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2SK2842
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK2842
斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS ( ON)
= 0.4
(典型值)。
: |Y
fs
| = 9.0 S(典型值)。
单位:mm
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 500 V)
增强型: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
500
±30
12
48
40
364
12
4.0
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
漏极功耗( TC = 25 ° C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10R1B
重1.9克(典型值)
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至
环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
3.125
62.5
单位
C / W
C / W
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
= 90 V,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 4.3 mH的,R
G
= 25
,
I
AR
= 12 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度。
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2006-11-06
2SK2842
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 12 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25 V, V
DS
= 0 V
I
G
= ±10
μA,
V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 6 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 6 A
±30
500
2.0
4.0
典型值。
0.4
9.0
2040
200
640
22
最大
±10
100
4.0
0.52
pF
单位
μA
V
μA
V
V
S
开启时间
开关时间
下降时间
58
ns
36
关断时间
总栅极电荷(栅源
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
180
45
25
20
nC
源极 - 漏极额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
(注1 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 12 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 12 A,V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 100 A /
μs
典型值。
1200
16
最大
12
48
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
K2842
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-06
2SK2842
3
2006-11-06
2SK2842
4
2006-11-06
2SK2842
R
G
= 25
V
DD
= 90 V,L = 4.3 mH的
E
AS
=
B
VDSS
1
L
I
2
2
B
VDSS
V
DD
5
2006-11-06
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