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2SK3079A
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK3079A
470兆赫频带放大器的应用
(注)本文档中列出的东芝产品用于
电信设备高频功率放大器。这些
东芝的产品既不打算也不保证用于任何其他用途。
除了不使用这些上市东芝产品本文档中
电信设备高频功率放大器
输出功率:P
o
= 33.50dBmW ( 2.2 W) (分钟)
GAIN :
p
= 13.50分贝(分钟)
漏极效率:
ηD
= 50.0 % (分)
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
(注1 )
T
ch
T
英镑
等级
10
3
3
20.0
150
45~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
JEDEC
注意:
JEITA
重负载下连续使用(例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
东芝
2-5N1A
温度等)可能会导致此产品在减少
重量0.08克(典型值)
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 : TC = 25 ° C(当安装在1.6毫米的玻璃环氧树脂印刷电路板)
记号
型号名称
UD
DOT
F
**
LOT号
注意事项:
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地,当你处理。
1
2007-11-01
2SK3079A
电气特性(Ta = 25 ° C)
特征
输出功率
漏EF网络效率
功率增益
阈值电压
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
符号
P
O
η
D
G
p
V
th
I
DSS
I
GSS
(注2 )
测试条件
V
DS
= 4.5 V , IIDLE = 50毫安
(V
GS
=
调整)
F = 470兆赫,P
i
= 20dBmW
Z
G
= Z
L
=
50
V
DS
= 4.5 V,I
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V , F = 470 MHz时,
P
i
= 20dBmW ,
P
o
= 33.5dBmW (V
GS
=
调整)
VSWR负载10 : 1的所有阶段
33.5
50.0
13.5
典型值。
0.8
最大
10
5
单位
dBmW
%
dB
V
μA
μA
负载不匹配
没有退化
注2:这些特性值是使用东芝指定的测量工具测量。
测试电路
P
i
Z
G
=
50
Ω
20 pF的
L1
20 pF的
10000 pF的
2200 pF的
3.3
Ω
2200 pF的
13 pF的
20 pF的
10
μF
L2
2200 pF的
P
o
Z
L
=
50
Ω
680 kΩ
V
GS
10000 pF的
V
DS
2
2007-11-01
2SK3079A
P
i
– P
o
, G
p
,
ηD
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
40
宝( dBmW )
G
p
( dB)的
ηD
(%)
60
IIDLE - 摹
p
,
ηD
(f
=
470兆赫,P
i
=
20dBmW ,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
17
60
35
50
16
( dB)的
30
40
( dBmW ) ,G
p
( dB)的
(%)
25
30
15
55
ηD
20
20
14
P
o
15
10
G
p
GP (分贝)
ηD
(%)
10
0
10
20
0
30
13
0
25
50
75
50
100
P
i
( dBmW )
IIDLE
(MA )
P
i
– P
o
(f
=
470兆赫,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
40
38
36
34
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
10
20
IIDLE
=
50毫安
IIDLE
=
30毫安
IIDLE
=
70毫安
30
32
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.4
P
i
- IDS
(f
=
470兆赫,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
( dBmW )
漏电流
P
o
(A)
IIDLE
=
50毫安
0.2
0.0
0
IIDLE
=
30毫安
IIDLE
=
70毫安
10
20
30
P
i
( dBmW )
P
i
( dBmW )
VDS - 摹
p
,
ηD
(f
=
470兆赫,P
i
=
20dBmW , IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
20
18
16
14
Gp
EFF
70
68
66
64
40
39
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
P
i
– P
o
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
G
p
( dB)的
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
60
58
56
54
52
50
8
ηD
(%)
12
62
P
o
( dBmW )
VDD
=
4.5 V
VDD
=
2.4 V
VDD
=
3.6 V
VDD
=
6.0 V
0
20
30
VDS
(V)
P
i
( dBmW )
3
2007-11-01
ηD
(%)
2SK3079A
P
i
- IDS
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
1.6
1.4
1.2
(A)
1.0
漏电流
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
VDD
=
4.5 V
VDD
=
2.4 V
VDD
=
3.6 V
VDD
=
6.0 V
10
20
30
P
i
( dBmW )
注意:这些是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线。
4
2007-11-01
2SK3079A
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
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2007-11-01
2SK3079A
初步
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK3079A
470兆赫频带放大器的应用
单位:mm
输出功率:P
o
= 33.50dBmW ( 2.2 W) (分钟)
GAIN :
p
= 13.50分贝(分钟)
漏极效率:
ηD
= 50.0 % (分)
·
·
·
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
(注1 )
T
ch
T
英镑
等级
10
3
3
20.0
150
45~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
注1 : TC = 25℃
JEDEC
2-5N1A
记号
型号名称
JEITA
东芝
UD
DOT
F
**
LOT号
电气特性
( TA = 25°C )
特征
输出功率
漏EF网络效率
功率增益
阈值电压
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
符号
P
O
η
D
G
p
V
th
I
DSS
I
GSS
(注2 )
测试条件
V
DS
= 4.5 V , IIDLE = 50毫安
(V
GS
=
调整)
F = 470兆赫,P
i
= 20dBmW
Z
G
= Z
L
=
50
V
DS
= 4.5 V,I
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V , F = 470 MHz时,
P
i
= 20dBmW ,
P
o
= 33.5dBmW (V
GS
=
调整)
VSWR负载10 : 1的所有阶段
33.5
50.0
13.5
典型值。
0.8
最大
10
5
单位
dBmW
%
dB
V
A
A
负载不匹配
没有退化
注意:这是晶体管静电敏感器件。请谨慎操作。
注2 :当射频输出功率测试夹具使用
1
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2SK3079A
测试电路
P
i
Z
G
=
50
W
20 pF的
L1
20 pF的
10000 pF的
2200 pF的
3.3
W
2200 pF的
2200 pF的
P
o
Z
L
=
50
W
13 pF的
20 pF的
10
mF
V
DS
L2
680千瓦
V
GS
10000 pF的
2
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2SK3079A
P
i
– P
o
, G
p
,
hD
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
40
宝( dBmW )
G
p
( dB)的
hD
(%)
60
IIDLE - 摹
p
,
hD
(f
=
470兆赫,P
i
=
20dBmW ,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
17
60
35
50
16
( dBmW ) ,G
p
( dB)的
30
40
( dB)的
(%)
25
30
15
55
DD
20
20
14
P
o
15
10
G
p
GP (分贝)
hD
(%)
10
0
10
20
0
30
13
0
25
50
75
50
100
P
i
( dBmW )
IIDLE (毫安)
P
i
– P
o
(f
=
470兆赫,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
40
38
36
34
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
10
20
IIDLE
=
50毫安
IIDLE
=
30毫安
IIDLE
=
70毫安
30
32
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.4
P
i
- IDS
(f
=
470兆赫,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
( dBmW )
漏电流
P
o
(A)
IIDLE
=
50毫安
0.2
0.0
0
IIDLE
=
30毫安
IIDLE
=
70毫安
10
20
30
P
i
( dBmW )
P
i
( dBmW )
VDS - 摹
p
,
hD
(f
=
470兆赫,P
i
=
20dBmW , IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
20
18
16
14
Gp
EFF
70
68
66
64
40
39
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
P
i
– P
o
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
G
p
( dB)的
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
60
58
56
54
52
50
8
DD
(%)
12
62
P
o
( dBmW )
VDD
=
4.5 V
VDD
=
2.4 V
VDD
=
3.6 V
VDD
=
6.0 V
0
20
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VDS
(V)
P
i
( dBmW )
3
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DD
(%)
2SK3079A
P
i
- IDS
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
1.6
1.4
1.2
(A)
1.0
漏电流
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
VDD
=
4.5 V
VDD
=
2.4 V
VDD
=
3.6 V
VDD
=
6.0 V
10
20
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P
i
( dBmW )
注意:这些是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线。
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2SK3079A
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
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2SK3079A
初步
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK3079A
470兆赫频带放大器的应用
单位:mm
输出功率:P
o
= 33.50dBmW ( 2.2 W) (分钟)
GAIN :
p
= 13.50分贝(分钟)
漏极效率:
ηD
= 50.0 % (分)
·
·
·
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
(注1 )
T
ch
T
英镑
等级
10
3
3
20.0
150
45~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
注1 : TC = 25℃
JEDEC
2-5N1A
记号
型号名称
JEITA
东芝
UD
DOT
F
**
LOT号
电气特性
( TA = 25°C )
特征
输出功率
漏EF网络效率
功率增益
阈值电压
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
符号
P
O
η
D
G
p
V
th
I
DSS
I
GSS
(注2 )
测试条件
V
DS
= 4.5 V , IIDLE = 50毫安
(V
GS
=
调整)
F = 470兆赫,P
i
= 20dBmW
Z
G
= Z
L
=
50
V
DS
= 4.5 V,I
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V , F = 470 MHz时,
P
i
= 20dBmW ,
P
o
= 33.5dBmW (V
GS
=
调整)
VSWR负载10 : 1的所有阶段
33.5
50.0
13.5
典型值。
0.8
最大
10
5
单位
dBmW
%
dB
V
A
A
负载不匹配
没有退化
注意:这是晶体管静电敏感器件。请谨慎操作。
注2 :当射频输出功率测试夹具使用
1
2002-01-09
2SK3079A
测试电路
P
i
Z
G
=
50
W
20 pF的
L1
20 pF的
10000 pF的
2200 pF的
3.3
W
2200 pF的
2200 pF的
P
o
Z
L
=
50
W
13 pF的
20 pF的
10
mF
V
DS
L2
680千瓦
V
GS
10000 pF的
2
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2SK3079A
P
i
– P
o
, G
p
,
hD
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
40
宝( dBmW )
G
p
( dB)的
hD
(%)
60
IIDLE - 摹
p
,
hD
(f
=
470兆赫,P
i
=
20dBmW ,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
17
60
35
50
16
( dBmW ) ,G
p
( dB)的
30
40
( dB)的
(%)
25
30
15
55
DD
20
20
14
P
o
15
10
G
p
GP (分贝)
hD
(%)
10
0
10
20
0
30
13
0
25
50
75
50
100
P
i
( dBmW )
IIDLE (毫安)
P
i
– P
o
(f
=
470兆赫,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
40
38
36
34
30
28
26
24
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20
18
16
14
12
10
0
10
20
IIDLE
=
50毫安
IIDLE
=
30毫安
IIDLE
=
70毫安
30
32
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.4
P
i
- IDS
(f
=
470兆赫,V
ds
=
4.5 V ,TC
=
25°C)
( dBmW )
漏电流
P
o
(A)
IIDLE
=
50毫安
0.2
0.0
0
IIDLE
=
30毫安
IIDLE
=
70毫安
10
20
30
P
i
( dBmW )
P
i
( dBmW )
VDS - 摹
p
,
hD
(f
=
470兆赫,P
i
=
20dBmW , IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
20
18
16
14
Gp
EFF
70
68
66
64
40
39
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
P
i
– P
o
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
G
p
( dB)的
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
60
58
56
54
52
50
8
DD
(%)
12
62
P
o
( dBmW )
VDD
=
4.5 V
VDD
=
2.4 V
VDD
=
3.6 V
VDD
=
6.0 V
0
20
30
VDS
(V)
P
i
( dBmW )
3
2002-01-09
DD
(%)
2SK3079A
P
i
- IDS
(f
=
470兆赫, IIDLE
=
50毫安,TC
=
25°C)
1.6
1.4
1.2
(A)
1.0
漏电流
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
VDD
=
4.5 V
VDD
=
2.4 V
VDD
=
3.6 V
VDD
=
6.0 V
10
20
30
P
i
( dBmW )
注意:这些是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线。
4
2002-01-09
2SK3079A
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-01-09
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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原装正品
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
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