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数据表

MOS场效应

2SK3105

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

的2SK3105是可驱动的开关装置

直接由4 V电源。

该2SK3105具有低导通电阻和出色

切换特性，并适合于应用程序，例如

随着便携式机器的电源开关等。

封装图（单位：mm ）

0.4

+0.1

–0.05

0.16

+0.1

–0.06

0.65

–0.15

+0.1

2.8 ±0.2

1.5

0-0.1

特点

可以用4 V电源驱动

低通态电阻

DS(on)1

= 95 mΩ以下。（V

= 10 V，I

= 1.5 A)

DS(on)2

= 135 mΩ以下。（V

= 4.5 V，I

= 1.5 A)

DS(on)3

= 150 mΩ以下。（V

= 4.0 V，I

= 1.5 A)

0.95

0.65

为0.91.1

1.9

2.9 ±0.2

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

订购信息

产品型号

2SK3105

包

3针微型模具（薄型）

等效电路

漏

绝对最大额定值（T

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

Note2

±20

±2.5

±10

0.2

1.25

150

-55到+150

°C

门

体

二极管

总功耗

通道温度

储存温度

注意事项1 。

≤

S，占空比

≤

1 %

安装在FR4板，T

≤

5秒。

备注

门

保护

二极管

标记： XA

来源

英镑

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

D13293EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1999年6月NS CP （ K）

日本印刷

1998, 1999

2SK3105

电气特性（T

= 25 °C)

特征

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

测试条件

= 30 V, V

= 0 V

= ±16 V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 1.5 A

= 10 V，I

= 1.5 A

= 4.5 V，I

= 1.5 A

= 4.0 V，I

= 1.5 A

= 10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

= 10 V

= 1.0 A

GS （ ON）

= 10 V

= 10

= 10 V

= 2.5 A

= 4.0 V

= 2.5 A，V

= 0 V

= 2.5 A，V

= 0 V

的di / dt = 90 A /

1.0

1.6

3.5

211

2.1

0.61

0.84

0.81

3.7

135

150

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

±10

2.5

单位

测试电路1开关时间

D.U.T.

PG 。

= 10

90 %

0 10 %

D（上）

D（关闭）

关闭

10 %

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

= 2毫安

GS （ ON）

90 %

电波表

10 %

PG 。

= 1

占空比

≤

1 %

电波表

数据表D13293EJ1V0DS00

2SK3105

典型特征（T

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

ITE ）

IM V

正向偏置安全工作区

100

的dT - 降额因子 - ％

- 漏电流 - 一个

（脉冲）

(

)

诉

)

（上

DS GS

0.1

单脉冲

安装在FR- 4板

120

- 环境温度 -

150

0.01

0.1

50毫米×50毫米X 1.6毫米

100

- 漏极至源极电压 - V

传输特性

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

- 漏电流 - 一个

门源截止电压主场迎战

通道温度

2.0

= 10 V

= 1毫安

1.8

DS =

10 V

0.1

0.01

0.001

0.0001

= 125C

75C

25C

1.6

1.4

1.2

0.00001

1.0

100

150

- 门到SORCE电压 - V

正向传递ADMMITTANCE比。

漏电流

100

| y

| - 正向转移导纳 - S

- 通道温度 - C

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

150

= 4.0 V

= 125C

= 10V

125

75C

100

25C

0.1

25C

0.01

0.1

0.01

0.1

- 漏电流 - 一个

数据表D13293EJ1V0DS00

2SK3105

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

150

= 4.5 V

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

漏电流

100

= 10 V

= 125C

75C

25C

= 125C

100

75C

25C

0.01

0.1

0.01

0.1

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

通道温度

150

= 1.5 A

= 4.0 V

4.5 V

100

10 V

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

200

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

= 1.5 A

150

100

- 通道温度-C

150

- 栅极至源极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

开关特性

100

（上）

， TR ， TD

（关闭）

， TF - Swwitchig时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - 电容 - pF的

1000

F = 1 MHz的

= 0V

（关闭）

（上）

国际空间站

100

OSS

RSS

- 漏极至源极电压 - V

100

= 10V

(

) = 10V

= 10

0.1

- 漏电流 - 一个

数据表D13293EJ1V0DS00

2SK3105

源极到漏极二极管的正向电压

动态输入特性

- 栅极至源极电压 - V

= 2.5 A

= 10 V

6.0 V

- 源极到漏极电流 - 一个

0.1

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

- 栅极电荷 - 数控

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

第（章-a）的

- 瞬态热阻 - C / W

单脉冲

无板

100

安装在250毫米X 35

铜焊盘

连接到漏极电极

50毫米×50毫米× 1.6毫米

FR-4板

0.001

0.01

0.1

PW - 脉冲宽度 - S

100

1000

数据表D13293EJ1V0DS00