【SMD型N沟道MOSFET硅2SK2926SICMOSFET特点低导通电阻RDS=0.042典型值。】,IC型号2SK2926S,2SK2926S PDF资料,2SK2926S经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

N沟道MOSFET硅

2SK2926S

IC

MOSFET

特点

低导通电阻

R

DS

=0.042

典型值。

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

高速开关

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

0.50

-0.15

+0.1

0.80

-0.1

0.127

最大

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

1门

2漏

3源

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

功耗

通道温度

储存温度

* PW

10秒，占空比1 ％

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

dp

*

P

D

T

ch

T

英镑

等级

60

20

15

60

25

150

-55到+150

单位

V

A

W

电气特性TA = 25

参数

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

V

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

Y

fs

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

on

t

r

t

关闭

tf

I

D

=8A,V

GS （ ON）

=10V,R

L

=3.75

V

DS

=10V,V

GS

=0,f=1MHZ

Testconditons

I

D

=10mA,V

GS

=0

V

DS

=60V,V

GS

=0

V

GS

= 16V,V

DS

=0

V

DS

=10V,I

D

=1mA

V

DS

=10V,I

D

=8A

V

GS

=10V,I

D

=8A

V

GS

=4V,I

D

=8A

1.5

7

11

0.042 0.055

0.065

500

260

110

10

80

100

110

0.11

pF

ns

民

60

10

2.5

典型值

最大

单位

V

A

V

S

3

.8

0

www.kexin.com.cn

1

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE-208-535

1日。版

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.042Ω （典型值）。

4V栅极驱动装置。

高速开关

概要

DPAK–2

4

D

1 2

G

3

S

1 2

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.值在TA = 25℃

3.值在TA = 25 ℃， RG

≥

50

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

I

AP

*

3

E

AR

*

3

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

60

±20

15

60

15

19

25

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°C

2

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

零门voltege漏

当前

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

DSS

I

GSS

民

60

±20

—

1.5

—

7

—

典型值

—

0.042

0.065

11

500

260

110

10

80

100

110

1.0

55

最大

—

10

±10

2.5

0.055

0.11

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 15A ，V

GS

= 0

I

F

= 15A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

测试条件

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±16V,

V

DS

= 0

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 8A ，V

GS

= 10V*

1

I

D

= 8A ，V

GS

= 4V*

1

I

D

= 8A ，V

DS

= 10V*

1

V

DS

= 10V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 10V ，我

D

= 8A

R

L

= 3.75

门源截止电压V

GS （ OFF ）

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

反向传输电容的Crss

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

1.脉冲测试

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

主要特点

功率与温度降额

40

P沟（W）的

1000

I

D

(A)

300

100

30

10

3

1

0.3

TA = 25°C

0

50

100

150

TC （ ℃）

200

DC

PW

最高安全工作区

30

散热通道

漏电流

20

=

Op

10

1

10

0

s

0

s

1

m

s

ms

(

1s

ho

er

10

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

at

离子

(T

c=

t)

25

°

C

)

外壳温度

0.1

3

30

0.1 0.3

1

10

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

10 V 6 V 5 V

20

4 .5 V

I

D

(A)

16

3.5 V

4V

(A)

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

16

12

I

D

漏电流

12

漏电流

8

3V

4

脉冲测试

V

GS

= 2.5 V

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

8

TC = 75℃

25°C

4

–25°C

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

V

GS

(V)

5

4

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

2.0

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1.0

脉冲测试

0.5

0.2

0.1

V

GS

= 4 V

10 V

1.6

1.2

I

D

= 20 A

0.8

0.05

0.4

10 A

5A

0.02

0.01

1

2

5

10 20

50

漏电流I

D

(A)

100

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.20

脉冲测试

0.16

I

D

= 10 A

5A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

20

10

5

TC = -25

°C

25

°C

0.12

V

GS

= 4 V

0.08

2

1

0.5

0.1 0.2

75

°C

0.04

10 V

0

–40

20 A 10 A 5 A

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5 1

2

5 10 20

漏电流I

D

(A)

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

5

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1040-0200

（上一个： ADE- 208-535 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.042

典型值。

4 V栅极驱动装置。

高速开关

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B

（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ））

4

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

4

G

1

2

3

D

1.门

2.漏

3.源

4.漏

1

2 3

S

Rev.2.00 2005年9月7日第1页8

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.值在TA = 25

°

C

3.值在TA = 25

°

C， RG

≥

50

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

I

AP

*

3

E

AR

*

3

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

60

±20

15

60

15

19

25

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

60

±20

—

1.5

—

7

—

典型值

—

0.042

0.065

11

500

260

110

10

80

100

110

1.0

55

最大

—

10

±10

2.5

0.055

0.11

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 8 A，V

GS

= 10 V*

4

I

D

= 8 A，V

GS

= 4 V*

4

I

D

= 8 A，V

DS

= 10 V*

4

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 8 A,

R

L

= 3.75

I

F

= 15 A，V

GS

= 0

I

F

= 15 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 50 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2页8

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

主要特点

功率与温度降额

40

1000

300

30

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

100

30

10

3

1

0.3

PW

20

DC

=

10

0

50

100

150

200

0.1

sh

OT ）

n

操作

(T

c=

这个区域是

25

限于由R

DS （ ON）

°

C

)

TA = 25°C

Op

er

a

10

1

10

0

s

0

s

1

m

s

ms

(1

TIO

0.3

1

3

10

30

DS

100

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

10 V 6 V 5 V

20

4 .5 V

4V

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

12

3.5 V

漏电流I

D

(A)

16

12

8

3V

4

脉冲测试

V

GS

= 2.5 V

8

TC = 75℃

25°C

4

–25°C

10

0

1

2

3

4

5

0

2

4

6

8

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

1.0

脉冲测试

0.5

0.2

0.1

0.05

10 V

0.02

0.01

1

2

5

10

20

50

100

V

GS

= 4 V

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

2.0

脉冲测试

1.6

1.2

I

D

= 20 A

0.8

0.4

10 A

5A

0

4

8

12

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页8

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

y

fs

(S)

0.20

脉冲测试

0.16

I

D

= 10 A

5A

20

10

5

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

TC = -25°C

25°C

0.12

V

GS

= 4 V

0.08

2

1

0.5

0.1 0.2

75°C

0.04

10 V

0

–40

0

40

20 A 10 A 5 A

V

DS

= 10 V

脉冲测试

80

120

160

0.5

1

2

5

10 20

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

500

漏电流I

D

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

2000

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

200

100

50

20

10

5

0.1 0.2

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

500

200

100

50

20

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

科斯

CRSS

0.5

1

2

5

10 20

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

I

D

= 15 A

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

20

1000

300

TD （关闭）

100

80

V

GS

V

DS

V

DD

= 10 V

25 V

50 V

16

开关时间t（ NS ）

100

30

10

3

1

0.1

V

GS

= 10 V,

V

DD

= 30 V

PW = 5

s,

值班< 1 ％

tf

tr

TD （上）

60

12

40

8

20

V

DD

= 50 V

25 V

10 V

4

0

400

0

8

16

24

32

0.2

0.5

1

2

5

10 20

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4页8

2SK2926 （L） 2SK2926 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

最大雪崩能量 -

通道温度降额

(A)

20

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

25

I

AP

= 15 A

V

DD

= 25 V

L = 100

H

值班< 0.1 ％

RG > 50

反向漏电流I

DR

16

10 V

5V

V

GS

= 0, –5 V

20

12

15

8

10

4

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

5

0

25

50

75

100

125

150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

1

0.1

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 5 ° C / W ，TC = 25°C

e

ULS

PDM

PW

T

0.03

0.0

h

1s

P

ot

D=

PW

T

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

雪崩测试电路

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

PW （S ）

雪崩波形

E

AR

=

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

Rg

D. U.牛逼

V

DD

ID

V

DS

VIN

15 V

50

0

V

DD

Rev.2.00 2005年9月7日第5页8

SMD型

产品speci fi cation

2SK2926S

特点

低导通电阻

R

DS

=0.042

典型值。

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

高速开关

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

0.50

-0.15

+0.1

0.80

-0.1

0.127

最大

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

1门

2漏

3源

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

功耗

通道温度

储存温度

* PW

10秒，占空比1 ％

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

dp

*

P

D

T

ch

T

英镑

等级

60

20

15

60

25

150

-55到+150

单位

V

A

W

电气特性TA = 25

参数

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

V

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

Y

fs

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

on

t

r

t

关闭

tf

I

D

=8A,V

GS （ ON）

=10V,R

L

=3.75

V

DS

=10V,V

GS

=0,f=1MHZ

Testconditons

I

D

=10mA,V

GS

=0

V

DS

=60V,V

GS

=0

V

GS

= 16V,V

DS

=0

V

DS

=10V,I

D

=1mA

V

DS

=10V,I

D

=8A

V

GS

=10V,I

D

=8A

V

GS

=4V,I

D

=8A

1.5

7

11

0.042 0.055

0.065

500

260

110

10

80

100

110

0.11

pF

ns

民

60

10

2.5

典型值

最大

单位

V

A

V

S

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3

.8

0

4008-318-123

1 1