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2SK2828
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-514 C（ Z）
4 。版
1999年2月
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
雪崩额定值
概要
TO–3P
D
2
1
G
1
3
S
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
2SK2828
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
700
±30
12
48
12
175
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SK2828
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
700
±30
—
—
2.0
—
5.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.9
9.0
1850
400
45
35
8
10
25
65
140
55
0.95
2.5
最大
—
—
±10
100
3.0
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
s
I
F
= 12A ，V
GS
= 0
I
F
= 12A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 100A / μs的
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0
V
DS
= 560 V, V
GS
= 0
I
D
= 1mA时， V
DS
= 10V*
3
I
D
= 6A ，V
GS
= 10V*
3
I
D
= 6A ，V
DS
= 10V*
3
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DD
= 400V
V
GS
= 10V
I
D
= 12A
I
D
= 6A ，R
L
= 5
V
GS
= 10V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
3.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3
2SK2828
主要特点
功率与温度降额
200
100
50
P沟（W）的
I
D
(A)
150
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
5
外壳温度
最高安全工作区
10
10
s
0
s
1m
s
s(
1s
ho
t)
PW
DC
Op
e
=1
0m
(T
漏电流
散热通道
100
RAT
离子
50
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
c=
25
°
C)
TA = 25℃
10 20
50 100 200
500 1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
16
I
D
(A)
8V
6V
5V
漏电流I
D
(A)
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
16
–25°C
12
4.5 V
12
25°C
8
TC = 75℃
漏电流
8
4
V
GS
= 4 V
脉冲测试
4
0
10
20
30
漏极至源极电压V
40
(V)
DS
50
0
2
4
6
栅极至源极电压V
8
(V)
GS
10
4
2SK2828
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
W
)
20
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
5
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 10, 15V
16
12
I
D
= 10 A
8
5A
4
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10 20
50
漏电流I
D
(A)
100
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
W
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
4.0
脉冲测试
3.2
正向转移导纳主场迎战
漏电流
50
20
10
5
25 °C
2
1
0.5
0.2
75 °C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1
2
10
0.5
5
漏电流I
D
(A)
20
TC = -25°C
2.4
I
D
= 10 A
1.6
V
GS
= 10 V
0.8
0
–40
5A
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
5
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