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2SK2928
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1042-0400
（上一个： ADE- 208-551B ）
Rev.4.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.040
典型值。
4 V栅极驱动装置。
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A
（包名称： TO- 220AB ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
1
2
3
Rev.4.00 2005年9月7日第1页7
2SK2928
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.值在TA = 25
°
C
3.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
15
60
15
15
19
40
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
60
±20
—
—
1.5
—
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.040
0.060
11
500
260
110
10
80
100
110
0.9
50
最大
—
—
10
±10
2.5
0.052
0.105
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 8 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A,
R
L
= 3.75
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
Rev.4.00 2005年9月7日第2 7
2SK2928
主要特点
功率与温度降额
80
0
1000
300
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
60
100
30
10
3
1
0.3
DC
10
PW
Op
er
40
=
1
10
m
(T
10
s
0
m
s
s
1s
ho
t
)
ATI
on
s(
20
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
3
c=
25
°
C
)
0
50
100
150
200
0.1 TA = 25℃
0.1 0.3
1
10
30
100
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10 V 6 V 5 V
20
4 .5 V
4V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
12
3.5 V
8
3V
4
V
GS
= 2.5 V
漏电流I
D
(A)
16
脉冲测试
16
12
8
TC = 75℃
25°C
4
–25°C
10
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
2.0
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
1.0
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
0.05
10 V
0.02
0.01
1
2
5
10
20
50
100
V
GS
= 4 V
1.6
1.2
I
D
= 20 A
0.8
0.4
10 A
5A
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页7
2SK2928
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
0.20
脉冲测试
0.16
I
D
= 10 A
V
GS
= 4 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
20
10
5
TC = -25°C
25°C
0.12
5A
0.08
2
1
0.5
0.1 0.2
75°C
0.04
10 V
0
–40
0
40
20 A 10 A 5 A
V
DS
= 10 V
脉冲测试
80
120
160
0.5
1
2
5
10 20
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
500
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
2000
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
0.1 0.2
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
500
200
100
50
20
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
科斯
CRSS
0.5
1
2
5
10 20
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 15 A
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
1000
300
TD （关闭）
100
V
GS
开关时间t（ NS ）
80
V
DS
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
16
100
30
10
3
1
0.1
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
tf
tr
TD （上）
60
12
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
4
0
400
0
8
16
24
32
0.2
0.5
1
2
5
10 20
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第4 7
2SK2928
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
(A)
20
25
I
AP
= 15 A
V
DD
= 25 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
反向漏电流I
DR
16
10 V
5V
V
GS
= 0, –5 V
20
12
15
8
10
4
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
秒（ t）的
θ
CH - C
θ
CH - C = 3.12 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
PW
T
0.03
0.02
1
LSE
0.0
吨PU
ho
1s
D=
PW
T
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
雪崩测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
PW （S ）
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.4.00 2005年9月7日第5 7
2SK2928
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-551B （ Z）
3 。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.040Ω （典型值） 。
4V栅极驱动装置。
高速开关
概要
TO–220AB
D
G
1
2
S
3
1.门
2.漏（法兰
3.源
2SK2928
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
15
60
15
15
19
40
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.值在TA = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
2
2SK2928
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零门voltege漏电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
4.脉冲测试
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
60
±20
—
—
1.5
—
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.040
0.060
11
500
260
110
10
80
100
110
0.9
50
最大
—
—
10
±10
2.5
0.052
0.105
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 15A ，V
GS
= 0
I
F
= 15A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V
I
D
= 8A ，V
GS
= 10V
Note4
I
D
= 8A ，V
GS
= 4V
Note4
I
D
= 8A ，V
DS
= 10V
Note4
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
R
L
= 3.75
3
2SK2928
主要特点
功率与温度降额
80
0
P沟（W）的
最高安全工作区
1000
300
I
D
(A)
60
100
30
10
3
1
0.3
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TA = 25°C
3
0.3
1
10
漏极至源极电压V
DC
10
PW
Op
ERA
s
散热通道
40
漏电流
10
0
1 m
s
=1
0m
s
TIO
s(
n(
1s
ho
5°
Tc
t)
20
=2
C)
0
50
100
150
200
0.1
0.1
壳温度（ ° C）
30
(V)
DS
100
典型的输出特性
10 V 6 V 5 V
20
4 .5 V
16
I
D
(A)
典型的传输特性
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
漏电流
4V
脉冲测试
16
12
3.5 V
8
3V
4
V
GS
= 2.5 V
0
2
4
6
漏极至源极电压V
8
(V)
DS
10
12
漏电流
8
25°C
TC = 75℃
4
–25°C
0
1
2
3
栅极至源极电压V
4
(V)
GS
5
4
2SK2928
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
1.6
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
W
)
2.0
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1.0
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
V
GS
= 4 V
10 V
1.2
I
D
= 20 A
0.8
0.05
0.4
10 A
5A
0.02
0.01
1
2
5
10 20
50
漏电流I
D
(A)
100
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
W
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.20
脉冲测试
0.16
I
D
= 10 A
5A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
20
10
5
TC = -25°C
25 °C
0.12
V
GS
= 4 V
0.08
2
1
0.5
0.1 0.2
75 °C
0.04
10 V
0
–40
20 A 10 A 5 A
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5 1
2
5 10 20
漏电流I
D
(A)
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
5
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2SC5078
2N4352
2SD2179R
2SA1896
22-16-2070
2N6294
2SC3749L
24AA32AXT-I/SMG
2SK3100
254980
253A104C60NB
27C512A-90EP
252B124A50TA
2SA1544K
2SK2545_06
2SA1179-7
2030C
2410RL-04W-B70-C00
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