GS
= 10 V
注1
I
D
= 30 A,V
GS
= 4 V
注1
I
D
= 30 A,V
DS
= 10 V
注1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 25 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 75 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
R
L
= 0.75
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意:
1.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
3
2SK3135(L),2SK3135(S)
主要特点
功率与温度降额
200
P沟(W)的
I
D
(A)
1000
300
100
30
散热通道
漏电流
100
10
3
1
0.3
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
0.1 TA = 25℃
0.1 0.3
1
3
10
30
V
DS
(V)
100
DC
最高安全工作区
150
50
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
s(
Op
1
er
sh
(T ATI
ot
C =上
)
25
°
C
)
0
s
PW
s
1
m
=
s
10
m
10
10
外壳温度
漏源极电压
典型的输出特性
100
V
GS
= 10 V
5V
4V
100
脉冲测试
(A)
3.5 V
80
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
80
60
I
D
漏电流
3V
60
漏电流
40
40
25°C
75°C
TC = -25°C
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
20
2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
20
0
4
2SK3135(L),2SK3135(S)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m
)
2.0
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
50
1.6
1.2
20
10
5
V
GS
= 4 V
10 V
0.8
0.4
10 A
0
I
D
= 50 A
20 A
16
V
GS
(V)
20
2
1
12
4
8
栅极至源极电压
1
2
5 10 20
50 100 200
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(m
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
20
脉冲测试
16
I
D
= 50 A
12
4V
10, 20, 50 A
V
GS
= 10 V
10 A
20 A
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
DS
= 10 V
脉冲测试
TC = -25
°C
8
25
°C
75
°C
4
0
–50
0
50
100
150
200
壳温度( ° C)
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
5
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2SK3135L
PDF信息
推荐型号
2900372
2SD1803T
24LC256-EMC
2SB1043
28SM5S
2SC2845
2SJ219S
259090
28C16AT-20I/L
28C64AX-15/VS
28C17AF-15/VS
226TTA160M
2020-6623-20
28M12D
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