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2SK2995

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK2995

斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 48毫欧（典型值）。

单位：mm

: |Y

| = 30 S（典型值）。

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 250 V)

: V

= 1.5 3.5 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

250

±20

120

925

150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-16F1B

重1.9克（典型值）

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

1.39

41.6

单位

C / W

注1 ：

确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

= 50 V ，T

= 25 ° C（初始）， L = 1.74 mH的，我

= 30 A，R

= 25

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

2009-09-29

2SK2995

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 250 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1m的情况

= 10 V，I

= 15 A

= 10 V，I

= 15 A

民

—

250

1.5

—

典型值。

—

5400

580

1900

最大

±10

100

—

3.5

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

200 V, V

= 10 V，I

= 30 A

—

200

132

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 30 A，V

= 0 V

= 30 A，V

= 0 V

/ DT = 100 A /

μs

民

—

典型值。

—

270

3.0

最大

120

2.0

—

单位

μC

记号

注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明

标签。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC

与2003年1月27日，安理会对使用的限制

某些有害物质的电器和电子设备。

东芝

K2995

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注4

2009-09-29

2SK2995

2009-09-29

2SK2995

2009-09-29

2SK2995

= 25

= 50 V，L = 1.74 mH的

VDSS

2009-09-29

2SK2995

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK2995

斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 48毫欧（典型值）。

: |Y

| = 30 S（典型值）。

单位：mm

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 250 V)

: V

= 1.5~3.5 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

250

±20

120

925

150

55~150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-16F1B

重1.9克（典型值）

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

1.39

41.6

单位

C / W

注1 ：

确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

= 50 V ，T

= 25 ° C（初始）， L = 1.74 mH的，我

= 30 A，R

= 25

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

2006-11-21

2SK2995

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 250 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1m的情况

= 10 V，I

= 15 A

= 10 V，I

= 15 A

民

—

250

1.5

—

典型值。

—

5400

580

1900

最大

±10

100

—

3.5

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

200 V, V

= 10 V，I

= 30 A

—

200

132

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 30 A，V

= 0 V

= 30 A，V

= 0 V

/ DT = 100 A /

μs

民

—

典型值。

—

270

3.0

最大

120

2.0

—

单位

μC

记号

东芝

K2995

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-21

2SK2995

2006-11-21

2SK2995

2006-11-21

2SK2995

= 25

= 50 V，L = 1.74 mH的

VDSS

2006-11-21