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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第206页 > 2SK291S
2SK291
硅n沟道FET的结
应用
低频率的低噪声放大器
概要
TO-92 （2）
1.漏
2.源
3.门
3
2
1
2SK291
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
I
G
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
–15
–15
50
5
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
栅漏击穿
电压
栅源击穿
电压
门切断电流
漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
符号
V
（ BR ） GDO
V
（ BR ）， GSO
I
GSS
I
DSS
*
1
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
西塞
民
–15
–15
—
5
—
25
—
—
典型值
—
—
—
—
—
45
8.5
1.2
最大
—
—
10
50
–3.0
—
—
—
单位
V
V
nA
mA
V
mS
pF
测试条件
I
G
= –100
A
I
G
= –100
A
V
GS
= –7 V, V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0
V
DS
= 5 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0中，f = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
噪声电压称为输入E
n
注意：
GRADE
I
DSS
内华达州/ √Hz的V
DS
= 5 V，I
D
= 5毫安中，R 9 = 0，
F = 100千赫
T
36至50
1. 2SK291由I分组
DSS
如下。
P
5至16
Q
14至24
R
20至32
S
28至42
2
2SK291
最大信道功率
耗散曲线
信道功率耗散P
ch
（ mW）的
450
典型的输出特性
30
V
DS
= 5 V
漏电流I
D
（MA ）
V
GS
= 0
20
V
–0.1
–0.2
–0.3
300
150
10
–0.4
–0.5
–0.6
–0.8
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
0
2
4
漏极至源极电压V
DS
(V)
6
典型的传输特性
正向转移导纳
y
fs
（女士）
30
V
DS
= 5 V
漏电流I
D
（MA ）
60
50
40
30
20
10
0
–2.0
正向转移导纳主场迎战
漏源极电压
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
20
10
0
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
3
2SK291
输入电容与
栅极至源极电压
噪声电压参考输入对比
信号源电阻
赫兹）
噪声电压称为输入E
n
（NV /
√
14
输入电容C
国际空间站
（PF ）
V
DS
= 5 V
F = 1 MHz的
20
10
5
V
DS
= 5 V
I
D
= 5毫安
TA = 25°C
F = 120赫兹
100千赫
12
10
2
1.0
0.5
8
6
√
4 KTR
g
1
10
1k
10 k
100
信号源电阻R
g
()
4
–1.0
0.2
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
噪声电压简称
要输入与频率的关系
噪声电压参考输入对比
漏源极电压
赫兹）
噪声电压称为输入E
n
（NV /
√
50
V
DS
= 5 V
R
g
= 0
赫兹）
噪声电压称为输入E
n
（NV /
√
20
10
5
F = 1千赫
I
D
= 10毫安
R
g
= 0
20
10
5
2
1.0
0.5
2
1.0
0.5
10
I
D
=
2m
A
5m
A
10
mA
100千赫
100
10 k
1k
频率f（赫兹）
100 k
0.2
0.2
0.5 1.0
2
5
10 20
漏极至源极电压V
DS
(V)
4
2SK291
等效噪声电阻与
漏电流
等效噪声阻抗R
eq
()
1,000
500
V
DS
= 5 V
F = 0.5 4兆赫
等效噪声阻抗R
eq
()
70
V
DS
= 5 V
I
D
= 10毫安
等效噪声电阻
与频率的关系
60
200
100
50
50
40
20
10
1
2
5
10
20
50
漏电流I
D
（MA ）
100
30
20
0
1
2
3
4
频率f（ MHz）的
5
5
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22-43-3080
2SA1171E
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    2SK291S
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