2SK2901-01L,S
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
T-包（ L）
富士功率MOS场效应管
T-包（ S）
10
+0.5
0.9
±0.3
4.5
±0.2
1.32
1.5 MAX
9.3
±0.5
1.2
±0.2
0.8
—0.1
5.08
2.7
+0.2
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
3.源
0.4
+0.2
1.门
2 ， 4，排水
3.源
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
E
AV * 1
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
±45
±180
±30
461.9
60
+150
-55到+150
单位
等效电路示意
漏极（D ）
V
A
A
V
mJ
W
°C
°C
* 1 L = 0.304mH ， VCC = 24V
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
= 10毫安V
DS
=V
GS
V
DS
=60V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 22.5A V
GS
=10V
I
D
= 22.5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 30V我
D
=45A
V
GS
=10V
R
GS
=10
L = 100 μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 45A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 45A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
60
2.5
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
典型值。
马克斯。
3.5
500
1.0
100
14.5
3450
1370
390
30
80
120
80
1.5
单位
V
V
A
mA
nA
m
S
pF
3.0
10
0.2
10
12.0
10.0
25.0
2300
910
260
18
55
70
48
45
1.0
60
0.11
ns
A
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.08
125.0
单位
° C / W
° C / W
3.0
±0.3
1
2SK2901-01L,S
特征
功耗
（D）= F（ Tc）的
80
10
3
FUJI功率MOSFET
安全工作区
ID = F （ VDS ） ： D = 0.01 ，TC = 25°C
t=
60
10
2
1s
10s
特区
PD [ W]
100s
40
ID [ A]
10
1
1ms
10ms
20
10
0
100ms
t
D=
T
t
T
0
0
50
100
150
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
锝[° C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：为80μs的脉冲测试，锝= 25℃
100
VGS=20V
10V
80
8V
6V
5.5V
10
60
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
ID [ A]
5V
40
4.5V
1
20
4.0V
3.5V
0
0
1
2
3
4
5
0.1
0
2
4
6
8
10
ID [ A]
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型正向跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
2
50
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS =
3.5V 4.0V
4.5V
5.0V
40
RDS （上） [M
]
GFS [S]
30
5.5V
10
1
20
6V
8V
10V
20V
10
10 10
0
0
10
1
10
2
0
0
20
40
60
80
100
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK2901-01L,S
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 22.5A ， VGS = 10V
35
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 10毫安
5.0
4.5
30
4.0
25
3.5
马克斯。
3.0
RDS （上） [M
]
20
VGS （ TH） [V]
马克斯。
典型值。
2.5
分钟。
2.0
1.5
1.0
15
典型值。
10
5
0.5
0
-50
0
50
100
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [° C]
TCH [° C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 45A ，总胆固醇= 25°C
50
VDS
25
10n
典型的电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
40
VGS
20
西塞
Vcc=48V
30
30V
12V
1n
15
科斯
VGS电压[V]的
VDS [V]的
C [ F]
20
10
100p
CRSS
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
10p
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
110
100
90
80
10
4
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 30V ， VGS = 10V ， RG = 10
10
70
3
IF [ A]
50
10V
40
30
20
10
5V
VGS=0V
2
T [ NS ]
60
TD （关闭）
tf
tr
10
TD （上）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK2901-01L,S
最大雪崩电流与总胆固醇开始
我（AV） = F （起始总胆固醇）
50
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
Zthch = F（T ）参数： D = T / T
10
1
40
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
30
I（ AV ） [A]
Zthch -C [K / W]
10
20
-1
0.02
t
0.01
0
10
T
D=
t
T
10
-5
10
-2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T [ S]
0
0
50
100
150
开始总胆固醇[° C]
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
EAS = F （首发TCH） ： VCC = 24V ， I（ AV） < = 45A
500
400
300
EAS [兆焦耳]
200
100
0
0
50
100
150
开始总胆固醇[° C]
4
QQ：2880707522 复制
