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2SK3117

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK3117

斩波稳压器DC-DC转换器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 0.21

（典型值）。

: |Y

| = 17 S（典型值）。

单位：mm

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

DSS

= 500 V)

: V

= 2.0~4.0 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

500

±30

150

960

150

55~150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（TC

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

—

2-16H1B

重4.6克（典型值）

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

0.833

单位

C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

DD =

90 V，T

= 25 ° C（初始）， L = 4.08 mH的，R

= 25

= 20 A

注3 ：重复评价的脉冲宽度有限的最大通道温度。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

2006-11-06

2SK3117

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

漏截止电流

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

（ BR ） GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±25 V, V

= 0 V

= ±10

μA,

= 0 V

= 500 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 10 A

= 10 V，I

= 10 A

民

—

±30

—

500

2.0

—

典型值。

—

0.21

3720

340

1165

最大

±10

—

100

—

4.0

0.27

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

400 V, V

= 10 V，I

= 6 A

—

290

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 20 A，V

= 0 V

= 20 A，V

= 0 V

/ DT

100 A /

μs

民

—

典型值。

—

540

5.4

最大

1.7

—

单位

μC

记号

东芝

K3117

产品型号（或缩写代码）

LOT号

2006-11-06

2SK3117

2006-11-06

2SK3117

2006-11-06

2SK3117

= 25

= 90 V，L = 4.08 mH的

VDSS

2006-11-06

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