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2SK2932
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1046-0400
（上一个： ADE- 208-555B ）
Rev.4.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS
=0.055
典型值。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AE -A
（包名称： TO- 220C FM）
D
G
1.门
2.漏
3.源
12
3
S
Rev.4.00 2005年9月7日第1页7
2SK2932
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
3.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
10
40
10
10
8.5
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
60
±20
—
—
1.5
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.055
0.090
8
350
190
70
10
55
60
70
0.9
50
最大
—
—
±10
10
2.5
0.075
0.150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10V
I
D
= 5 A，V
GS
= 10V
Note4
I
D
= 5 A，V
GS
= 4V
Note4
I
D
= 5 A，V
DS
= 10V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A，V
GS
= 10V,
R
L
= 6
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
Rev.4.00 2005年9月7日第2 7
2SK2932
主要特点
功率与温度降额
40
1000
300
30
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
PW
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
10
10
0
1
s
m
=
10
s
m
s(
s
20
DC
Op
er
at
10
离子
1s
(T
ho
c=
t)
25
°
C
)
0
50
100
150
200
0.1
0.1
TA = 25°C
0.3
1
3
10
30
100
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10 V 6 V
20
脉冲测试
5V
20
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
16
TC = -25°C
12
25°C
12
4V
75°C
8
8
4
3V
V
GS
= 2.5 V
4
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
1.0
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
0.05
V
GS
= 4 V
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
2.0
脉冲测试
1.6
1.2
0.8
I
D
= 10 A
0.4
5A
2A
4
8
12
16
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10 V
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
0
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页7
2SK2932
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
0.5
脉冲测试
0.4
20
10
5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
TC = -25°C
0.3
I
D
= 10 A
0.2
V
GS
= 4 V
25°C
75°C
5A 2A
2
1
0.5
0.1 0.2
0.1
0
–40
10 V
0
40
80
10 A 2, 5 A
120
160
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10 20
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
500
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
1000
500
反向恢复时间trr （ NS ）
100
50
20
10
5
0.1 0.2
电容C （PF ）
200
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
西塞
200
科斯
100
50
20
10
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0.5
1
2
5
10 20
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 10 A
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
V
DS
V
GS
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
TD （上）
TD （关闭）
tf
tr
100
60
12
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
4
0
20
开关时间t（ NS ）
80
16
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
0
4
8
12
16
0.2
0.5
1
2
5
10 20
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第4 7
2SK2932
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
(A)
20
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
10
I
AP
= 10 A
V
DD
= 25 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
反向漏电流I
DR
16
10 V
12
5V
8
V
GS
= 0, –5 V
8
6
4
4
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
秒（ t）的
θ
CH - C
θ
CH - C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
PW
T
D=
0.03
0.01
10
0.02
e
1
ULS
0.0
tp
ho
1s
PW
T
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
雪崩测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
PW （S ）
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.4.00 2005年9月7日第5 7
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2-320573-4
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