订购数量： ENN6392
N沟道MOSFET硅
2SK2775
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
·超高速开关。
· 4V的驱动器。
·启用简化的制造，高密度mount-
荷兰国际集团，以及小型化终端产品，由于
表面贴装封装。
包装尺寸
单位：mm
2128
[2SK2775]
8.2
7.8
6.2
3
0.4
0.2
0.6
4.2
1.2
8.4
10.0
1.0
2.54
1
2
1.0
2.54
0.3
0.6
5.08
10.0
6.0
6.2
5.2
7.8
0.7
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： ZP
（底视图）
2.5
单位
100
±20
25
100
40
150
V
V
A
A
W
C
C
-55到+150
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
V（ BR ） GSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
ID = 1mA时， VGS = 0
IG = ± 100μA ， VGS = 0
VDS = 100V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 12A
ID = 12V ，V GS = 10V
ID = 12V ，V GS = 4V
1.0
15
24.5
60
80
80
110
条件
评级
民
100
±20
100
±10
2.0
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
S
m
m
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
60800TS （ KOTO ） TA- 2760 No.6392-1 / 4
2SK2775
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
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机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
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