订购数量： EN8624
2SK3095LS
三洋半导体
数据表
2SK3095LS
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
低的Qg 。
超高速开关应用。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩Enargy （单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
400
±30
5
20
2.0
25
150
--55到150
71.4
5
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
* 1 VDD = 50V ， L = 5mH ， IAV = 5A
* 2 L≤5mH ，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS （ ON）
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 320V ， VGS = 0V
VGS =
±30V,
VDS=0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 2.8A
ID = 2.8A ， VGS = 15V
评级
民
400
1.0
±100
3.0
1.4
2.8
0.92
1.2
4.0
典型值
最大
单位
V
m
A
n
A
V
S
标记： K3095
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N0806QB SY IM TC- 00000313 No.8624-1 / 3
2SK3095LS
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
VSD
条件
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 5A
IS = 5A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
660
170
80
14
15
45
25
20
0.9
1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
V
注意：要小心处理的2SK3095LS ，因为它有栅极和源极之间没有保护二极管。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7509-002
10.0
3.2
3.5
7.2
4.5
2.8
16.1
16.0
0.9
1.2
0.75
14.0
3.6
1.2
0.7
1 2 3
2.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220FI （ LS ）
2.55
2.55
开关时间测试电路
VDD=200V
0.6
雪崩电阻测试电路
L
DUT
≥50
VGS=15V
ID=2.8A
RL=71.4
VOUT
D
PW=10s
D.C.≤0.5%
15V
0V
50
VDD
G
P.G
RGS
50
2SK3095LS
S
No.8624-2/3
2SK3095LS
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
ASO
10
s
0
s
允许功耗， PD - 含
2.5
PD - TA
IDP=20A
ID=5A
<10s
10
1m
s
2.0
漏极电流ID -
10
10
ms
0m
DC
s
op
ERA
TIO
n
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
1.5
1.0
0.5
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
2
3
5
7
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT11681
120
1.0
漏极至源极电压VDS - V
30
环境温度，钽 -
°C
IT11682
PD - 锝
EAS - TA
允许功耗， PD - 含
25
雪崩能量降额因子 - ％
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100
20
80
15
60
10
40
5
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT10478
外壳温度，TC -
°C
IT11683
环境温度，钽 -
°C
注意使用情况：由于2SK3095LS是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
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