【2SK2991东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）2SK2991DC-DC转换器】,IC型号2SK2991,2SK2991 PDF资料,2SK2991经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2991

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK2991

DC-DC转换器继电器驱动器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 1.35

（典型值）。

高正向转移导纳

: |Y

| = 4.0 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 500 V)

增强型： V

= 2.0 4.0 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

500

±30

180

150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S1B

重量：1.5克（典型值）。

注意：

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化，

等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压，

等）的绝对最大额定值。请设计

经审查东芝半导体适当的可靠性

可靠性手册（ “注意事项” / “降额概念和

办法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告和

估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

2.5

83.3

单位

C / W

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S2B

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

= 90 V，T

= 25 ° C（初始）， L = 12.2 mH的，R

= 25

= 5 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道

温度

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

重量：1.5克（典型值）。

2009-09-29

2SK2991

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

400 V, V

= 10 V，I

= 5 A

—

符号

GSS

（ BR ） GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±25 V, V

= 0 V

= ±10

μA,

= 0 V

= 500 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 2.5 A

= 10 V，I

= 2.5 A

民

—

±30

—

500

2.0

—

2.5

—

典型值。

—

1.35

4.0

780

200

最大

±10

—

100

—

4.0

1.50

—

单位

μA

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

= 5 A，V

= 0 V

= 5 A，V

= 0 V ，二

/ DT = 100 A /

μs

测试条件

—

民

—

典型值。

—

1400

最大

1.7

—

单位

μC

记号

注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明

标签。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注4

K2991

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC

与2003年1月27日，安理会对使用的限制

某些有害物质的电器和电子设备。

2009-09-29

2SK2991

2009-09-29

2SK2991

2009-09-29

2SK2991

= 25

= 90 V，L = 12.2毫亨

VDSS

2009-09-29

2SK2991

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK2991

DC-DC转换器继电器驱动器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 1.35

（典型值）。

高正向转移导纳

: |Y

| = 4.0 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 500 V)

增强型： V

= 2.0~4.0 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

500

±30

180

150

55~150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S1B

重量：1.5克（典型值）。

注意：

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化，

等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压，

等）的绝对最大额定值。请设计

经审查东芝半导体适当的可靠性

可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和

方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，

估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

2.5

83.3

单位

C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

= 90 V，T

= 25 ° C（初始）， L = 12.2 mH的，R

= 25

= 5 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道

温度

此晶体管是静电感应装置。

请谨慎操作。

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S2B

重量：1.5克（典型值）。

2006-11-06

2SK2991

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

400 V, V

= 10 V，I

= 5 A

—

符号

GSS

（ BR ） GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±25 V, V

= 0 V

= ±10

μA,

= 0 V

= 500 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 2.5 A

= 10 V，I

= 2.5 A

民

—

±30

—

500

2.0

—

2.5

—

典型值。

—

1.35

4.0

780

200

最大

±10

—

100

—

4.0

1.50

—

单位

μA

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

= 5 A，V

= 0 V

= 5 A，V

= 0 V ，二

/ DT = 100 A /

μs

测试条件

—

民

—

典型值。

—

1400

最大

1.7

—

单位

μC

记号

K2991

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-06

2SK2991

2006-11-06

2SK2991

2006-11-06

2SK2991

= 25

= 90 V，L = 12.2毫亨

VDSS

2006-11-06