【2SK2869 （L） 2SK2869 （S）硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1037】,IC型号2SK2869L,2SK2869L PDF资料,2SK2869L经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2869 （L） 2SK2869 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1037-0200

（上一个： ADE- 208-570 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

= 0.033

典型值。

高速开关

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B

（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ））

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

1.门

2.漏

3.源

4.漏

2 3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页8

2SK2869 （L） 2SK2869 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

3.价值在总胆固醇= 25

C， RG

≥

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH *

总胆固醇

TSTG

评级

±20

150

-55到+150

单位

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

±20

—

1.5

—

典型值

—

0.033

0.055

740

380

140

110

105

120

1.0

最大

—

±10

2.5

0.045

0.07

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±16

V, V

= 0

= 60 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 10 A，V

= 10 V*

= 10 A，V

= 4 V*

= 10 A，V

= 10 V*

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 10 A，V

= 10 V,

= 3

= 20 A，V

= 0

= 20 A，V

= 0

/ DT = 50A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2页8

2SK2869 （L） 2SK2869 （S）

主要特点

功率与温度降额

200

100

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

ERA

TIO

OT ）

操作

这个区域是

1限制由R

DS （ ON）

0.5

TA = 25°C

0.2

100

150

200

100

案例温度T

(°C)

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

10 V

脉冲测试

4.5 V

3.5 V

= 3 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

TC = 75℃

25°C

–25°C

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

1.0

脉冲测试

栅极至源极电压V

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

0.5

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

脉冲测试

0.2

0.1

= 4 V

0.05

0.8

0.6

= 15 A

0.4

10 A

10 V

0.02

0.01

0.1 0.2

0.2

0.5

10 20

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页8

2SK2869 （L） 2SK2869 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

(S)

0.10

脉冲测试

10 A

0.08

= 4 V

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

0.5

0.1

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

2, 5 A

25°C

75°C

0.06

0.04

10 V

2, 5, 10 A

0.02

–40

120

160

0.3

100

案例温度T

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1000

5000

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

2000

漏电流I

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

500

电容C （PF ）

1000

500

200

100

= 0

F = 1 MHz的

西塞

200

100

科斯

CRSS

0.1

0.3

100

反向漏电流I

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

100

= 20 A

1000

300

开关特性

开关时间t（ NS ）

= 50 V

25 V

10 V

TD （关闭）

100

0.1

TD （上）

= 50 V

25 V

10 V

= 10 V,

= 30 V

PW = 5

值班< 1 ％

0.3

100

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4页8

2SK2869 （L） 2SK2869 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

最大雪崩能量 -

通道温度降额

(A)

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

= 20 A

= 25 V

值班< 0.1 ％

RG > 50

反向漏电流I

10 V

= 0, –5 V

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

100

125

150

源极到漏极电压

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

0.0

0.1

CH - C （ T） =

秒（ t）的

CH - C

CH - C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C

ULS

PDM

0.03

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度

雪崩测试电路

MONITOR

PW （S ）

雪崩波形

AR =

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

D. U.牛逼

VIN

15 V

Rev.2.00 2005年9月7日第5页8

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