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2SK2963

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L

2

-π -MOS

V)

2SK2963

DC-DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器

应用

4 V栅极驱动

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

=

0.5

Ω

（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

|

=

1.2 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

=

100

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

=

100 V)

增强型： V

th

=

0.8至2.0V （Ⅴ

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安）

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

（注2 ）

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

100

±20

1

3

0.5

1.5

137

1

0.05

150

55

150

单位

V

A

脉冲（注1 ）

JEDEC

W

mJ

A

mJ

°C

2-5K1B

JEITA

东芝

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复雪崩能量（注4 ）

通道温度

存储温度范围

重量0.05克（典型值）。

注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。

注2 ：安装在陶瓷基板（25.4毫米

×

25.4 mm

×

0.8 mm)

注3 ： V

DD

=

25 V ，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

221毫亨，R

G

=

25

Ω,

I

AR

=

1 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

注5 ：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加和显著变化

在温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电敏感器件。

请谨慎操作。

热特性

特征

耐热性，信道至环境

符号

R

第（章-a）的

最大

250

单位

° C / W

1

2007-03-16

2SK2963

记号

Z

B

（这两个数字代表的部件号。）

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

测试条件

V

GS

= ±16

V, V

DS

=

0 V

V

DS

=

100 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安

V

GS

=

4 V，I

D

=

0.5 A

V

GS

=

10 V，I

D

=

0.5 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

0.5 A

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

10 V

0V

50

Ω

I

D

=

0.5 A

R

L

=

50

Ω

V

OUT

民

100

0.8

0.6

典型值。

0.65

0.5

1.2

140

20

45

8

13

45

175

6.3

4.3

2

最大

±10

100

2.0

0.95

0.7

ns

nC

单位

μA

V

Ω

S

pF

V

GS

V

DD

50 V

税

≤

1%, t

w

=

10

μs

V

DD

80 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

1 A

V

DD

80 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

1 A

V

DD

80 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

1 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注1 ）

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

测试条件

I

DR

=

1 ，V

GS

=

0 V

I

DR

=

1 ，V

GS

=

0 V ，二

DR

/ DT

=

50 A / μs的

I

DR

=

1 ，V

GS

=

0 V ，二

DR

/ DT

=

50 A / μs的

民

典型值。

80

140

最大

1

3

1.5

单位

A

V

ns

μC

2

2007-03-16

2SK2963

3

2007-03-16

2SK2963

4

2007-03-16

2SK2963

5

2007-03-16

2SK2963

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L

2

-π -MOS

V)

2SK2963

DC-DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器

应用

4 -V栅极驱动

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

=

0.5

Ω

（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

|

=

1.2 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

=

100

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

=

100 V)

增强型： V

th

=

0.8至2.0V （Ⅴ

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安）

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

（注2 ）

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

100

±20

1

3

0.5

1.5

137

1

0.05

150

55

150

单位

V

A

脉冲（注1 ）

JEDEC

W

mJ

A

mJ

°C

2-5K1B

JEITA

东芝

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复雪崩能量（注4 ）

通道温度

存储温度范围

重量0.05克（典型值）。

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：安装在一个陶瓷基板（25.4毫米

×

25.4 mm

×

0.8 mm)

注3 ： V

DD

=

25 V ，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

221毫亨，R

G

=

25

Ω,

I

AR

=

1 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

注5 ：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加和显著变化

在温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / ''降级概念和可靠性

方法''）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。

小心轻放。

热特性

特征

耐热性，信道至环境

符号

R

第（章-a）的

最大

250

单位

° C / W

1

2008-03-06

2SK2963

记号

Z

B

（这两个数字代表的部件号。）

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

测试条件

V

GS

= ±16

V, V

DS

=

0 V

V

DS

=

100 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安

V

GS

=

4 V，I

D

=

0.5 A

V

GS

=

10 V，I

D

=

0.5 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

0.5 A

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

10 V

0V

50

Ω

I

D

=

0.5 A

R

L

=

100

Ω

V

OUT

民

100

0.8

0.6

典型值。

0.65

0.5

1.2

140

20

45

8

13

45

175

6.3

4.3

2

最大

±10

100

2.0

0.95

0.7

ns

nC

单位

μA

V

Ω

S

pF

V

GS

V

DD

≈

50 V

税

≤

1%, t

w

=

10

μs

V

DD

≈

80 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

1 A

V

DD

≈

80 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

1 A

V

DD

≈

80 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

1 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注1 ）

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

测试条件

I

DR

=

1 ，V

GS

=

0 V

I

DR

=

1 ，V

GS

=

0 V ，二

DR

/ DT

=

50 A / μs的

I

DR

=

1 ，V

GS

=

0 V ，二

DR

/ DT

=

50 A / μs的

民

典型值。

80

140

最大

1

3

1.5

单位

A

V

ns

μC

2

2008-03-06

2SK2963

3

2008-03-06

2SK2963

4

2008-03-06

2SK2963

5

2008-03-06