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2SK2873-01
FAP -IIS系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
450V
1,2
±8A
60W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
重复或不重复（T
ch
≤
150°C)
雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
I
AR
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
450
±8
±32
±35
8
177.8
60
150
-55 ~ +150
L=5.09mH,Vcc=45V
＆ GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
项
热阻
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=450V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±35V
V
DS
=0V
I
D
=4A
V
GS
=10V
I
D
=4A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
D
=8A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 5,09mH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
450
3,5
典型值。
4,0
10
0,2
10
1,0
4
540
100
45
13
40
45
25
1,1
450
3,7
马克斯。
4,5
500
1,0
100
1,2
810
150
70
20
60
70
40
1,65
2
8
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
通道的空气
分钟。
典型值。
马克斯。
2,08
35,0
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
450V
1,2
2SK2873-01
FAP -IIS系列
漏源导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
） ： ID = 4A ; VGS = 10V
±8A
60W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲测试;吨
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[
]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ; TC = 25℃
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验; V
GS
=0V
↑
C [ F]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
雪崩能量降额
EAS = F （首发TCH） ： VCC = 45V ;我
AV
=8A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
EAS [兆焦耳]
10
↑
I
D
[A]
12
开始总胆固醇[° C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
此规格如有变更，恕不另行通知！
N沟道MOS - FET的
450V
1,2
2SK2873-01
FAP -IIS系列
±8A
60W
＆ GT ;特色
功耗
P
D
= F （T
C
)
125
100
→
75
P
D
/ P
DMAX
[%]
50
25
0
0
0
0
0
T
C
[°C]
0
0
0
此规格如有变更，恕不另行通知！
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2N937
2SD1996S
2SB948AP
2AC110
20603
2SB0643S
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    2SK2873-01
    -
    -
    -
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