【2SK2912 （L） 2SK2912 （S）硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1038】,IC型号2SK2912STL-E,2SK2912STL-E PDF资料,2SK2912STL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2912 （L） 2SK2912 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1038-0200

（上一个： ADE- 208-495A ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

R

DS

= 15毫欧（典型值）。

高速开关

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

4

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

4

G

1

2

D

1.门

2.漏

3.源

4.漏

3

S

1

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页8

2SK2912 （L） 2SK2912 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

3.价值在总胆固醇= 25

°

C， RG

≥

50

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

I

AP

*

3

E

AR

*

3

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

60

±20

40

160

40

137

50

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

60

±20

—

1.5

—

20

—

典型值

—

15

25

35

1500

720

200

20

180

200

0.95

70

最大

—

±10

10

2.5

20

40

—

单位

V

A

V

m

S

pF

ns

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= ±100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 20 A，V

GS

= 10 V*

4

I

D

= 20 A，V

GS

= 4 V*

4

I

D

= 20 A，V

DS

= 10 V*

4

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 20 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 1.5

I

F

= 40 A，V

GS

= 0

I

F

= 40 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50A /

s

Rev.2.00 2005年9月7日第2页8

2SK2912 （L） 2SK2912 （S）

主要特点

功率与温度降额

100

1000

300

10

s

0

1

m

s

ms

(

=

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

75

100

30

10

3

1

0.3

DC

PW

Op

er

=

10

50

ATI

25

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

0.3

1

3

on

(T

c

1s

ho

t)

25

°

C

)

0

50

100

150

200

0.1

10

30

100

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

10 V

6V

4.5 V

50

4V

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

30

脉冲测试

3.5 V

漏电流I

D

(A)

40

30

TC = 75℃

25°C

20

–25°C

10

V

GS

= 3 V

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

0.5

脉冲测试

0.2

0.1

0.05

V

GS

= 4 V

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

2.0

脉冲测试

1.6

1.2

I

D

= 50 A

0.8

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.02

0.01

0.005

1

2

5

10

20

50

100

10 V

0.4

20 A

10 A

4

8

12

16

20

0

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页8

2SK2912 （L） 2SK2912 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

y

fs

(S)

0.05

脉冲测试

0.04

I

D

= 20 A

V

GS

= 4 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

100

50

TC = -25°C

0.03

10 A

20

10

5

75°C

25°C

0.02

50 A

10, 20 A

10 V

0.01

0

–40

2

1

2

5

10

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0

40

80

120

160

20

50

100

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1000

5000

漏电流I

D

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

反向恢复时间trr （ NS ）

500

电容C （PF ）

2000

1000

500

西塞

200

100

50

20

10

0.1

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

科斯

200

100

50

CRSS

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

I

D

= 40 A

V

DD

= 10 V

25 V

50 V

V

DS

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

20

1000

100

80

16

开关时间t（ NS ）

300

100

30

10

3

1

0.1

tr

TD （关闭）

tf

TD （上）

60

V

GS

12

40

8

20

V

DD

= 50 V

25 V

10 V

4

0

100

V

GS

= 10 V,

V

DD

= 30 V

PW = 5

s,

值班< 1 ％

0

20

40

60

80

0.3

1

3

10

30

100

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4页8

2SK2912 （L） 2SK2912 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

最大雪崩能量 -

通道温度降额

(A)

50

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

200

I

AP

= 40 A

V

DD

= 25 V

值班< 1 ％

RG > 50

反向漏电流I

DR

40

10 V

30

5V

20

V

GS

= 0, –5 V

160

120

80

10

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

40

0

25

50

75

100

125

150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

秒（ t）的

θ

CH - C

θ

CH - C = 2.5 ° C / W ，TC = 25°C

PDM

PW

T

0.03

0.02

1

LSE

0.0

吨PU

ho

1s

D=

PW

T

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

雪崩测试电路

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

PW （S ）

雪崩波形

E

AR

=

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

Rg

D. U.牛逼

V

DD

V

DS

I

D

VIN

15 V

50

0

V

DD

Rev.2.00 2005年9月7日第5页8