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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第522页 > 2SK3065T100
2SK3065
晶体管
小开关（ 60V ， 2A ）
2SK3065
！特点
1 ）低导通电阻。
2 ）高速开关。
3）最佳的口袋里的资源，因为对等
低电压驱动（ 2.5V驱动） 。
4 ）驱动电路是容易的。
5 ）易于使用的并行。
6 ）它是强的静电放电。
！结构
硅N沟道
MOS FET晶体管
！外部
尺寸
（单位：毫米）
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
1.5±0.1
4.0
+0.5
0.3
2.5
+0.2
0.1
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.3
0.4
+0.1
0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
ROHM ： MPT3
E I第j ： SC- 62
缩写符号： KE
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
！绝对
最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
反向漏
当前
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
P
D
总胆固醇
TSTG
1
1
！内部
等效电路
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
-GATE
保护
二极管
来源
门
漏
范围
60
±20
2
8
2
8
0.5
2
2
150
55+150
总功率耗散（TC = 25℃）
通道温度
储存温度
1
Pw
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
2
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米氧化铝板。
保护二极管已建成的
栅极和防止静电的来源
电时，该产品在使用中。
使用保护电路，当额定电压
超标。
！电
特征
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
分钟。
60
0.8
1.5
典型值。
0.25
0.35
160
85
25
20
50
120
70
马克斯。
±10
10
1.5
0.32
0.45
单位
A
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
=
±20V,
V
DS
=
0V
I
D
=
1mA时， V
GS
=
0V
V
DS
=
60V, V
GS
=
0V
V
DS
=
10V ，我
D
=
1mA
I
D
=
1A ，V
GS
=
4V
I
D
=
1A ，V
GS
=
2.5V
I
D
=
1A ，V
DS
=
10V
V
DS
=
10V
V
GS
=
0V
f
=
1MHz
I
D
=
1A ，V
DD
V
GS
=
4V
R
L
=
30
R
G
=
10
30V
Pw
≤
300μS ，占空比
≤
1%
2SK3065
晶体管
！包装
特定网络阳离子
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
2SK3065
TAPING
T100
1000
！电
特性曲线
3
总功耗：P
D
(W)
10
漏电流：我
D
(A)
1
Pw=10ms
2
漏电流：我
D
(A)
当安装在一个40 ×40× 0.7毫米
铝陶瓷板。
工作在这
区域由限定
R
DS （ ON）
100s
1ms
2
4V
3.5V
3V
2.5V
Ta=25°C
脉冲
2V
1
0.1
直流操作
1
0.01
Ta
=
25°C
单脉冲
V
GS
=1.5V
10
100
0
0
5
漏源电压： V
DS
(V)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.1
1
10
环境温度： TA（ ° C）
漏源电压： V
DS
(V)
Fig.1
总功耗对比
外壳温度
图2最大安全工作区
Fig.3
典型的输出特性
栅极阈值电压： V
GS
（ TH） （V ）
10
3
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（
)
V
DS
=10V
脉冲
4
V
DS
=10V
10
V
GS
=4V
脉冲
漏电流：我
D
(A)
1
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
2
10mA
1
I
D
=1mA
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.1
0
1
2
3
4
5
0
50 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.01
0.1
1
10
栅极阈值电压： V
GS
（ TH） （V ）
通道温度：总胆固醇（
°C)
漏电流：我
D
(A)
图4典型的传输特性
Fig.5
栅极阈值电压与
通道温度
图6静态漏源开 -
状态电阻与
漏电流（ Ι ）
2SK3065
晶体管
10
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（
)
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（
)
0.75
2A
0.5
I
D
=1A
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（ Ω ）
V
GS
=2.5V
脉冲
1
Ta=25°C
脉冲
1
V
GS
=4V
脉冲
0.5
2A
0.25
I
D
=1A
0
50 25
0.1
0.01
0.1
1
10
0
0
5
10
15
20
0
25
50
75
100
125
150
漏电流：我
D
(A)
栅源电压： V
GS
(V)
通道温度：总胆固醇（
°C)
Fig.7
静态漏源导通
状态电阻与
漏电流（ ΙΙ ）
Fig.8
静态漏源导通
状态电阻与
栅源电压
Fig.9
静态漏源导通
状态电阻与
通道温度
正向转移导纳： | YFS | （ S）
10
反向漏电流：我
DR
(A)
Ta=25°C
25°C
125°C
1
75°C
反向漏电流：我
DR
(A)
V
DS
=10V
脉冲
10
V
GS
=4V
脉冲
10
Ta=25°C
脉冲
4V
1
V
GS
=0V
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
漏电流：我
D
(A)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
Fig.10
转发Trasfer Admitance与
漏电流
Fig.11
反向漏电流 -
源极 - 漏极电压（ Ι ）
Fig.12
反向漏电流 -
源极 - 漏极电压（ ΙΙ ）
1000
电容：C （PF ）
C
国际空间站
100
C
OSS
TD （关闭）
100
tf
tr
TD （上）
反向恢复时间： TRR （ NS ）
V
GS
=0V
f=1MH
Z
Ta=25
°C
开关时间： T（ NS ）
1000
V
DD
30V
V
GS
=4V
R
G
=10
Ta=25
°C
脉冲
1000
di/dt=50A/s
V
GS
=0V
Ta=25°C
脉冲
100
10
C
RSS
1
0
10
漏源电压： V
SD
(V)
100
10
0.1
1
漏电流：我
D
(A)
10
10
0.1
1
反向漏电流：我
DR
(A)
10
Fig.13
典型的电容比。
漏源电压
Fig.14
开关特性
Fig.15
（测量电路图图17中，它指的是18倍）
反向恢复时间对比
反向漏电流
2SK3065
晶体管
10
归一化瞬时
热阻： R（T ）
1
D=1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
当安装在一个40 ×40× 0.7毫米
铝陶瓷板。
Ta=25°C
θ
TH（ CH-C ）
(t)
= r
(t)
θ
TH（ CH-C ）
θ
TH（ CH-C ）
=62.5°C/W
PW
T
D = PW
T
10
0.01
单脉冲
0.001
100
1m
10m
100m
脉冲宽度： Pw的（ S）
1
100
Fig.16
Normarized瞬态热电阻与脉冲宽度
！开关
特性测试电路
脉冲宽度
50%
10%
10%
90%
50%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
R
G
10%
90%
90%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
图17开关时间测试电路
图18开关时间波形
2SK3065
晶体管
小开关（ 60V ， 2A ）
2SK3065
！特点
1 ）低导通电阻。
2 ）高速开关。
3）最佳的口袋里的资源，因为对等
低电压驱动（ 2.5V驱动） 。
4 ）驱动电路是容易的。
5 ）易于使用的并行。
6 ）它是强的静电放电。
！结构
硅N沟道
MOS FET晶体管
！外部
尺寸
（单位：毫米）
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
1.5±0.1
4.0
+0.5
0.3
2.5
+0.2
0.1
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.3
0.4
+0.1
0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
ROHM ： MPT3
E I第j ： SC- 62
缩写符号： KE
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
！绝对
最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
反向漏
当前
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
P
D
总胆固醇
TSTG
1
1
！内部
等效电路
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
-GATE
保护
二极管
来源
门
漏
范围
60
±20
2
8
2
8
0.5
2
2
150
55+150
总功率耗散（TC = 25℃）
通道温度
储存温度
1
Pw
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
2
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米氧化铝板。
保护二极管已建成的
栅极和防止静电的来源
电时，该产品在使用中。
使用保护电路，当额定电压
超标。
！电
特征
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
分钟。
60
0.8
1.5
典型值。
0.25
0.35
160
85
25
20
50
120
70
马克斯。
±10
10
1.5
0.32
0.45
单位
A
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
=
±20V,
V
DS
=
0V
I
D
=
1mA时， V
GS
=
0V
V
DS
=
60V, V
GS
=
0V
V
DS
=
10V ，我
D
=
1mA
I
D
=
1A ，V
GS
=
4V
I
D
=
1A ，V
GS
=
2.5V
I
D
=
1A ，V
DS
=
10V
V
DS
=
10V
V
GS
=
0V
f
=
1MHz
I
D
=
1A ，V
DD
V
GS
=
4V
R
L
=
30
R
G
=
10
30V
Pw
≤
300μS ，占空比
≤
1%
2SK3065
晶体管
！包装
特定网络阳离子
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
2SK3065
TAPING
T100
1000
！电
特性曲线
3
总功耗：P
D
(W)
10
漏电流：我
D
(A)
1
Pw=10ms
2
漏电流：我
D
(A)
当安装在一个40 ×40× 0.7毫米
铝陶瓷板。
工作在这
区域由限定
R
DS （ ON）
100s
1ms
2
4V
3.5V
3V
2.5V
Ta=25°C
脉冲
2V
1
0.1
直流操作
1
0.01
Ta
=
25°C
单脉冲
V
GS
=1.5V
10
100
0
0
5
漏源电压： V
DS
(V)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.1
1
10
环境温度： TA（ ° C）
漏源电压： V
DS
(V)
Fig.1
总功耗对比
外壳温度
图2最大安全工作区
Fig.3
典型的输出特性
栅极阈值电压： V
GS
（ TH） （V ）
10
3
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（
)
V
DS
=10V
脉冲
4
V
DS
=10V
10
V
GS
=4V
脉冲
漏电流：我
D
(A)
1
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
2
10mA
1
I
D
=1mA
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.1
0
1
2
3
4
5
0
50 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.01
0.1
1
10
栅极阈值电压： V
GS
（ TH） （V ）
通道温度：总胆固醇（
°C)
漏电流：我
D
(A)
图4典型的传输特性
Fig.5
栅极阈值电压与
通道温度
图6静态漏源开 -
状态电阻与
漏电流（ Ι ）
2SK3065
晶体管
10
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（
)
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（
)
0.75
2A
0.5
I
D
=1A
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻，R
DS
（上）（ Ω ）
V
GS
=2.5V
脉冲
1
Ta=25°C
脉冲
1
V
GS
=4V
脉冲
0.5
2A
0.25
I
D
=1A
0
50 25
0.1
0.01
0.1
1
10
0
0
5
10
15
20
0
25
50
75
100
125
150
漏电流：我
D
(A)
栅源电压： V
GS
(V)
通道温度：总胆固醇（
°C)
Fig.7
静态漏源导通
状态电阻与
漏电流（ ΙΙ ）
Fig.8
静态漏源导通
状态电阻与
栅源电压
Fig.9
静态漏源导通
状态电阻与
通道温度
正向转移导纳： | YFS | （ S）
10
反向漏电流：我
DR
(A)
Ta=25°C
25°C
125°C
1
75°C
反向漏电流：我
DR
(A)
V
DS
=10V
脉冲
10
V
GS
=4V
脉冲
10
Ta=25°C
脉冲
4V
1
V
GS
=0V
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
漏电流：我
D
(A)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
Fig.10
转发Trasfer Admitance与
漏电流
Fig.11
反向漏电流 -
源极 - 漏极电压（ Ι ）
Fig.12
反向漏电流 -
源极 - 漏极电压（ ΙΙ ）
1000
电容：C （PF ）
C
国际空间站
100
C
OSS
TD （关闭）
100
tf
tr
TD （上）
反向恢复时间： TRR （ NS ）
V
GS
=0V
f=1MH
Z
Ta=25
°C
开关时间： T（ NS ）
1000
V
DD
30V
V
GS
=4V
R
G
=10
Ta=25
°C
脉冲
1000
di/dt=50A/s
V
GS
=0V
Ta=25°C
脉冲
100
10
C
RSS
1
0
10
漏源电压： V
SD
(V)
100
10
0.1
1
漏电流：我
D
(A)
10
10
0.1
1
反向漏电流：我
DR
(A)
10
Fig.13
典型的电容比。
漏源电压
Fig.14
开关特性
Fig.15
（测量电路图图17中，它指的是18倍）
反向恢复时间对比
反向漏电流
2SK3065
晶体管
10
归一化瞬时
热阻： R（T ）
1
D=1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
当安装在一个40 ×40× 0.7毫米
铝陶瓷板。
Ta=25°C
θ
TH（ CH-C ）
(t)
= r
(t)
θ
TH（ CH-C ）
θ
TH（ CH-C ）
=62.5°C/W
PW
T
D = PW
T
10
0.01
单脉冲
0.001
100
1m
10m
100m
脉冲宽度： Pw的（ S）
1
100
Fig.16
Normarized瞬态热电阻与脉冲宽度
！开关
特性测试电路
脉冲宽度
50%
10%
10%
90%
50%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
R
G
10%
90%
90%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
图17开关时间测试电路
图18开关时间波形
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