2SK2914
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK2914
斩波稳压器， DC-DC转换器和启动子驱动
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 0.42
（典型值）。
: |Y
fs
| = 7.5 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 250 V)
: V
th
= 1.5~3.5 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
7.5
30
20
110
7.5
2
150
–55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
TO-220AB
SC-46
2-10P1B
重量：2.0克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
83.3
单位
C / W
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 3.3 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 7.5 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2006-11-21
2SK2914
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK2914
斩波稳压器， DC-DC转换器和启动子驱动
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 0.42
（典型值）。
: |Y
fs
| = 7.5 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 250 V)
: V
th
= 1.5 3.5 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
7.5
30
20
110
7.5
2
150
-55到150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
TO-220AB
SC-46
2-10P1B
重量：2.0克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
83.3
单位
C / W
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 3.3 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 7.5 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2009-09-29
2SK2914
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
漏截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
民
—
—
250
1.5
—
4
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
0.42
7.5
700
80
270
10
最大
±10
100
—
3.5
0.5
—
—
—
—
—
pF
单位
μA
μA
V
V
S
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
—
20
—
ns
t
f
—
10
—
关断时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
200 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
—
—
—
—
70
20
13
7
—
—
—
—
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
—
—
I
DR
= 7.5 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 7.5 A，V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 100 A /
μs
民
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
180
1.1
最大
7.5
30
2.0
—
—
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K2914
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
QQ：2880707522 复制
