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2SK2876-01MR
FAP -IIS系列
& GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
500V
1,5
±6A
30W
& GT ;外形图
& GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
& GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
重复或不重复(T
ch
150°C)
雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D( PULS )
V
GS
I
AR
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
500
±6
±24
±35
6
196.9
30
150
-55 ~ +150
L=10.0mH,Vcc=50V
& GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
°C
- 电气特性(T
C
=25°C),
除非另有说明
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D(上)
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D(关闭)
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
热阻
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS ( ON)
fs
国际空间站
OSS
RSS
D(上)
r
D(关闭)
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=500V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±35V
V
DS
=0V
I
D
=3A
V
GS
=10V
I
D
=3A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
D
=6A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 10,0mH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
500
3,5
典型值。
4,0
10
0,2
10
1,25
4
540
100
45
13
40
30
25
1,0
450
3,2
马克斯。
4,5
500
1,0
100
1,5
810
150
70
20
60
45
40
1,5
2
6
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
测试条件
渠道情况
通道的空气
分钟。
典型值。
马克斯。
4,17
62,5
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
500V
1,5
2SK2876-01MR
FAP -IIS系列
漏源导通电阻与T
ch
R
DS ( ON)
= F (T
ch
) : ID = 3A ; VGS = 10V
±6A
30W
& GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F(V
DS
) ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F(V
GS
) ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
I
D
[A]
1
R
DS ( ON)
[]
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
T
ch
[°C]
V
GS
[V]
典型的漏源导通状态,电阻与我
D
R
DS ( ON)
= F(我
D
) ;为80μs脉冲测试;吨
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F(我
D
) ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS ( TH)
= F (T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
R
DS ( ON)
[
]
g
fs
[S]
5
V
GS ( TH)
[V]
4
6
I
D
[A]
I
D
[A]
T
ch
[°C]
典型的电容与V
DS
C = F(V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
VGS = F量(Qg ) : ID = 6A ; TC = 25℃
反向二极管的正向特性
I
F
= F(V
SD
) ;为80μs脉冲试验; V
GS
=0V
C [ F]
V
DS
[V]
V
GS
[V]
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
QG [ NC ]
V
SD
[V]
雪崩能量降额
EAS = F (首发TCH) : VCC = 50V ;我
AV
=6A
安全工作区
I
D
= F(V
DS
) : D = 0.01 , TC = 25℃
Z
TH( CH-C )
〔 K / W〕
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F( t)的参数:D = T / T
EAS [兆焦耳]
10
I
D
[A]
12
开始总胆固醇[° C]
V
DS
[V]
T [ S]
此规格如有变更,恕不另行通知!
N沟道MOS - FET的
500V
1,5
2SK2876-01MR
FAP -IIS系列
±6A
30W
& GT ;特色
功耗
P
D
= F (T
C
)
125
100
75
P
D
/ P
DMAX
[%]
50
25
0
0
0
0
0
T
C
[°C]
0
0
0
此规格如有变更,恕不另行通知!
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK2876-01MR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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