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SMD型
硅N沟道功率的F- MOSFET
2SK3024
IC
MOSFET
特点
雪崩能量容量保证
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
高压静电击穿电压
2.3
4.60
+0.15
0.50
-0.15
低电压驱动
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.15
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
60
20
20
40
20
1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=10A,V
GS （ ON）
=10V,R
L
=3 ,V
DD
=30V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
I
D
=1mA,V
GS
=0
V
DS
=50V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=10A
V
GS
=10V,I
D
=10A
V
GS
=4V,I
D
=10A
1
8
12
33
44
330
290
70
20
125
1480
520
50
70
民
60
10
10
2.5
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
3
.8
0
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1
动力F- MOS场效应管
2SK3024 （试行）
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
低导通电阻
q
无二次击穿
q
低电压驱动
q
高压静电击穿电压
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路，一个马达
q
控制设备
q
开关电源
7.3±0.1
1.8±0.1
单位：mm
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
2.3±0.1
0.5±0.1
s
应用
2.5±0.1
0.8max
0.93±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
60
±20
±20
±40
20
20
1
150
55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
1
2
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
U型套餐
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
内部连接
W
°C
°C
S
G
D
L = 0.1mH ，我
L
= 20A ， 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS(on)1
R
DS(on)2
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D（上）
t
r
t
f
t
D（关闭）
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
V
DD
= 30V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V ，R
L
= 3
条件
V
DS
= 50V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= 4V ，我
D
= 10A
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A
I
DR
= 20A ，V
GS
= 0
330
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
290
70
20
125
520
1480
6.25
125
8
60
1
33
44
12
1.5
2.5
50
70
民
典型值
最大
10
±10
单位
A
A
V
V
m
m
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
输入电容（共源）C
国际空间站
输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
RSS
开启时间（延迟时间）
上升时间
下降时间
关断时间（延迟时间）
通道与外壳之间的热阻
通道与大气之间的热电阻
1.0±0.2
1
SMD型
IC
MOSFET
产品speci fi cation
2SK3024
特点
雪崩能量容量保证
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
高压静电击穿电压
2.3
4.60
+0.15
0.50
-0.15
低电压驱动
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.15
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
60
20
20
40
20
1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=10A,V
GS （ ON）
=10V,R
L
=3 ,V
DD
=30V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
I
D
=1mA,V
GS
=0
V
DS
=50V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=10A
V
GS
=10V,I
D
=10A
V
GS
=4V,I
D
=10A
1
8
12
33
44
330
290
70
20
125
1480
520
50
70
民
60
10
10
2.5
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
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3
.8
0
4008-318-123
1 1
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