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新电元
VX - 2系列功率MOSFET
N沟道增强型
2SK2798
(F6F35VX2)
350V 6A
特点
●
输入电容（西塞）是小的。
外形尺寸
例
E-包
例
:
:
FTO-220
（单位：毫米）
特别是，输入电容
在0 biass小。
●
静态的Rds（on ）是小的。
●
切换时间是快的。
应用
●
AC 100V输入开关电源
●
高电压电源
●
逆变器
评级
●绝对最大额定值（ = 25 ℃ ）
Tc
项
符号
条件
储存温度
T
英镑
通道温度
T
ch
漏源电压
V
DSS
栅源电压
V
GSS
连续漏电流（
DC）
I
D
连续漏电流（
峰）
I
DP
连续源电流（
DC）
I
S
P
T
总功耗
单脉冲雪崩电流
I
AS
T
ch
= 25℃
介电强度
V
DIS
终端的情况下， AC 1分钟
安装力矩
器
（Recommended torque : 0.3N½m ）
评级
-55150
150
350
±30
6
18
6
30
6
2
0.5
单位
℃
V
A
W
A
kV
N
m
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
VX - 2系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ？
项
符号
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
Forward Tran½conductance
g
fs
Static Drain-Source On-½tate Resistance
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
V
TH
V
SD
源极 - 漏极二极管Forwade电压
θJC
The½mal Resistance
Q
g
总栅极电荷
C
国际空间站
输入电容
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
t
关闭
打开-O FF时间
条件
2SK2798 （ F6F35VX2 ）
分钟。
350
典型值。
马克斯。
250
±0.1
1.5
2.5
3.8
0.62
3.0
单位
V
μA
S
Ω
V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
= 350V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
= 3A ，V
DS
=
10V
I
D
= 3A ，V
GS
=
10V
I
D
=
1mA,
V
DS
=
10V
I
S
= 3A ，V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
= 200V, V
GS
=
10V,
I
D
= 6A
V
DS
=
10V,
V
GS
= 0V ， F =
1MH
Z
I
D
= 3A ，R
L
= 50Ω, V
GS
=
10V
20
550
60
155
35
115
0.83
3.5
1.5
4.17
℃/Ｗ
nC
pF
55
175
ns
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
2SK2798
12
TC =
55°C
10
传输特性
25°C
100°C
150°C
漏电流I
D
[A]
8
6
4
2
0
V
DS
= 15V
脉冲测试
典型值
0
5
10
15
20
栅极 - 源极电压V
GS
[V]
2SK2798
10
静态漏源导通电阻
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
[]
1
I
D
= 3A
0.1
0.01
V
GS
= 10V
脉冲测试
典型值
-50
0
50
100
150
壳温度[ ° C]
2SK2798
5
栅极阈值电压
栅极阈值电压V
TH
[V]
4
3
2
1
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
典型值
-50
0
50
100
150
0
壳温度[ ° C]
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