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2SK2958(L),2SK2958(S)
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-568B （ Z）
3 。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 5.5mΩ （典型值） 。
4V栅极驱动装置。
高速开关
概要
LDPAK
4
D
4
1
G
1
2
3
2
3
S
1.门
2.漏
3.源
4.漏
2SK2958(L),2SK2958(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
75
300
75
100
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
30
±20
—
—
1.0
—
—
35
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
5.5
9.0
60
4100
2700
800
45
430
460
440
1.0
90
最大
—
—
10
±10
2.0
7.0
14.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 75A ，V
GS
= 0
I
F
= 75A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 40A ，V
GS
= 10V
Note3
I
D
= 40A ，V
GS
= 4V
Note3
I
D
= 40A ，V
DS
= 10V
Note3
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
R
L
= 0.25
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
零门voltege漏电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
3.脉冲测试
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK2958(L),2SK2958(S)
主要特点
功率与温度降额
160
1000
300
P沟（W）的
I
D
(A)
最高安全工作区
10
PW
120
100
30
10
3
1
0.3
散热通道
80
漏电流
40
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1 m
s
=1
s
0m
DC
s(
1s
Op
ho
e
t)
（T慧慧
C =上
25
°C
)
10
s
0
0
50
100
150
200
壳温度（ ° C）
0.1 TA = 25℃
3
0.1 0.3
1
10
漏极至源极电压V
30
(V)
DS
100
典型的输出特性
典型的传输特性
100
V
GS
= 10 V
6V
5V
4V
100
脉冲测试
I
D
(A)
80
I
D
(A)
80
V
DS
= 10 V
脉冲测试
3.5 V
60
60
25°C
75°C
20
TC = -25°C
漏电流
40
漏电流
3V
40
20
2.5 V
0
2
4
6
漏极至源极电压V
8
(V)
DS
10
0
1
2
3
栅极至源极电压V
4
(V)
GS
5
3
2SK2958(L),2SK2958(S)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
W
)
50
0.5
脉冲测试
脉冲测试
20
0.4
0.3
I
D
= 50 A
10
V
GS
= 4 V
10 V
0.2
20 A
10 A
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
5
0.1
2
1
1
3
10
30
100 300
漏电流I
D
(A)
1000
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m
W
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
20
脉冲测试
16
I
D
= 50 A
12
V
GS
= 4 V
8
10, 20 A
4
0
–40
10 V
50 A
20 A
10 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
75 °C
25 °C
TC = -25°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
4
2SK2958(L),2SK2958(S)
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
100000
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
500
200
100
50
20
10
0.1
30000
10000
3000
1000
CRSS
300
100
0
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
科斯
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
50
I
D
= 75 A
V
GS
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
DS
20
5000
2000
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 10 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
吨D（关闭）
tf
tr
吨D（上）
开关时间t（ NS ）
40
16
1000
500
200
100
50
20
10
漏源极电压
30
12
20
8
10
V
DD
= 25 V
10 V
5V
80
160
240
320
栅极电荷Qg （ NC ）
4
0
400
栅极至源极电压
0
5
5 10 20 50 100
0.1 0.2 0.5 1 2
漏电流I
D
(A)
5
查看更多2SK2958SPDF信息
推荐型号
2150QA
24IMO6-1515-2
2-1437621-9
2-1393248-6
20020106-H061A01LF
24C01C_07
2N4899X
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