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2SK2808-01MR
特点
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
雪崩型
FUJI功率MOSFET
200509
N沟道硅功率MOSFET
FAP -IIIB系列
外形图
TO-220F
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
通用功率放大器
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压峰值
最大雪崩能量
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D [ PULS ]
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
±35
±140
±16
129.3
20
+150
-55到+150
单位
备注
V
A
A
V
*1
mJ
W
°C
°C
* 1 L = 0.70mH ， VCC = 12V
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=30V
V
GS
=0V
V
GS
=±16V V
DS
=0V
I
D
= 17.5A V
GS
=10V
I
D
=17.5A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 15V
G
=10
I
D
=35A
V
GS
=10V
L=100H
T
ch
=25°C
分钟。
30
1.0
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
GS
=4V
V
GS
=10V
16
典型值。
1.5
10
0.2
10
22
14
33
1100
550
240
9
15
75
50
0.98
50
0.08
马克斯。
2.0
500
1.0
100
30
20
1650
830
360
15
23
115
75
1.71
单位
V
V
A
mA
nA
m
m
S
pF
ns
A
V
ns
C
35
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
热特性
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
分钟。
典型值。
马克斯。
6.25
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
FUJI功率MOSFET
特征
2SK2808-01MR
2
FUJI功率MOSFET
2SK2808-01MR
3
FUJI功率MOSFET
2SK2808-01MR
4
2SK2808-01MR
FAP -IIS系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
30V
20m
±35A
20W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
±35
±140
±16
129.3
20
150
-55 ~ +150
L=0.70mH,Vcc=12V
＆ GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
mJ
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
项
热阻
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=30V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±16V
V
DS
=0V
I
D
=17,5A
V
GS
=4V
V
GS
=10V
I
D
=17,5A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=15V
I
D
=35A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
30
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
22
14
33
1100
550
240
9
75
15
50
0,98
50
0,08
马克斯。
2,0
500
1,0
100
30
20
1650
830
360
15
115
23
75
1,71
16
35
单位
V
V
A
mA
nA
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
通道的空气
分钟。
典型值。
马克斯。
6,25
62,5
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
30V
20m
2SK2808-01MR
FAP -IIS系列
漏源导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
） ： ID = 17.5A ; VGS = 10V
±35A
20W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲测试;吨
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[
]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 35A ; TC = 25℃
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验; V
GS
=0V,Tch=25
o
C
↑
C [ F]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
雪崩能量降额
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 12V ;我（
AV） <
=35A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
EAS [兆焦耳]
10
↑
I
D
[A]
12
开始总胆固醇[° C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
此规格如有变更，恕不另行通知！
N沟道MOS - FET的
30V
20m
2SK2808-01MR
FAP -IIS系列
典型的开关特性
T = F（我
D
): V
CC
= 15V, V
GS
= 10V ，R
G
= 10
±35A
20W
＆ GT ;特色
T [ NS ]
V
SD
[V]
→
功耗
P
D
= F （T
C
)
125
100
P
D
/ P
DMAX
[%]
75
50
25
0
0
0
0
0
T
C
[°C]
0
0
0
最大雪崩电流与起始物为
ch
I
AV
= F （起始物为
ch
)
120
100
I
AV
/ I
阿维马克斯
[%]
80
60
40
20
0
0
0
0
0
起始物为
ch
[°C]
0
0
0
此规格如有变更，恕不另行通知！
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24390
2439-0
2-535512-1
2N5279
2-103542-4
28C010TRT2DI-12
25TTS12STRLPBF
2040.0719
24VL014H/P
20KPA44CA-B
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2SB1169
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操作
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    2SK2808-01MR
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电话：0755-83244680/82865294
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地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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联系人：王云
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联系人：谌小姐
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联系人：朱
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电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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