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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第516页 > 2SK3113
SMD型
MOS场效应
2SK3113
IC
MOSFET
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 4.4
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
低栅电荷
+0.15
5.55
-0.15
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
雪崩能力评级
+0.15
0.50
-0.15
栅极电压额定值
30 V
0.127
最大
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
600
30
2.0
8.0
20
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=1.0A,V
GS （ ON）
=10V,V
DD
=150V,R
G
=10
,R
L
=10
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=600V,V
GS
=0
V
GS
= 30V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=1.0A
V
GS
=10V,I
D
=1.0A
2.5
0.5
3.3
260
60
5
7
2
22
9
4.4
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
典型值
最大
100
10
3.5
单位
A
A
V
S
3
.8
0
Q
G
= 9 NC TYP 。 （V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A)
www.kexin.com.cn
1
数据表
MOS场效应
2SK3113
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3113是N沟道DMOS FET器件，具有
低栅极电荷和出色的开关特性，
设计用于高电压应用，例如开关
电源，交流电源适配器。
订购信息
产品型号
2SK3113
2SK3113-Z
包
的TO- 251 （MP -3）
TO- 252 （ MP- 3Z ）
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 4.4
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
低栅电荷
Q
G
= 9 NC TYP 。 （V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A)
栅极电压额定值
±30
V
雪崩能力评级
(TO-251)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
Note2
600
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-252)
±30
±2.0
±8.0
20
1.0
150
-55到+150
2.0
2.7
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
装在40毫米×40毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 150 V
,
R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D13336EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期2004年8月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998, 2001
2SK3113
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 450 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.0 A
I
F
= 2.0 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 2.0 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
测试条件
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 150 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
,
R
L
= 10
2.5
0.5
3.3
290
60
5
7
2
22
9
9
2.4
2
0.9
0.9
2.0
4.4
分钟。
典型值。
马克斯。
100
±10
3.5
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
s
C
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
BV
DSS
V
DS
V
GS
0
50
L
V
DD
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
90%
90%
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
I
D
V
DD
I
D
I
D
电波表
0 10%
10%
τ
起始物为
ch
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D13336EJ3V0DS
2SK3113
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
总功耗对比
外壳温度
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
安装在玻璃环氧树脂板
为40毫米×40毫米× 1.6毫米
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 -
C
正向偏置安全工作区
100
T
C
= 25 ℃，单脉冲
安装在玻璃环氧树脂板
为40毫米×40毫米× 1.6毫米
0V
=2
)
I
D
- 漏电流 - 一个
10
d
ITE
im
L
tV
(a
GS
I
D（脉冲）
10
0
PW
=
10
s
I
D（ DC）的
Po
we
r
s
1
1
R
n)
(o
DS
m
s
m
10
s
Di
0
ss
m
IPA
DC
s
TIO
n
LIM
ITE
d
10
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 125°C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
= 6.25 ° C / W
1
0.1
单脉冲
安装在玻璃环氧树脂板
为40毫米×40毫米× 1.6毫米
10
100
1000
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D13336EJ3V0DS
3
2SK3113
漏电流与
漏源极电压
脉冲
5
4
3
2
1
V
GS
= 10 V
6V
8V
I
D
- 漏电流 - 一个
正向传递特性
100
T
ch
= 125C
75C
10
I
D
- 漏电流 - 一个
1.0
T
ch
= 25C
25
C
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲
15
0
0
0
10
20
30
40
0
5
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
5.0
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
100
V
DS
= 10 V
脉冲
4.0
10
T
ch
=
25
C
25C
75C
125C
3.0
2.0
1
1.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
0
50
0
50
100
150
0.1
0.01
0.1
1.0
10
T
ch
- 通道温度 -
C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
I
D
= 2.0 A
1.0 A
脉冲
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
脉冲
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
V
GS
= 10 V
20 V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D13336EJ3V0DS
2SK3113
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
通道温度
9
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
源极到漏极二极管
正向电压
8
7
6
5
4
3
2
1
1A
I
D
= 2 A
100
10
1.0
V
GS
= 10 V
0.1
0V
脉冲
1.5
V
GS
= 10 V
0
50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
T
ch
- 通道温度 -
C
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
100
10000
开关特性
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
D（关闭）
10
t
f
t
D（上）
t
r
1
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
10
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
0.1
1
10
C
RSS
100
0.1
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
10000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
600
1000
V
DD
= 450 V
300 V
150 V
V
GS
12
10
8
6
400
100
200
V
DS
0
0
4
8
12
4
2
0
16
10
0.1
1.0
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D13336EJ3V0DS
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
16
800
I
D
= 2.0 A
14
5
SMD型
晶体管
IC
MOSFET
产品speci fi cation
2SK3113
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 4.4
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0 A)
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
低栅电荷
+0.15
5.55
-0.15
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
雪崩能力评级
+0.15
0.50
-0.15
栅极电压额定值
30 V
0.127
最大
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
600
30
2.0
8.0
20
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=1.0A,V
GS （ ON）
=10V,V
DD
=150V,R
G
=10
,R
L
=10
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=600V,V
GS
=0
V
GS
= 30V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=1.0A
V
GS
=10V,I
D
=1.0A
2.5
0.5
3.3
260
60
5
7
2
22
9
4.4
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
典型值
最大
100
10
3.5
单位
A
A
V
S
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3
.8
0
Q
G
= 9 NC TYP 。 （V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A)
4008-318-123
1 1
查看更多2SK3113PDF信息
推荐型号
2-1393254-7
22PCFSB2G
28IXR1-05T
2SK1518
22-28-2250
22-12-4172
295T220F253A11
24AA128ISM
2633308
212X01S324FN2
2150-07K
24LC16BI/SL
2SK355
2SA1204_07
2SK955
290-009N22
293D107X9010C2WE3
24C01A
2122D4MC
2SC2881-Y
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3113
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3113
NEC
2410+
12590
TO-252
十年企业，诚信经营，原装量大价优
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3113
NEC
2410+
12590
TO-252
十年企业，诚信经营，原装量大价优
北京元坤国际科技有限公司
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