三菱RF功率MOS FET
2SK2973
描述
2SK2973是一个MOS场效应管型晶体管特别设计
VHF / UHF功率放大器的应用。
外形绘图
4.6MAX
1.6±0.2
尺寸（mm）
1.5±0.1
特点
高功率增益： Gpe≥13dB
@V
DD
=9.6V,f=450MHz,Pin=17dBm
高效率： 55 ％ （典型值） 。
源案件类型SOT- 89封装
（内部连接到源）
1
2
3
应用
对于驱动级和功率放大器在VHF / UHF的输出级
波段便携式收音机。
1.5
0.53
最大
0.48MAX
1 ：排水
2 ：源
3 ：门
0.4 +0.03
-0.05
3.0
记号
SOT-89
记号
型号
K1
LOT号
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
P
ch
T
j
T
英镑
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
结温
储存温度
条件
评级
17
±10
1.5
150
-40到+110
单位
V
V
W
C
C
Tc=25C
(Note2)
注1 ：以上参数是独立的保证。
2 ：焊接在印刷电路板（铜叶面积; 70 × 70毫米， T = 1.6毫米环氧玻璃）
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
C
国际空间站
C
OSS
P
OUT
h
D
参数
测试条件
V
DS
=12V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 7V ，我
DS
=1mA
V
GS
=10V, V
DS
=0V,f=1MHz
V
DS
=10V, V
GS
=0V,f=1MHz
V
DS
= 9.6V ，P
in
=50mW,f=450MHz
民
范围
典型值
最大
10
1
1.8
单位
A
A
V
pF
pF
W
%
阈值电压
1.2
10
8
1.2
55
1
45
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
十一月'97
三菱RF功率MOS FET
2SK2973
典型性能数据
I
DS
与V
DS
1.2
T
C
=25C
5.0V
1.0
4.5V
0.8
4.0V
0.6
3.5V
3.0V
2.5V
V
GS
=2.0V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0.6
0.8
1.0
1.2
V
DS
=9.6V
T
C
=25C
I
DS
与V
GS
0.4
0.2
0.4
0.2
V
DS
(V)
V
GS
(V)
P
O
加VS.针
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
85
80
75
P
O
70
65
60
55
η
添加
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
3
4
5
P
O
加，T VS. V
DD
95
90
P
O
85
80
75
70
65
60
η
添加
55
50
45
40
6
7
8
9
35
10 11 12 13
η
t
0
2
输入功率Pin （ DBM）
漏极供电电压V
DD
(V)
等效电路
@V
DD
= 9.6V比赛
39mm
1mm
3mm
4.5mm
8mm
4mm
37mm
C2
GR40-220
22pF
C1
GR40-102
1000pF
L1
3Turns AWG ＃ 31 ， φ0.8
漆包线（毫米）
L3
R1
CR10-103
10000
R2
CR10-101
100
C6
GR40-102
1000pF
3Turns AWG ＃ 31 ， φ0.8
漆包线（毫米）
C10
GR40-100
10pF
L2
5Turns AWG ＃ 26 ， φ1.1
漆包线（毫米）
C11
GR40-102
1000pF
输入
V
GG
C3
C4
C5
GR40-10 GR40-102
10pF
1000pF
22 μF 50V
V
DD
C7
C8
C9
GR40-10 GR40-102
10pF
1000pF
22 μF 50V
产量
注：板料玻璃基板EPOXI任务
微带线宽度= 1mm时，
ε
R： 4.8 ， T = 0.6毫米
十一月'97
QQ：2881677436 复制
