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2SK3051

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK3051

斩波稳压器DC-DC转换器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 24毫欧（典型值）。

单位：mm

: |Y

| = 27 S（典型值）。

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 50 V)

: V

= 1.5 3.0 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

135

115

150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（TC

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S1B

重量：1.5克（典型值）。

注意：

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化等）

可能会导致该产品的可靠性降低显著即使

的操作条件（即工作温度/电流/电压等）是

内的绝对最大额定值。请设计适当的可靠性

经审查东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人数据的可靠性

（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

3.125

83.3

单位

C / W

JEDEC

C / W

―

2-10S2B

JEITA

东芝

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

= 25 V ，T

= 25 ° C（初始）， L = 71

μH,

= 25

= 45 A

注3 ：重复评价;：脉冲宽度有限的最大通道

温度。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

重量：1.5克（典型值）。

2009-09-29

2SK3051

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 50 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 25 A

= 10 V，I

= 25 A

民

—

1.5

—

典型值。

—

1250

250

700

最大

±10

100

—

3.0

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

40 V, V

= 10 V，I

= 45 A

—

120

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 45 A，V

= 0 V

= 45 A，V

= 0 V

/ DT

50 A /

μs

民

—

典型值。

—

最大

135

1.7

—

单位

记号

注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明

标签。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注4

K3051

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC

与2003年1月27日，安理会对使用的限制

某些有害物质的电器和电子设备。

2009-09-29

2SK3051

限制产品使用

东芝公司及其子公司和联营公司（统称为“ TOSHIBA” ），保留更改信息的权利

在这个文件中，以及相关的硬件，软件和系统（统称为“产品”），恕不另行通知。

本文档的任何信息均不得转载未经东芝事先书面许可。即使

东芝的书面许可，复制是允许的，只要还原度没有改变/遗漏。

虽然东芝的作品不断地提高产品的质量和可靠性，产品可能出现故障或失败。客户

负责符合安全标准，并提供足够的设计和保障他们的硬件，软件和

这最大限度地降低风险，并避免出现在产品的故障或失效可能导致生命丧失，身体系统

人身伤害或财产损失，包括数据丢失或损坏。在创建和生产设计和使用，客户必须

也指并遵守第（一）所有相关信息东芝的最新版本，包括但不限于本文件，

规格，数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA

半导体可靠性手册“和（b）对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户

独自负责其自己的产品设计或应用程序的所有方面，包括但不限于：（a）确定的

使用此类设计或应用该产品的适当性; （ b）评价和确定的任何适用性

本文档中包含的信息，或图表，图表，程序，算法，样本应用电路，或其他任何

引用的文件; （三）验证了这样的设计和应用的所有工作参数。

东芝不承担任何

责任为客户的产品设计或应用。

产品适用于一般电子设备的应用程序（使用例如，计算机，个人设备，办公设备，测量

设备，工业机器人和家用电子电器），或针对特定应用本文件中的明确规定。

产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或

可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命，人身伤害，严重财产损失或严重损失

公众的影响（ “误用”）。意想不到的用途包括，但不限于核设施中使用的设备，二手设备

在航空航天工业，医疗设备，用于汽车，火车，轮船等运输，交通信号设备

设备，用来控制发火或爆炸，安全装置，电梯和自动扶梯设备，相关电力设备

电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可

文档。

请勿拆解，分析，逆向工程，变更，修改，翻译或复制的产品，不论是全部或部分转载。

产品不应被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或销售下任何被禁止的

适用的法律或规例。

此处包含的信息显示仅作为产品使用指导。承担任何责任东芝对于任何

侵犯第三方专利或可能导致使用产品，任何其他知识产权。无许可证

任何知识产权授予本文档，无论明示或暗示，禁止反言或其他方式。

如果没有书面签署的协议，除非在有关的销售条款和条件

如欲了解产品，而到了最大范围内法律允许， TOSHIBA （ 1 ）不承担任何责任

负责，包括但不限于，间接的，继发的，特殊的或偶然的损坏或

损失，包括但不限于利润损失，机会损失，营业中断及

数据丢失;（2 ）拒绝任何明示或暗示的保证以及与条件

销售，使用的产品，或信息，包括有关适销性条件，适

适用于特定用途，精度信息，或不侵权的。

不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的，包括但

限制，在设计，开发，使用，核武器，化学武器或生物武器或导弹储存或生产

技术产品（大规模杀伤武器）。产品及相关软件和技术可根据被控制

日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品

或相关软件或技术被严格禁止的项目除外遵守所有适用的出口法律和法规。

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品，

包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任

不遵守适用的法律和法规。

2009-09-29

2SK3051

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK3051

斩波稳压器DC-DC转换器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 24毫欧（典型值）。

: |Y

| = 27 S（典型值）。

单位：mm

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 50 V)

: V

= 1.5~3.0 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

135

115

150

55~150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（TC

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S1B

重量：1.5克（典型值）。

注意：

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化等）

可能会导致该产品的可靠性降低显著即使

的操作条件（即工作温度/电流/电压等）是

内的绝对最大额定值。请设计适当的可靠性

经审查东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ /降级的概念和方法）和个人可靠性数据（即

可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

3.125

83.3

单位

C / W

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S2B

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

= 25 V ，T

= 25 ° C（初始）， L = 71

μH,

= 25

= 45 A

注3 ：重复评价;：脉冲宽度有限的最大通道

温度。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

重量：1.5克（典型值）。

2006-11-17

2SK3051

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 50 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 25 A

= 10 V，I

= 25 A

民

—

1.5

—

典型值。

—

1250

250

700

最大

±10

100

—

3.0

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

40 V, V

= 10 V，I

= 45 A

—

120

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 45 A，V

= 0 V

= 45 A，V

= 0 V

/ DT

50 A /

μs

民

—

典型值。

—

最大

135

1.7

—

单位

记号

K3051

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-17

2SK3051

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2006-11-17