【2SK2788硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1033-0200（上一个： ADE- 】,IC型号2SK2788VYTR-E,2SK2788VYTR-E PDF资料,2SK2788VYTR-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2788

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1033-0200

（上一个： ADE- 208-538 ）

Rev.2.00

Sep.07,2005

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.12

典型值（V

= 10 V，I

= 1 A)

低驱动电流

高速开关

4 V栅极驱动装置。

概要

瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A

（包名称： UPAK

)

2 1

1.门

2.漏

3.源

4.漏

注意：

标记为“ VY ”

* UPAK是瑞萨科技公司的商标。

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK2788

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

漏源极电压

DSS

栅极至源极电压

GSS

漏电流

漏电流峰值

D（脉冲）

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

PCH *

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

1 %

2.当使用的氧化铝陶瓷板（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

评级

±20

150

-55到+150

单位

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

±20

—

1.0

—

1.6

—

典型值

—

0.12

0.16

2.8

180

0.9

最大

—

±10

2.0

0.16

0.25

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

= 60 V, V

= 0

±16

V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 1 A，V

= 10 V*

= 1 A，V

= 4 V*

= 1 A，V

= 10 V*

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 10 V，I

= 1 A,

= 30

= 2 A，V

= 0

= 2 A，V

= 0

/ DT = 50A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK2788

主要特点

功率与温度降额

2.0

测试条件：

当使用氧化铝陶瓷

板（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

100

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

1.5

1.0

0.3在操作

这个区域是

0.1限制由R

DS （ ON）

0.03

0.01 TA = 25℃

0.1 0.3

)

0.5

)

100

150

200

100

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

6V 5V

10 V

3.5 V

脉冲测试

典型的传输特性

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

TC = 75℃

2.5 V

= 2 V

–25°C

25°C

= 10 V

脉冲测试

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

2.0

脉冲测试

栅极至源极电压V

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

脉冲测试

0.5

= 4 V

1.6

1.2

0.8

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

0.2

0.1

0.05

0.1

0.4

= 2 A

10 V

0.3

100

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK2788

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

(S)

0.5

脉冲测试

0.4

0.3

= 4 V

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

TC = -25°C

0.5

75°C

25°C

0.2

1, 2 A

10 V

–40

120

160

0.1

0.2

0.1

= 10 V

脉冲测试

0.2

0.5

案例温度T

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

500

1000

500

漏电流I

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

= 0

F = 1 MHz的

反向恢复时间trr （ NS ）

200

电容C （PF ）

100

0.1

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

200

100

西塞

科斯

CRSS

反向漏电流I

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

= 2 A

= 10 V

25 V

50 V

开关特性

栅极至源极电压V

(V)

100

开关时间t（ NS ）

TD （关闭）

TD （上）

= 50 V

25 V

10 V

0.1

0.2

= 10 V,

= 30 V

PW = 5

值班< 1 ％

0.5

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK2788

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

10 V

= 0, –5 V

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

(V)

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

= 30 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

10%

波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

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